(3) रेडिओ फ्रिक्वेन्सी प्लाझ्मा सीव्हीडी (RFCVD) आरएफचा वापर दोन वेगवेगळ्या पद्धतींनी प्लाझ्मा तयार करण्यासाठी केला जाऊ शकतो, कपॅसिटिव्ह कपलिंग पद्धत आणि इंडक्टिव्ह कपलिंग पद्धत. आरएफ प्लाझ्मा सीव्हीडीमध्ये १३.५६ मेगाहर्ट्झची फ्रिक्वेन्सी वापरली जाते. आरएफ प्लाझ्माचा फायदा हा आहे की तो मायक्रोवेव्ह प्लाझ्मापेक्षा खूप मोठ्या क्षेत्रावर पसरतो. तथापि, आरएफ कपॅसिटिव्हली कपल्ड प्लाझ्माची मर्यादा ही आहे की प्लाझ्माची फ्रिक्वेन्सी स्पटरिंगसाठी इष्टतम नसते, विशेषतः जर प्लाझ्मामध्ये आर्गॉन असेल तर. कपॅसिटिव्हली कपल्ड प्लाझ्मा उच्च दर्जाचे डायमंड फिल्म्स वाढवण्यासाठी योग्य नाही कारण प्लाझ्मामधून होणाऱ्या आयन बॉम्बार्डमेंटमुळे डायमंडचे गंभीर नुकसान होऊ शकते. मायक्रोवेव्ह प्लाझ्मा सीव्हीडीसारख्याच डिपॉझिशन परिस्थितीत आरएफ प्रेरित प्लाझ्मा वापरून पॉलिक्रिस्टलाइन डायमंड फिल्म्स वाढवण्यात आल्या आहेत. आरएफ-प्रेरित प्लाझ्मा-वर्धित सीव्हीडी वापरून होमोजिनियस एपिटॅक्सियल डायमंड फिल्म्स देखील मिळवण्यात आल्या आहेत.
(4) डीसी प्लाझ्मा सीव्हीडी
डायमंड फिल्मच्या वाढीसाठी वायू स्रोत (सामान्यतः H2 आणि हायड्रोकार्बन वायूचे मिश्रण) सक्रिय करण्याची डीसी प्लाझ्मा ही आणखी एक पद्धत आहे. डीसी प्लाझ्मा-सहाय्यित सीव्हीडीमध्ये मोठ्या क्षेत्रावर डायमंड फिल्म्स वाढवण्याची क्षमता आहे आणि वाढीच्या क्षेत्राचा आकार केवळ इलेक्ट्रोड्सच्या आकारावर आणि डीसी पॉवर सप्लायवर अवलंबून असतो. डीसी प्लाझ्मा-सहाय्यित सीव्हीडीचा आणखी एक फायदा म्हणजे डीसी इंजेक्शनची निर्मिती, आणि या प्रणालीद्वारे मिळवलेल्या सामान्य डायमंड फिल्म्स ८० मिमी/तास या दराने जमा केल्या जातात. याव्यतिरिक्त, विविध डीसी आर्क पद्धती नॉन-डायमंड सब्सट्रेट्सवर उच्च डिपॉझिशन दराने उच्च-गुणवत्तेच्या डायमंड फिल्म्स जमा करू शकत असल्याने, त्या डायमंड फिल्म्सच्या डिपॉझिशनसाठी एक विक्रीयोग्य पद्धत प्रदान करतात.
(5) इलेक्ट्रॉन सायक्लोट्रॉन रेझोनन्स मायक्रोवेव्ह प्लाझ्मा वर्धित रासायनिक बाष्प निक्षेपण (ECR-MPECVD) पूर्वी वर्णन केलेले डीसी प्लाझ्मा, आरएफ प्लाझ्मा आणि मायक्रोवेव्ह प्लाझ्मा हे सर्व H2 किंवा हायड्रोकार्बन्सचे विघटन करून अणू हायड्रोजन आणि कार्बन-हायड्रोजन अणू गटांमध्ये रूपांतर करतात, ज्यामुळे हिऱ्याच्या पातळ थरांच्या निर्मितीस हातभार लागतो. इलेक्ट्रॉन सायक्लोट्रॉन रेझोनन्स प्लाझ्मा उच्च घनतेचा प्लाझ्मा (>1x1011cm-3) तयार करू शकत असल्यामुळे, ECR-MPECVD हिऱ्याच्या थरांच्या वाढीसाठी आणि निक्षेपणासाठी अधिक योग्य आहे. तथापि, ECR प्रक्रियेत वापरल्या जाणाऱ्या कमी वायू दाबामुळे (10-4 ते 10-2 टॉर), हिऱ्याच्या थरांचा निक्षेपण दर कमी होतो, त्यामुळे ही पद्धत सध्या केवळ प्रयोगशाळेत हिऱ्याच्या थरांच्या निक्षेपणासाठीच योग्य आहे.
–हा लेख व्हॅक्यूम कोटिंग मशीन उत्पादक ग्वांगडोंग झेनहुआ यांनी प्रसिद्ध केला आहे.
पोस्ट करण्याची वेळ: १९ जून २०२४