Гомумән алганда, CVD реакцияләре югары температурага нигезләнә, шуңа күрә термик кузгатылган химик пар утырту (TCVD) дип атала. Ул, гадәттә, органик булмаган прекурсорларны куллана һәм кайнар стеналы һәм салкын стеналы реакторларда башкарыла. Аның җылыту ысулларына радиоешлыклы (RF) җылыту, инфракызыл нурланышлы җылыту, каршылыклы җылыту һ.б. керә.
Кайнар стенадагы химик пар утырту
Чынлыкта, кайнар стеналы химик пар урнаштыру реакторы - гадәттә өзеклекле җитештерү өчен резистив элементлар белән җылытыла торган термостатик мич. Чип кораллары белән каплау өчен кайнар стеналы химик пар урнаштыру җитештерү корылмасының рәсеме түбәндәгечә күрсәтелгән. Бу кайнар стеналы химик пар урнаштыру TiN, TiC, TiCN һәм башка юка пленкаларны капларга мөмкин. Реакторны күп санлы компонентларны сыйдырырлык зурлыкта проектларга мөмкин, һәм урнаштыру шартларын бик төгәл контрольдә тотарга мөмкин. 1 нче рәсемдә ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә кремний кушылмасы өчен эпитаксиаль катлам җайланмасы күрсәтелгән. Мичтәге субстрат вертикаль юнәлештә урнаштырыла, бу утырма өслегенең кисәкчәләр белән пычрануын киметү һәм җитештерү йөкләмәсен шактый арттыру өчен кулланыла. Ярымүткәргечләр җитештерү өчен кайнар стеналы реакторлар гадәттә түбән басымда эшли.
Бастырып чыгару вакыты: 2022 елның 8 ноябре