Công nghệ phủ CVD có những đặc điểm sau:
1. Quy trình vận hành của thiết bị CVD tương đối đơn giản và linh hoạt, có thể chế tạo màng đơn hoặc màng hợp kim với tỷ lệ khác nhau;
2. Lớp phủ CVD có phạm vi ứng dụng rộng rãi, có thể dùng để chế tạo nhiều loại lớp phủ kim loại hoặc màng kim loại;
3. Hiệu suất sản xuất cao do tốc độ lắng đọng dao động từ vài micron đến hàng trăm micron mỗi phút;
4. So với phương pháp PVD, CVD có hiệu suất nhiễu xạ tốt hơn và rất phù hợp để phủ các chất nền có hình dạng phức tạp, chẳng hạn như rãnh, lỗ phủ và thậm chí là cấu trúc lỗ mù. Lớp phủ có thể được mạ thành màng có độ chặt tốt. Do nhiệt độ cao trong quá trình tạo màng và độ bám dính mạnh trên giao diện chất nền màng, lớp màng rất chắc chắn
5. Thiệt hại do bức xạ gây ra tương đối thấp và có thể tích hợp với quy trình mạch tích hợp MOS.
——Bài viết này được xuất bản bởi Guangdong Zhenhua, mộtnhà sản xuất máy phủ chân không
Thời gian đăng: 29-03-2023