1. Ionenstrahlzerstäubung
Die Oberfläche des Materials wird mit einem Ionenstrahl mittlerer Energie beschossen. Die Energie der Ionen dringt nicht in das Kristallgitter des Materials ein, sondern wird auf die Atome des Targets übertragen. Dadurch werden diese von der Oberfläche abgesputtert und bilden anschließend durch Abscheidung einen dünnen Film auf dem Werkstück. Aufgrund des durch den Ionenstrahl erzeugten Sputterns ist die Energie der Atome in der abgesputterten Filmschicht sehr hoch. Da das Targetmaterial im Hochvakuum mit dem Ionenstrahl beschossen wird, ist die Reinheit der Filmschicht hoch, und es können qualitativ hochwertige Filme abgeschieden werden. Gleichzeitig wird die Stabilität der Ionenstrahl-Filmschicht verbessert, wodurch die optischen und mechanischen Eigenschaften der Filmschicht optimiert werden können. Ziel des Ionenstrahl-Sputterns ist die Herstellung neuer Dünnschichtmaterialien.
2. Ionenstrahlätzen
Ionenstrahlätzen ist ein Verfahren, bei dem ein Ionenstrahl mittlerer Energie auf die Materialoberfläche gerichtet wird, um durch Sputtern Material abzutragen. Es ist eine Kerntechnologie in der Halbleiter- und optoelektronischen Fertigung sowie in anderen Bereichen der Grafikproduktion. Die Herstellung von Chips in integrierten Halbleiterschaltungen umfasst die Fertigung von Millionen von Transistoren auf einem einkristallinen Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 12 Zoll (304,8 mm). Jeder Transistor besteht aus mehreren Dünnschichtschichten mit unterschiedlichen Funktionen: einer aktiven Schicht, einer Isolierschicht, einer Isolationsschicht und einer leitfähigen Schicht. Jede Funktionsschicht besitzt ein eigenes Muster. Nach dem Aufbringen jeder Funktionsschicht müssen die nicht benötigten Bereiche mit einem Ionenstrahl weggeätzt werden, sodass die Funktionsschichten intakt bleiben. Heutzutage erreicht die Leiterbahnbreite von Chips bis zu 7 mm, und Ionenstrahlätzen ist für die Herstellung solch feiner Muster unerlässlich. Im Vergleich zum ursprünglich verwendeten Nassätzen ist Ionenstrahlätzen ein Trockenätzverfahren mit hoher Ätzgenauigkeit.
Die Ionenstrahlätztechnologie lässt sich in zwei Verfahren unterteilen: inaktives und aktives Ionenstrahlätzen. Ersteres, das Argon-Ionenstrahlätzen, basiert auf einer physikalischen Reaktion; letzteres, das Fluor-Ionenstrahl-Sputtern, erzeugt durch seine hohe Energie zusätzlich Spurenelemente und kann auch SiO₂ ätzen.2、Si3N4, GaAs, W und andere Dünnschichten reagieren chemisch miteinander. Es handelt sich dabei sowohl um einen physikalischen als auch um einen chemischen Reaktionsprozess, der bei der Ionenstrahlätzung genutzt wird und eine hohe Ätzrate ermöglicht. Als korrosives Reaktionsgas wird CF verwendet.4,C2F6、CCl4、BCl3usw., die erzeugten Reaktanten für SiF4、SiCl4、GCl3;、und WF6 Dabei werden korrosive Gase entfernt. Die Ionenstrahlätztechnologie ist die Schlüsseltechnologie zur Herstellung von Hightech-Produkten.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 24. Oktober 2023