Ерөнхийдөө ЗСӨ-ний урвалууд нь өндөр температурт суурилдаг тул дулаанаар өдөөгдсөн химийн уурын тунадасжилт (TCVD) гэж нэрлэдэг. Энэ нь ерөнхийдөө органик бус урьдал бодисуудыг ашигладаг бөгөөд халуун ханатай болон хүйтэн ханатай реакторуудад хийгддэг. Үүний халаалтын аргуудад радио давтамжийн (RF) халаалт, хэт улаан туяаны халаалт, эсэргүүцлийн халаалт гэх мэт орно.
Халуун ханын химийн уурын тунадасжилт
Үнэндээ халуун ханын химийн уурын тунадасжуулалтын реактор нь ихэвчлэн эсэргүүцлийн элементүүдээр халаадаг, завсарлагатай үйлдвэрлэлд зориулагдсан термостатик зуух юм. Чипийн багажны бүрээсний халуун ханын химийн уурын тунадасжуулалтын үйлдвэрлэлийн байгууламжийн зургийг дараах байдлаар харуулав. Энэхүү халуун ханын химийн уурын тунадасжуулалт нь TiN, TiC, TiCN болон бусад нимгэн хальсыг бүрж чаддаг. Реакторыг хангалттай том хэмжээтэй, олон тооны бүрэлдэхүүн хэсгүүдийг багтаахаар зохион бүтээж болох бөгөөд тунадасжуулалтын нөхцлийг маш нарийн хянаж болно. Зураг 1-т хагас дамжуулагч төхөөрөмжийн үйлдвэрлэлийн цахиурын хольцын эпитаксиаль давхаргын төхөөрөмжийг харуулав. Зуухны суурь нь босоо чиглэлд байрлуулсан бөгөөд тунадасжуулалтын гадаргуугийн бохирдлыг тоосонцороор багасгаж, үйлдвэрлэлийн ачааллыг ихээхэн нэмэгдүүлдэг. Хагас дамжуулагч үйлдвэрлэлийн халуун ханын реакторуудыг ихэвчлэн бага даралттайгаар ажиллуулдаг.
Нийтэлсэн цаг: 2022 оны 11-р сарын 08