CVD-Reaktionen basieren im Allgemeinen auf hohen Temperaturen und werden daher als thermisch angeregte chemische Gasphasenabscheidung (TCVD) bezeichnet. Sie verwenden üblicherweise anorganische Vorläufer und werden in Heiß- und Kaltwandreaktoren durchgeführt. Zu den Heizmethoden gehören Hochfrequenzheizung (HF), Infrarotheizung, Widerstandsheizung usw.
Chemische Gasphasenabscheidung an heißen Wänden
Ein Heißwand-CVD-Reaktor ist ein thermostatisierter Ofen, der üblicherweise mit Heizelementen beheizt wird und für die intermittierende Produktion eingesetzt wird. Die Abbildung zeigt eine Heißwand-CVD-Anlage zur Beschichtung von Chip-Werkzeugen. Mit diesem Verfahren lassen sich TiN, TiC, TiCN und andere Dünnschichten abscheiden. Der Reaktor kann so dimensioniert werden, dass er eine große Anzahl von Bauteilen aufnehmen kann, und die Abscheidungsbedingungen lassen sich sehr präzise steuern. Abbildung 1 zeigt eine Epitaxieschichtvorrichtung zur Siliziumdotierung in der Halbleiterfertigung. Das Substrat im Ofen ist vertikal angeordnet, um die Kontamination der Abscheidungsoberfläche durch Partikel zu reduzieren und die Produktionskapazität deutlich zu erhöhen. Heißwandreaktoren für die Halbleiterfertigung werden üblicherweise bei niedrigen Drücken betrieben.
Veröffentlichungsdatum: 08.11.2022