ویکیوم میگنیٹران سپٹرنگ کوٹنگ کے سامان کی تکنیکی خصوصیات

ویکیوم میگنیٹران سپٹرنگ خاص طور پر ری ایکٹیو ڈیپوزیشن کوٹنگز کے لیے موزوں ہے۔درحقیقت، یہ عمل کسی بھی آکسائیڈ، کاربائیڈ اور نائٹرائیڈ مواد کی پتلی فلمیں جمع کر سکتا ہے۔اس کے علاوہ، یہ عمل کثیر سطحی فلمی ڈھانچے کے جمع کرنے کے لیے بھی خاص طور پر موزوں ہے، جس میں آپٹیکل ڈیزائن، رنگین فلمیں، لباس مزاحم کوٹنگز، نینو لیمینیٹ، سپر لیٹیس کوٹنگز، موصل فلمیں وغیرہ شامل ہیں۔ 1970 کے اوائل میں، اعلیٰ معیار کی آپٹیکل فلمیں آپٹیکل فلم پرت کے مواد کی ایک قسم کے لیے جمع کرنے کی مثالیں تیار کی گئی ہیں۔ان مواد میں شفاف کوندکٹو مواد، سیمی کنڈکٹرز، پولیمر، آکسائیڈز، کاربائیڈز اور نائٹرائڈز شامل ہیں، جب کہ فلورائیڈز کو بخارات کی کوٹنگ جیسے عمل میں استعمال کیا جاتا ہے۔

میگنیٹران سپٹرنگ کے عمل کا بنیادی فائدہ ان مواد کی تہوں کو جمع کرنے کے لیے رد عمل یا غیر رد عمل کوٹنگ کے عمل کا استعمال کرنا ہے اور تہہ کی ساخت، فلم کی موٹائی، فلم کی موٹائی کی یکسانیت اور پرت کی مکینیکل خصوصیات کو اچھی طرح سے کنٹرول کرنا ہے۔اس عمل میں درج ذیل خصوصیات ہیں۔

1، بڑی جمع کی شرح.تیز رفتار میگنیٹرون الیکٹروڈ کے استعمال کی وجہ سے، ایک بڑا آئن بہاؤ حاصل کیا جا سکتا ہے، اس کوٹنگ کے عمل کے جمع ہونے کی شرح اور اسپٹرنگ کی شرح کو مؤثر طریقے سے بہتر بناتا ہے۔دیگر سپٹرنگ کوٹنگ کے عمل کے مقابلے میں، میگنیٹران سپٹرنگ کی اعلی صلاحیت اور اعلی پیداوار ہے، اور یہ مختلف صنعتی پیداوار میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتا ہے۔

2، اعلی طاقت کی کارکردگی.Magnetron sputtering ہدف عام طور پر 200V-1000V کی حد کے اندر وولٹیج کا انتخاب کرتا ہے، عام طور پر 600V ہوتا ہے، کیونکہ 600V کا وولٹیج صرف بجلی کی کارکردگی کی اعلی ترین حد کے اندر ہوتا ہے۔

3. کم تھوکنے والی توانائی۔میگنیٹرون ٹارگٹ وولٹیج کم لاگو ہوتا ہے، اور مقناطیسی میدان پلازما کو کیتھوڈ کے قریب محدود کر دیتا ہے، جو زیادہ توانائی سے چارج شدہ ذرات کو سبسٹریٹ پر آنے سے روکتا ہے۔

4، کم سبسٹریٹ درجہ حرارت۔انوڈ کو خارج ہونے کے دوران پیدا ہونے والے الیکٹرانوں کی رہنمائی کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے، اسے مکمل کرنے کے لیے سبسٹریٹ سپورٹ کی ضرورت نہیں ہے، جو سبسٹریٹ کے الیکٹران کی بمباری کو مؤثر طریقے سے کم کر سکتا ہے۔اس طرح سبسٹریٹ کا درجہ حرارت کم ہے، جو کچھ پلاسٹک کے ذیلی ذخیروں کے لیے بہت مثالی ہے جو زیادہ درجہ حرارت کی کوٹنگ کے لیے زیادہ مزاحم نہیں ہیں۔

5, Magnetron sputtering ہدف کی سطح اینچنگ یکساں نہیں ہے.Magnetron sputtering ہدف کی سطح کی اینچنگ ناہموار ہدف کے غیر مساوی مقناطیسی میدان کی وجہ سے ہوتی ہے۔ٹارگٹ اینچنگ ریٹ کا محل وقوع بڑا ہے، تاکہ ہدف کے استعمال کی مؤثر شرح کم ہو (صرف 20-30% استعمال کی شرح)۔لہذا، ہدف کے استعمال کو بہتر بنانے کے لیے، مقناطیسی میدان کی تقسیم کو بعض ذرائع سے تبدیل کرنے کی ضرورت ہے، یا کیتھوڈ میں حرکت کرنے والے میگنےٹ کا استعمال ہدف کے استعمال کو بھی بہتر بنا سکتا ہے۔

6، جامع ہدف۔جامع ہدف کوٹنگ مصر دات فلم بنا سکتے ہیں ۔فی الحال، جامع میگنیٹران ٹارگٹ سپٹرنگ کے عمل کا استعمال Ta-Ti الائے، (Tb-Dy)-Fe اور Gb-Co الائے فلم پر کامیابی کے ساتھ کوٹ دیا گیا ہے۔جامع ہدف کی ساخت میں بالترتیب چار قسمیں ہیں، گول جڑے ہوئے ہدف، مربع جڑے ہوئے ہدف، چھوٹے مربع جڑے ہوئے ہدف اور سیکٹر میں جڑے ہوئے ہدف ہیں۔سیکٹر انلیڈ ٹارگٹ سٹرکچر کا استعمال بہتر ہے۔

7. ایپلی کیشنز کی وسیع رینج۔میگنیٹران سپٹرنگ عمل بہت سے عناصر کو جمع کر سکتا ہے، عام ہیں: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti ، Zr، SiO، AlO، GaAs، U، W، SnO، وغیرہ۔

اعلی معیار کی فلمیں حاصل کرنے کے لیے میگنیٹران سپٹرنگ سب سے زیادہ استعمال ہونے والے کوٹنگ کے عمل میں سے ایک ہے۔ایک نئے کیتھوڈ کے ساتھ، اس میں زیادہ ہدف کا استعمال اور جمع کرنے کی اعلی شرح ہے۔Guangdong Zhenhua ٹیکنالوجی ویکیوم magnetron sputtering کوٹنگ کے عمل کو اب بڑے پیمانے پر بڑے علاقے کے سبسٹریٹس کی کوٹنگ میں استعمال کیا جاتا ہے۔یہ عمل نہ صرف سنگل لیئر فلم ڈپوزیشن کے لیے استعمال کیا جاتا ہے بلکہ ملٹی لیئر فلم کوٹنگ کے لیے بھی استعمال کیا جاتا ہے، اس کے علاوہ، یہ پیکیجنگ فلم، آپٹیکل فلم، لیمینیشن اور دیگر فلمی کوٹنگ کے لیے رول ٹو رول کے عمل میں بھی استعمال ہوتا ہے۔