Phủ màng bằng phương pháp phún xạ ion và khắc bằng chùm ion

1. Lớp phủ bằng phương pháp phún xạ ion

Bề mặt vật liệu được bắn phá bằng chùm ion năng lượng trung bình, năng lượng của các ion không đi vào mạng tinh thể của vật liệu mà truyền năng lượng đến các nguyên tử mục tiêu, khiến chúng bị bắn phá khỏi bề mặt vật liệu, sau đó tạo thành một lớp màng mỏng bằng cách lắng đọng trên phôi. Do sự bắn phá tạo ra bởi chùm ion, năng lượng của các nguyên tử lớp màng bị bắn phá rất cao, và vật liệu mục tiêu được bắn phá bằng chùm ion trong môi trường chân không cao, độ tinh khiết của lớp màng cao, và có thể tạo ra các lớp màng chất lượng cao, đồng thời độ ổn định của lớp màng được tạo ra bằng chùm ion được cải thiện, từ đó đạt được mục đích cải thiện các tính chất quang học và cơ học của lớp màng. Mục đích của phương pháp bắn phá bằng chùm ion là tạo ra các vật liệu màng mỏng mới.

2. Khắc bằng chùm ion

Khắc bằng chùm ion cũng là một phương pháp sử dụng chùm ion năng lượng trung bình bắn phá bề mặt vật liệu để tạo ra hiệu ứng bắn phá và khắc trên chất nền, là công nghệ cốt lõi trong sản xuất thiết bị bán dẫn, thiết bị quang điện tử và các lĩnh vực khác. Công nghệ chế tạo chip trong mạch tích hợp bán dẫn bao gồm việc chế tạo hàng triệu transistor trên một tấm silicon đơn tinh thể có đường kính Φ12in (Φ304,8mm). Mỗi transistor được cấu tạo từ nhiều lớp màng mỏng có chức năng khác nhau, bao gồm lớp hoạt tính, lớp cách điện, lớp cách ly và lớp dẫn điện. Mỗi lớp chức năng có cấu trúc riêng, vì vậy sau khi mỗi lớp màng chức năng được mạ, các phần không cần thiết cần được khắc bằng chùm ion, chỉ giữ lại các thành phần màng hữu ích. Hiện nay, chiều rộng dây dẫn của chip đã đạt đến 7mm, và việc khắc bằng chùm ion là cần thiết để chế tạo các cấu trúc tinh xảo như vậy. Khắc bằng chùm ion là một phương pháp khắc khô với độ chính xác khắc cao hơn so với phương pháp khắc ướt được sử dụng ban đầu.

Công nghệ khắc bằng chùm ion gồm hai loại: khắc bằng chùm ion không hoạt động và khắc bằng chùm ion hoạt động. Loại thứ nhất sử dụng chùm ion argon để khắc, thuộc loại phản ứng vật lý; loại thứ hai sử dụng chùm ion flo để bắn phá, ngoài tác dụng tạo ra các hạt thô có năng lượng cao, chùm ion flo còn có thể khắc cả SiO₂.₂Si₃Các màng mỏng N4, GaAs, W và các vật liệu khác có phản ứng hóa học, đó vừa là quá trình phản ứng vật lý, vừa là quá trình phản ứng hóa học của công nghệ khắc bằng chùm ion, tốc độ khắc nhanh. Khí ăn mòn trong phản ứng khắc là CF4₄,C₂F₆CCl4, BCl₃v.v., các chất phản ứng được tạo ra cho SiF₄SiCl₄GCl₃; và WF₆ Các khí ăn mòn được loại bỏ. Công nghệ khắc bằng chùm ion là công nghệ then chốt để sản xuất các sản phẩm công nghệ cao.

–Bài viết này được phát hành bởiNhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa