1. Công nghệ lắng đọng hỗ trợ chùm ion có đặc điểm là độ bám dính mạnh giữa màng và chất nền, lớp màng rất bền. Các thí nghiệm cho thấy: độ bám dính của lắng đọng hỗ trợ chùm ion cao hơn độ bám dính của lắng đọng hơi nhiệt gấp nhiều lần đến hàng trăm lần, lý do chủ yếu là do sự bắn phá ion trên bề mặt có hiệu ứng làm sạch, do đó giao diện đế màng hình thành cấu trúc giao diện gradient hoặc lớp chuyển tiếp lai, cũng như giảm ứng suất màng.
2. Lắng đọng chùm ion có thể cải thiện tính chất cơ học của màng, kéo dài tuổi thọ mỏi, rất thích hợp cho việc chế tạo lớp phủ oxit, cacbua, BN khối, TiB2 và kim cương. Ví dụ, trong thép chịu nhiệt 1Cr18Ni9Ti khi sử dụng công nghệ lắng đọng chùm ion để phát triển màng Si3N4 200nm, không chỉ có thể ức chế sự xuất hiện của vết nứt mỏi trên bề mặt vật liệu mà còn làm giảm đáng kể tốc độ khuếch tán vết nứt mỏi, kéo dài tuổi thọ của nó có tác dụng tốt.
3. Lắng đọng hỗ trợ chùm ion có thể thay đổi bản chất ứng suất của màng và thay đổi cấu trúc tinh thể của nó. Ví dụ, việc chuẩn bị màng Cr bằng cách bắn phá bề mặt chất nền Xe + hoặc Ar + 11,5keV, thấy rằng việc điều chỉnh nhiệt độ chất nền, năng lượng ion bắn phá, ion và nguyên tử để đạt được tỷ lệ các thông số, có thể làm cho ứng suất từ ứng suất kéo sang ứng suất nén, cấu trúc tinh thể của màng cũng sẽ tạo ra những thay đổi. Dưới một tỷ lệ đến ion-nguyên tử nhất định, lắng đọng hỗ trợ chùm ion có định hướng chọn lọc tốt hơn so với lớp màng được lắng đọng bằng lắng đọng hơi nhiệt.
4. Quá trình lắng đọng hỗ trợ chùm ion có thể tăng cường khả năng chống ăn mòn và chống oxy hóa của màng. Do mật độ lắng đọng hỗ trợ chùm ion của lớp màng, cấu trúc giao diện nền màng được cải thiện hoặc hình thành trạng thái vô định hình do sự biến mất của ranh giới hạt giữa các hạt, có lợi cho việc tăng cường khả năng chống ăn mòn của vật liệu và chống oxy hóa ở nhiệt độ cao.
5. Quá trình lắng đọng hỗ trợ chùm ion có thể thay đổi các tính chất điện từ của màng và cải thiện hiệu suất của màng mỏng quang học.
6. Lắng đọng hỗ trợ ion cho phép điều chỉnh chính xác và độc lập các thông số liên quan đến lắng đọng nguyên tử và cấy ion, và cho phép tạo ra các lớp phủ liên tiếp có độ dày vài micromet với thành phần đồng nhất ở năng lượng bắn phá thấp, do đó có thể phát triển nhiều màng mỏng khác nhau ở nhiệt độ phòng, tránh các tác động bất lợi có thể xảy ra đối với vật liệu hoặc các bộ phận chính xác khi xử lý chúng ở nhiệt độ cao.
– Bài viết này được phát hành bởinhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng: 24-01-2024