1. Revêtement par pulvérisation cathodique par faisceau d'ions
La surface du matériau est bombardée par un faisceau d'ions de moyenne énergie. L'énergie des ions ne pénètre pas dans le réseau cristallin du matériau, mais est transférée aux atomes cibles, provoquant leur pulvérisation cathodique et la formation d'un film mince par dépôt sur la pièce. Grâce à la très haute énergie des atomes de la couche pulvérisée, et au fait que le matériau cible est bombardé par le faisceau d'ions sous vide poussé, la pureté du film est élevée, permettant le dépôt de films de haute qualité et d'une stabilité accrue. Ceci permet d'améliorer les propriétés optiques et mécaniques du film. La pulvérisation cathodique par faisceau d'ions vise à former de nouveaux matériaux en couches minces.
2. Gravure par faisceau d'ions
La gravure par faisceau d'ions consiste à bombarder la surface d'un matériau avec un faisceau d'ions de moyenne énergie afin de produire un effet de pulvérisation et de gravure sur le substrat. Elle est utilisée dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, de dispositifs optoélectroniques et d'autres technologies graphiques. La fabrication des puces pour circuits intégrés semi-conducteurs implique la réalisation de millions de transistors sur une plaquette de silicium monocristallin de 304,8 mm de diamètre (Φ12 pouces). Chaque transistor est constitué de plusieurs couches minces aux fonctions différentes : une couche active, une couche isolante, une couche de désorption et une couche conductrice. Chaque couche fonctionnelle possède son propre motif. Après le dépôt de chaque couche, les parties inutiles sont éliminées par gravure ionique, ne laissant apparaître que les composants actifs. Aujourd'hui, la largeur des pistes des puces atteint 7 mm, et la gravure par faisceau d'ions est indispensable pour obtenir une telle finesse de gravure. La gravure par faisceau d'ions est une méthode de gravure sèche offrant une précision de gravure élevée, contrairement à la gravure chimique utilisée initialement.
La technologie de gravure par faisceau d'ions comprend deux types : la gravure par faisceau d'ions inactifs et la gravure par faisceau d'ions actifs. La première, utilisant un faisceau d'ions argon, repose sur une réaction physique ; la seconde, utilisant un faisceau d'ions fluor, génère des particules parasites grâce à sa haute énergie et peut également graver le SiO₂.2,Si3Les couches minces de N4, GaAs, W et autres subissent une réaction chimique. Ce processus, à la fois physique et chimique, est utilisé dans la technologie de gravure par faisceau d'ions, ce qui permet une gravure rapide. Le gaz corrosif utilisé pour la gravure réactionnelle est le CF₄.4、C2F6、CCl4、BCl3, etc., les réactifs générés pour SiF4、SiCl4、GCl3;、et WF6 Les gaz corrosifs sont extraits. La gravure par faisceau d'ions est une technologie clé pour la fabrication de produits de haute technologie.
–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua
Date de publication : 24 octobre 2023