(3) Радиоешлык Плазма CVD (RFCVD)RF плазманы ике төрле ысул белән, сыйдырышлы тоташтыру ысулы һәм индуктив тоташтыру ысулы белән җитештерү өчен кулланылырга мөмкин.RF плазма CVD 13,56 МГц ешлык куллана.RF плазмасының өстенлеге шунда ки, ул микродулкынлы плазмага караганда күпкә зуррак мәйданга тарала. Ләкин, RF сыйдырышлы тоташкан плазманың чикләүе шунда ки, плазманың ешлыгы сиптерү өчен оптималь түгел, бигрәк тә плазмада аргон булса.Сыйдырышлы тоташкан плазма югары сыйфатлы алмаз пленкаларын үстерү өчен яраклы түгел, чөнки плазмадан ион бомбага тоту алмазга җитди зыян китерергә мөмкин. Поликристалл алмаз пленкалары микродулкынлы плазма CVDга охшаш утырту шартларында RF индукцияләнгән плазма кулланып үстерелде. Бер төрле эпитаксиаль алмаз пленкалары шулай ук RF индукцияләнгән плазма белән көчәйтелгән CVD кулланып алынды.
(4) ДС плазмасындагы йөрәк-кан тамырлары
ДС плазмасы - алмаз пленкасы үсеше өчен газ чыганагын (гадәттә H2 һәм углеводород газы катнашмасы) активлаштыруның тагын бер ысулы. ДС плазмасы ярдәмендәге CVD алмаз пленкаларының зур мәйданнарын үстерә ала, һәм үсеш мәйданының зурлыгы электродлар һәм ДС электр белән тәэмин итү зурлыгы белән генә чикләнә. ДС плазмасы ярдәмендәге CVDның тагын бер өстенлеге - ДС инъекциясен формалаштыру, һәм бу система ярдәмендә алынган типик алмаз пленкалары сәгатенә 80 мм тизлектә урнаша. Моннан тыш, төрле ДС дуга ысуллары югары сыйфатлы алмаз пленкаларын алмаз булмаган субстратларга югары утырту тизлегендә урнаштыра алганлыктан, алар алмаз пленкаларын урнаштыру өчен базарда кулланыла торган ысул тәкъдим итә.
(5) Электрон циклотрон резонансы белән микродулкынлы плазма ярдәмендә көчәйтелгән химик пар чыгару (ECR-MPECVD) Элегрәк тасвирланган даими ток плазмасы, РФ плазмасы һәм микродулкынлы плазма барысы да H2 яки углеводородларны атом водородына һәм углерод-водород атом төркемнәренә аера һәм таркаталар, шуның белән алмаз юка пленкалары барлыкка килүгә өлеш кертә. Электрон циклотрон резонансы плазмасы югары тыгызлыктагы плазма (>1x1011см-3) җитештерә алганлыктан, ECR-MPECVD алмаз пленкаларын үстерү һәм урнаштыру өчен күбрәк яраклы. Ләкин, ECR процессында кулланыла торган түбән газ басымы (10-4 - 10-2 Торр) аркасында, бу алмаз пленкаларының түбән урнаштыру тизлегенә китерә, бу ысул хәзерге вакытта алмаз пленкаларын лабораториядә урнаштыру өчен генә яраклы.
–Бу мәкалә вакуум каплау машинасы җитештерүчесе Гуандун Чжэньхуа тарафыннан бастырылган
Бастырылган вакыты: 2024 елның 19 июне