(3) Radio Frequency Plasma CVD (RFCVD) Ang RF magamit sa pagmugna og plasma pinaagi sa duha ka lain-laing pamaagi, ang capacitive coupling method ug ang inductive coupling method. Ang RF plasma CVD naggamit og frequency nga 13.56 MHz. Ang bentaha sa RF plasma mao nga kini mokatap sa mas lapad nga lugar kaysa microwave plasma. Bisan pa, ang limitasyon sa RF capacitively coupled plasma mao nga ang frequency sa plasma dili maayo alang sa sputtering, labi na kung ang plasma adunay argon. Ang capacitively coupled plasma dili angay alang sa pagpatubo og taas nga kalidad nga diamond films tungod kay ang ion bombardment gikan sa plasma mahimong mosangpot sa grabe nga kadaot sa diamante. Ang mga polycrystalline diamond films gipatubo gamit ang RF induced plasma ubos sa mga kondisyon sa deposition nga susama sa microwave plasma CVD. Ang homogenous epitaxial diamond films nakuha usab gamit ang RF-induced plasma-enhanced CVD.
(4) DC Plasma CVD
Ang DC plasma laing pamaagi sa pag-activate sa tinubdan sa gas (kasagaran usa ka sagol nga H2, ug hydrocarbon gas) para sa pagtubo sa diamond film. Ang DC plasma-assisted CVD adunay abilidad sa pagpatubo og dagkong mga lugar sa diamond film, ug ang gidak-on sa lugar sa pagtubo limitado lamang sa gidak-on sa mga electrodes ug sa DC power supply. Laing bentaha sa DC plasma-assisted CVD mao ang pagporma og DC injection, ug ang tipikal nga diamond films nga makuha niini nga sistema gideposito sa rate nga 80 mm/h. Dugang pa, tungod kay ang lainlaing mga pamaagi sa DC arc mahimong magdeposito og taas nga kalidad nga diamond films sa mga non-diamond substrates sa taas nga deposition rates, kini naghatag og usa ka marketable nga pamaagi para sa deposition sa diamond films.
(5) Electron cyclotron resonance microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-MPECVD) Ang DC plasma, RF plasma, ug microwave plasma nga gihulagway ganina tanan nagbulag ug nagdugmok sa H2, o hydrocarbons, ngadto sa atomic hydrogen ug carbon-hydrogen atom groups, sa ingon nakatampo sa pagporma sa diamond thin films. Tungod kay ang electron cyclotron resonance plasma makahimo og high density plasma (>1x1011cm-3), ang ECR-MPECVD mas angay alang sa pagtubo ug pagdeposito sa diamond films. Bisan pa, tungod sa ubos nga gas pressure (10-4- hangtod 10-2 Torr) nga gigamit sa proseso sa ECR, nga miresulta sa ubos nga deposition rate sa diamond films, ang pamaagi sa pagkakaron angay lamang alang sa pagdeposito sa diamond films sa laboratoryo.
–Kini nga artikulo gipagawas sa tiggama og vacuum coating machine nga Guangdong Zhenhua
Oras sa pag-post: Hunyo-19-2024