（３）高周波プラズマCVD（RFCVD）RFは、容量結合法と誘導結合法の2つの異なる方法でプラズマを生成するために使用できます。RFプラズマCVDは、13.56MHzの周波数を使用します。RFプラズマの利点は、マイクロ波プラズマよりもはるかに広い領域に拡散することです。ただし、RF容量結合プラズマの制限は、特にプラズマにアルゴンが含まれている場合、プラズマの周波数がスパッタリングに最適ではないことです。容量結合プラズマは、プラズマからのイオン衝撃がダイヤモンドに重大な損傷をもたらす可能性があるため、高品質のダイヤモンド膜の成長には適していません。多結晶ダイヤモンド膜は、マイクロ波プラズマCVDに類似した堆積条件下でRF誘導プラズマを使用して成長しています。均質なエピタキシャルダイヤモンド膜も、RF誘導プラズマ強化CVDを使用して得られています。
(4) DCプラズマCVD
DCプラズマは、ダイヤモンド膜の成長のためにガス源（通常はH2と炭化水素ガスの混合物）を活性化するもう一つの方法です。DCプラズマ支援CVDは、大面積のダイヤモンド膜を成長させる能力を有し、成長面積は電極とDC電源のサイズによってのみ制限されます。DCプラズマ支援CVDのもう一つの利点は、DC注入の形成であり、このシステムで得られる典型的なダイヤモンド膜は、80 mm/hの速度で堆積されます。さらに、様々なDCアーク法は、非ダイヤモンド基板上に高品質のダイヤモンド膜を高い堆積速度で堆積できるため、ダイヤモンド膜の堆積のための市場性のある方法を提供します。
(5)電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマ化学気相成長法（ECR-MPECVD）前述のDCプラズマ、RFプラズマ、マイクロ波プラズマはいずれもH2または炭化水素を原子状水素と炭素-水素原子群に解離・分解し、ダイヤモンド薄膜の形成に寄与する。電子サイクロトロン共鳴プラズマは高密度プラズマ（>1x1011cm-3）を生成できるため、ECR-MPECVDはダイヤモンド薄膜の成長・堆積により適している。しかし、ECRプロセスではガス圧が低い（10-4～10-2 Torr）ため、ダイヤモンド薄膜の堆積速度が低くなり、現在のところ実験室でのダイヤモンド薄膜の堆積にしか適していない。
–この記事は真空コーティング機メーカーの広東振華社から発表されたものです
投稿日時: 2024年6月19日