Ion beam sputtering coating နှင့် ion beam etching

1. Ion beam sputtering coating

ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ကို အလယ်အလတ်စွမ်းအင်အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းတစ်ခုဖြင့် တရစပ်ပြုလုပ်ထားပြီး အိုင်းယွန်းများ၏စွမ်းအင်သည် ပစ္စည်း၏ကြည်လင်သောရာဇမတ်ကွက်အတွင်းသို့မ၀င်ရောက်ဘဲ ပစ်မှတ်အက်တမ်များသို့ စွမ်းအင်ကိုလွှဲပြောင်းပေးကာ ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်မှထွက်ခွါသွားကာ ပါးလွှာသောဖလင်ပြားတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်မှ ထွက်လာသော sputtering ကြောင့်၊ sputtered film အလွှာအက်တမ်၏ စွမ်းအင်သည် အလွန်မြင့်မားပြီး ပစ်မှတ်ကို မြင့်မားသော လေဟာနယ်ထဲတွင် အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်ဖြင့် ရောနှောကာ၊ ဖလင်အလွှာ၏ သန့်စင်မှုသည် မြင့်မားပြီး အရည်အသွေးမြင့် ရုပ်ရှင်များကို စုဆောင်းထားနိုင်ကာ၊ အိုင်းယွန်းအလင်းတန်း၏ ဖလင်အလွှာ၏ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ ion beam sputtering ၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ ပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းများ အသစ်ဖွဲ့စည်းရန် ဖြစ်သည်။

2. Ion beam etching

Ion beam etching သည် အလယ်အလတ်စွမ်းအင် ion beam သည် ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ sputtering, etching effect, semiconductor device, optoelectronic devices နှင့် graphic core technology ထုတ်လုပ်မှု၏ အခြားနယ်ပယ်များဖြစ်သည်။ semiconductor ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များရှိ ချစ်ပ်များအတွက် ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာတွင် Φ12in (Φ304.8mm) အချင်းရှိသော single-crystal silicon wafer ပေါ်တွင် ထရန်စစ္စတာ သန်းပေါင်းများစွာကို ပြင်ဆင်မှုပါဝင်သည်။ ထရန်စစ္စတာတစ်ခုစီအား တက်ကြွသောအလွှာ၊ လျှပ်ကာအလွှာ၊ သီးခြားအလွှာနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာတို့ပါ၀င်သည့် ကွဲပြားသောလုပ်ဆောင်ချက်များဖြင့် ပါးလွှာသောဖလင်အလွှာများစွာမှ တည်ဆောက်ထားသည်။ လုပ်ဆောင်ချက်အလွှာတစ်ခုစီတွင် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်ပုံစံရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် functional film အလွှာတစ်ခုစီကိုချပြီးနောက်၊ အသုံးမဝင်သောအစိတ်အပိုင်းများကို ion beam ဖြင့်ဖယ်ထုတ်ပြီး အသုံးဝင်သောဖလင်အစိတ်အပိုင်းများကို နဂိုအတိုင်းထားရန်လိုအပ်သည်။ ယခုအချိန်တွင်၊ ချစ်ပ်၏ဝါယာကြိုးအကျယ်သည် 7 မီလီမီတာသို့ရောက်ရှိသွားကာ ထိုသို့ကောင်းမွန်သောပုံစံကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက် အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းများကို ထွင်းထုခြင်းလိုအပ်ပါသည်။ Ion beam etching သည် အစပိုင်းတွင်အသုံးပြုသော wet etching method နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက မြင့်မားသော etching တိကျမှုရှိသော dry etching method ဖြစ်သည်။

Ion beam etching နည်းပညာသည် inactive ion beam etching နှင့် active ion beam etching ဟူ၍ နှစ်မျိုးရှိသည်။ ယခင် အာဂွန် အိုင်းယွန်း အလင်းတန်း etching ဖြင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ တုံ့ပြန်မှု ၊ fluorine ion beam sputtering၊ fluorine ion beam သည် tramp ၏ အခန်းကဏ္ဍကို ထုတ်လုပ်ရန် စွမ်းအင်မြင့်မားသည့်အပြင်၊ fluorine ion beam ကိုလည်း SiO ဖြင့် ထွင်းထုနိုင်သည်။₂၊စည်₃N4၊ GaAs၊ W နှင့် အခြားသော ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များသည် ဓာတုဗေဒ တုံ့ပြန်မှု နှစ်မျိုးလုံး ရှိသည်၊ ၎င်းသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ တုံ့ပြန်မှု လုပ်ငန်းစဉ် နှစ်ခုလုံး ဖြစ်သော်လည်း အိုင်းယွန်း အလင်းတန်း ထွင်းထုခြင်း နည်းပညာ ၏ ဓာတုဗေဒ တုံ့ပြန်မှု လုပ်ငန်းစဉ် လည်းဖြစ်ပြီး ခြစ်ထုတ်မှုနှုန်း မြန်ဆန်ပါသည်။ တုံ့ပြန်မှု etching corrosive gases သည် CF ဖြစ်သည်။₄၊C₂F₆CCl4၊ Bcl₃စသည်တို့သည် SiF အတွက် ထုတ်ပေးသော ဓာတ်ပြုပစ္စည်းများ၊₄SiCl₄GCl₃; နှင့် WF₆ အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များကို ထုတ်ယူကြသည်။ Ion beam etching နည်းပညာသည် နည်းပညာမြင့်ထုတ်ကုန်များ ထုတ်လုပ်ရန် အဓိကနည်းပညာဖြစ်သည်။

- ဤဆောင်းပါးကိုထုတ်ဝေသည်။ဖုန်စုပ်စက်အလွှာထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua