ការបំភាយចំហាយគីមីរំភើបដោយកំដៅ

ជាទូទៅ ប្រតិកម្ម CVD ពឹងផ្អែកទៅលើសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ហេតុដូច្នេះហើយបានជាគេហៅថា Thermally excited chemical vapor deposition (TCVD)។ជាទូទៅវាប្រើសារធាតុមុនអសរីរាង្គ ហើយត្រូវបានអនុវត្តនៅក្នុងរ៉េអាក់ទ័រជញ្ជាំងក្តៅ និងជញ្ជាំងត្រជាក់។វិធីសាស្រ្តកំដៅរបស់វារួមមាន កំដៅប្រេកង់វិទ្យុ (RF) កំដៅវិទ្យុសកម្មអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ កំដៅធន់ទ្រាំ។ល។

ចំហាយគីមីនៃជញ្ជាំងក្តៅ
តាមពិតទៅ រ៉េអាក់ទ័របញ្ចេញចំហាយគីមីនៅជញ្ជាំងក្តៅ គឺជាចង្រ្កានកម្តៅ ដែលជាធម្មតាត្រូវបានកំដៅដោយធាតុទប់ទល់ សម្រាប់ការផលិតមិនទៀងទាត់។គំនូរនៃកន្លែងផលិតចំហាយគីមីនៃជញ្ជាំងក្តៅសម្រាប់ថ្នាំកូតឧបករណ៍បន្ទះសៀគ្វីត្រូវបានបង្ហាញដូចខាងក្រោម។ចំហាយ​គីមី​នៅ​ជញ្ជាំង​ក្តៅ​នេះ​អាច​ស្រោប TiN, TiC, TiCN និង​ខ្សែភាពយន្ត​ស្តើង​ផ្សេង​ទៀត​។រ៉េអាក់ទ័រអាចត្រូវបានរចនាឱ្យធំល្មម បន្ទាប់មកផ្ទុកសមាសធាតុមួយចំនួនធំ ហើយលក្ខខណ្ឌអាចត្រូវបានគ្រប់គ្រងយ៉ាងជាក់លាក់សម្រាប់ការទម្លាក់។រូបភាពទី 1 បង្ហាញពីឧបករណ៍ស្រទាប់ epitaxial សម្រាប់សារធាតុស៊ីលីកុននៃការផលិតឧបករណ៍ semiconductor ។ស្រទាប់ខាងក្រោមនៅក្នុងចង្រ្កានត្រូវបានដាក់ក្នុងទិសដៅបញ្ឈរមួយដើម្បីកាត់បន្ថយការចម្លងរោគនៃផ្ទៃដីបញ្ញើដោយភាគល្អិត និងបង្កើនការផ្ទុកផលិតកម្មយ៉ាងខ្លាំង។រ៉េអាក់ទ័រជញ្ជាំងក្តៅសម្រាប់ការផលិត semiconductor ជាធម្មតាដំណើរការនៅសម្ពាធទាប។