Как правило, реакции химического осаждения из газовой фазы (CVD) протекают при высоких температурах, поэтому их называют термически возбужденным химическим осаждением из газовой фазы (TCVD). Обычно используются неорганические прекурсоры, а процесс проводится в реакторах с горячими и холодными стенками. К методам нагрева относятся радиочастотный (РЧ) нагрев, нагрев инфракрасным излучением, резистивный нагрев и др.
Химическое осаждение из паровой фазы на горячей стенке
Фактически, реактор химического осаждения из газовой фазы с горячими стенками представляет собой термостатическую печь, обычно нагреваемую резистивными элементами, для периодического производства. На рисунке ниже показана установка для производства покрытий на инструментах методом химического осаждения из газовой фазы с горячими стенками. Этот реактор позволяет наносить тонкие пленки TiN, TiC, TiCN и других металлов. Реактор может быть спроектирован достаточно большим, чтобы вмещать большое количество компонентов, а условия осаждения можно контролировать с высокой точностью. На рисунке 1 показано устройство эпитаксиального слоя для легирования кремния при производстве полупроводниковых приборов. Подложка в печи располагается вертикально, чтобы уменьшить загрязнение поверхности осаждения частицами и значительно увеличить загрузку оборудования. Реакторы с горячими стенками для производства полупроводников обычно работают при низком давлении.
Дата публикации: 08.11.2022