熱励起化学気相成長法

一般的にCVD反応は高温を必要とするため、熱励起化学気相成長法（TCVD）と呼ばれます。通常、無機前駆体を使用し、ホットウォール型反応器とコールドウォール型反応器で行われます。加熱方法としては、高周波（RF）加熱、赤外線加熱、抵抗加熱などがあります。

ホットウォール化学気相成長法
実際、ホットウォール化学気相成長リアクターは、通常抵抗素子で加熱されるサーモスタット炉で、断続生産に使用されます。チップツールコーティング用のホットウォール化学気相成長生産設備の図を以下に示します。このホットウォール化学気相成長は、TiN、TiC、TiCNなどの薄膜をコーティングできます。リアクターは、多数のコンポーネントを収容できるほど大きく設計でき、堆積条件を非常に精密に制御できます。図1は、半導体デバイス生産のシリコンドーピング用のエピタキシャル層装置を示しています。炉内の基板は、粒子による堆積面の汚染を減らし、生産負荷を大幅に増加させるために垂直方向に配置されています。半導体生産用のホットウォールリアクターは、通常、低圧で運転されます。