1. Die ionenstrahlunterstützte Abscheidungstechnologie zeichnet sich durch eine starke Haftung zwischen Membran und Substrat aus, wodurch die Membranschicht sehr stark wird. Experimente zeigen, dass die Haftung bei der ionenstrahlunterstützten Abscheidung im Vergleich zur thermischen Gasphasenabscheidung um ein Vielfaches bis Hundertfaches zunimmt. Der Grund liegt hauptsächlich im Reinigungseffekt des Ionenbeschusses auf der Oberfläche, wodurch an der Membranbasis-Grenzfläche eine Gradienten-Grenzflächenstruktur oder hybride Übergangsschicht entsteht und die Membranspannung reduziert wird.
2. Ionenstrahlunterstützte Abscheidung kann die mechanischen Eigenschaften des Films verbessern und die Lebensdauer verlängern. Sie eignet sich sehr gut zur Herstellung von Oxiden, Carbiden, kubischem BN, TiB2 und diamantähnlichen Beschichtungen. Beispielsweise kann bei hitzebeständigem 1Cr18Ni9Ti-Stahl durch die Verwendung ionenstrahlunterstützter Abscheidungstechnologie ein 200 nm dicker Si3N4-Film gezüchtet werden. Dies kann nicht nur die Entstehung von Ermüdungsrissen an der Oberfläche des Materials verhindern, sondern auch die Ermüdungsrissdiffusionsrate deutlich reduzieren und so die Lebensdauer verlängern.
3. Ionenstrahlunterstützte Abscheidung kann die Spannungseigenschaften des Films und seine Kristallstruktur verändern. Beispielsweise wurde bei der Herstellung eines Cr-Films durch 11,5 keV Xe+- oder Ar+-Beschuss der Substratoberfläche festgestellt, dass durch die Anpassung der Substrattemperatur, der Ionenbeschussenergie sowie des Ionen-Atom-Verhältnisses die Spannung von Zugspannung zu Druckspannung verändert werden kann. Auch die Kristallstruktur des Films verändert sich. Unter einem bestimmten Ionen-Atom-Ankunftsverhältnis weist die ionenstrahlunterstützte Abscheidung eine bessere selektive Orientierung auf als die durch thermische Gasphasenabscheidung abgeschiedene Membranschicht.
4. Die ionenstrahlunterstützte Abscheidung kann die Korrosions- und Oxidationsbeständigkeit der Membran verbessern. Durch die Dichte der ionenstrahlunterstützten Abscheidung der Filmschicht verbessert sich die Grenzflächenstruktur der Filmbasis oder es entsteht ein amorpher Zustand durch das Verschwinden der Korngrenzen zwischen den Partikeln. Dies trägt zur Verbesserung der Korrosionsbeständigkeit des Materials bei und widersteht der Oxidation bei hohen Temperaturen.
5. Durch ionenstrahlunterstützte Abscheidung können die elektromagnetischen Eigenschaften des Films verändert und die Leistung optischer Dünnfilme verbessert werden.
6. Die ionenunterstützte Abscheidung ermöglicht eine präzise und unabhängige Einstellung der Parameter der Atomabscheidung und Ionenimplantation und ermöglicht die sukzessive Erzeugung von Beschichtungen von wenigen Mikrometern mit gleichbleibender Zusammensetzung bei niedriger Beschussenergie, sodass verschiedene Dünnschichten bei Raumtemperatur aufgewachsen werden können und die nachteiligen Auswirkungen auf Materialien oder Präzisionsteile vermieden werden, die durch die Behandlung bei erhöhten Temperaturen verursacht werden können.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsanlagenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungszeit: 24. Januar 2024