(3) رادىئو چاستوتىلىق پلازما CVD (RFCVD)RF سىغىملىق باغلىنىش ئۇسۇلى ۋە ئىندۇكسىيەلىك باغلىنىش ئۇسۇلى قاتارلىق ئىككى خىل ئۇسۇل ئارقىلىق پلازما ھاسىل قىلىشقا بولىدۇ.RF پلازما CVD 13.56 MHz چاستوتا ئىشلىتىدۇ.RF پلازماسىنىڭ ئەۋزەللىكى شۇكى، ئۇ مىكرو دولقۇنلۇق پلازماغا قارىغاندا تېخىمۇ چوڭ دائىرىگە تارقىلىدۇ. قانداقلا بولمىسۇن، RF سىغىملىق باغلىنىشلىق پلازمانىڭ چەكلىمىسى شۇكى، پلازما چاستوتىسى پۈركۈش ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ئەمەس، بولۇپمۇ پلازمادا ئارگون بولسا. سىغىملىق باغلىنىشلىق پلازما يۇقىرى سۈپەتلىك ئالماس پەردىسىنى ئۆستۈرۈشكە ماس كەلمەيدۇ، چۈنكى پلازمادىن ئىئون بومباردىمان قىلىنىشى ئالماسقا ئېغىر زىيان سالىدۇ. كۆپ كىرىستاللىق ئالماس پەردىلىرى مىكرو دولقۇنلۇق پلازما CVD غا ئوخشاش چۆكمە شارائىتىدا RF قوزغىتىلغان پلازما ئارقىلىق ئۆستۈرۈلدى. بىر خىل ئېپىتاكسىيال ئالماس پەردىلىرىمۇ RF قوزغىتىلغان پلازما كۈچەيتىلگەن CVD ئارقىلىق قولغا كەلتۈرۈلدى.
(4) DC پلازما CVD
DC پلازما ئالماس پىلاستىنكىسىنى ئۆستۈرۈش ئۈچۈن گاز مەنبەسىنى (ئادەتتە H2 ۋە كاربون سۇ بىرىكمىسى گازى ئارىلاشمىسى) ئاكتىپلاشتۇرۇشنىڭ يەنە بىر ئۇسۇلى. DC پلازما ياردەملىك CVD ئالماس پىلاستىنكىسىنىڭ چوڭ رايونلىرىنى ئۆستۈرۈش ئىقتىدارىغا ئىگە، ئۆسۈش رايونىنىڭ چوڭلۇقى پەقەت ئېلېكترودلارنىڭ چوڭلۇقى ۋە DC توك مەنبەسى بىلەنلا چەكلىنىدۇ. DC پلازما ياردەملىك CVD نىڭ يەنە بىر ئەۋزەللىكى DC ئوكۇلىنىڭ شەكىللىنىشى بولۇپ، بۇ سىستېما ئارقىلىق ئېرىشكەن ئادەتتىكى ئالماس پىلاستىنكىلىرى 80 مىللىمېتىر/سائەت سۈرئەت بىلەن چۆكتۈرۈلىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، ھەر خىل DC قوس ئۇسۇللىرى يۇقىرى سۈپەتلىك ئالماس پىلاستىنكىلىرىنى ئالماس بولمىغان ئاساسلارغا يۇقىرى چۆكمە سۈرئىتىدە چۆكتۈرەلەيدىغان بولغاچقا، ئۇلار ئالماس پىلاستىنكىلىرىنى چۆكتۈرۈش ئۈچۈن بازارلىق ئۇسۇل بىلەن تەمىنلەيدۇ.
(5) ئېلېكترون سىكلوترون رېزونانسلىق مىكرو دولقۇنلۇق پلازما كۈچەيتىلگەن خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش (ECR-MPECVD) ئىلگىرى تەسۋىرلەنگەن DC پلازما، RF پلازما ۋە مىكرو دولقۇنلۇق پلازما H2 ياكى كاربون سۇ بىرىكمىلىرىنى ئاتوم ۋودورود ۋە كاربون-ۋودورود ئاتوم گۇرۇپپىلىرىغا ئايرىيدۇ ۋە پارچىلايدۇ، شۇنىڭ بىلەن ئالماس نېپىز پەردىلەرنىڭ شەكىللىنىشىگە تۆھپە قوشىدۇ. ئېلېكترون سىكلوترون رېزونانسلىق پلازما يۇقىرى زىچلىقتىكى پلازما (>1x1011cm-3) ھاسىل قىلالايدىغان بولغاچقا، ECR-MPECVD ئالماس پەردىلىرىنىڭ ئۆسۈشى ۋە چۆكۈشىگە تېخىمۇ ماس كېلىدۇ. قانداقلا بولمىسۇن، ECR جەريانىدا ئىشلىتىلىدىغان تۆۋەن گاز بېسىمى (10-4- دىن 10-2 Torr غىچە) سەۋەبىدىن، ئالماس پەردىلىرىنىڭ چۆكۈش نىسبىتى تۆۋەن بولغاچقا، بۇ ئۇسۇل ھازىر پەقەت تەجرىبىخانىدا ئالماس پەردىلىرىنى چۆكتۈرۈشكىلا ماس كېلىدۇ.
–بۇ ماقالە ۋاكۇئۇم قاپلاش ماشىنىسى ئىشلەپچىقارغۇچىسى گۇاڭدۇڭ جېنخۇا تەرىپىدىن تارقىتىلدى
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 6-ئاينىڭ 19-كۈنى