Uwekaji wa mvuke wa kemikali yenye msisimko wa joto

Kwa ujumla athari za CVD hutegemea halijoto ya juu, kwa hivyo huitwa uwekaji wa mvuke wa kemikali unaosisimka kwa joto (TCVD).Kwa ujumla hutumia vianzilishi isokaboni na hutekelezwa katika vinu vya ukuta-moto na vinu vya ukuta-baridi.Njia zake za joto ni pamoja na inapokanzwa kwa mzunguko wa redio (RF), inapokanzwa mionzi ya infrared, inapokanzwa upinzani, nk.

Uwekaji wa mvuke wa kemikali ya ukuta wa moto
Kwa kweli, kiyeyeyuta cha uwekaji wa mvuke wa kemikali ya ukuta-moto ni tanuru ya joto, kwa kawaida huwashwa na vipengee vinavyokinza, kwa ajili ya uzalishaji wa vipindi.Mchoro wa kituo cha uwekaji wa mvuke wa kemikali ya ukuta-moto kwa ajili ya mipako ya zana za chip umeonyeshwa kama ifuatavyo.Uwekaji huu wa mvuke wa kemikali ya ukuta-moto unaweza kufunika TiN, TiC, TiCN na filamu nyingine nyembamba.Reactor inaweza kuundwa kwa ukubwa wa kutosha kisha kushikilia idadi kubwa ya vipengele, na masharti yanaweza kudhibitiwa kwa usahihi sana kwa utuaji.Picha ya 1 inaonyesha kifaa cha safu ya epitaxial cha doping ya silicon ya utengenezaji wa kifaa cha semiconductor.Substrate katika tanuru huwekwa kwenye mwelekeo wa wima ili kupunguza uchafuzi wa uso wa utuaji na chembe, na kuongeza sana upakiaji wa uzalishaji.Reactor za ukuta-moto kwa ajili ya uzalishaji wa semiconductor kawaida huendeshwa kwa shinikizo la chini.