વેક્યુમ મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ કોટિંગ સાધનોની તકનીકી લાક્ષણિકતાઓ

વેક્યુમ મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ ખાસ કરીને પ્રતિક્રિયાશીલ ડિપોઝિશન કોટિંગ્સ માટે યોગ્ય છે.હકીકતમાં, આ પ્રક્રિયા કોઈપણ ઓક્સાઈડ, કાર્બાઈડ અને નાઈટ્રાઈડ સામગ્રીની પાતળી ફિલ્મો જમા કરી શકે છે.વધુમાં, પ્રક્રિયા ઓપ્ટિકલ ડિઝાઇન્સ, કલર ફિલ્મો, વસ્ત્રો-પ્રતિરોધક કોટિંગ્સ, નેનો-લેમિનેટ્સ, સુપરલેટીસ કોટિંગ્સ, ઇન્સ્યુલેટિંગ ફિલ્મો વગેરે સહિત બહુસ્તરીય ફિલ્મ સ્ટ્રક્ચર્સ માટે પણ ખાસ કરીને યોગ્ય છે. 1970ની શરૂઆતમાં, ઉચ્ચ ગુણવત્તાની ઓપ્ટિકલ ફિલ્મ વિવિધ ઓપ્ટિકલ ફિલ્મ લેયર મટિરિયલ્સ માટે ડિપોઝિશન ઉદાહરણો વિકસાવવામાં આવ્યા છે.આ સામગ્રીઓમાં પારદર્શક વાહક સામગ્રી, સેમિકન્ડક્ટર, પોલિમર, ઓક્સાઇડ, કાર્બાઇડ અને નાઇટ્રાઇડ્સનો સમાવેશ થાય છે, જ્યારે ફ્લોરાઇડનો ઉપયોગ બાષ્પીભવન કોટિંગ જેવી પ્રક્રિયાઓમાં થાય છે.

મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગ પ્રક્રિયાનો મુખ્ય ફાયદો એ છે કે આ સામગ્રીના સ્તરો જમા કરવા માટે પ્રતિક્રિયાશીલ અથવા બિન-પ્રતિક્રિયાશીલ કોટિંગ પ્રક્રિયાઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે અને સ્તરની રચના, ફિલ્મની જાડાઈ, ફિલ્મની જાડાઈ એકરૂપતા અને સ્તરના યાંત્રિક ગુણધર્મોને સારી રીતે નિયંત્રિત કરવામાં આવે છે.પ્રક્રિયામાં નીચે મુજબની લાક્ષણિકતાઓ છે.

1,મોટો ડિપોઝિશન રેટ.હાઇ-સ્પીડ મેગ્નેટ્રોન ઇલેક્ટ્રોડ્સના ઉપયોગને કારણે, આ કોટિંગ પ્રક્રિયાના ડિપોઝિશન રેટ અને સ્પુટરિંગ રેટને અસરકારક રીતે સુધારીને, મોટા આયન પ્રવાહ મેળવી શકાય છે.અન્ય સ્પટરિંગ કોટિંગ પ્રક્રિયાઓની તુલનામાં, મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગની ઉચ્ચ ક્ષમતા અને ઉચ્ચ ઉપજ છે, અને તેનો ઉપયોગ વિવિધ ઔદ્યોગિક ઉત્પાદનમાં વ્યાપકપણે થાય છે.

2, ઉચ્ચ શક્તિ કાર્યક્ષમતા.મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગ ટાર્ગેટ સામાન્ય રીતે 200V-1000V ની રેન્જમાં વોલ્ટેજ પસંદ કરે છે, સામાન્ય રીતે 600V હોય છે, કારણ કે 600V નો વોલ્ટેજ પાવર કાર્યક્ષમતાની સૌથી વધુ અસરકારક શ્રેણીની અંદર હોય છે.

3. ઓછી સ્પુટરિંગ ઊર્જા.મેગ્નેટ્રોન લક્ષ્ય વોલ્ટેજ નીચું લાગુ પડે છે, અને ચુંબકીય ક્ષેત્ર પ્લાઝ્માને કેથોડની નજીક સીમિત કરે છે, જે ઉચ્ચ ઉર્જા ચાર્જ કણોને સબસ્ટ્રેટ પર પ્રક્ષેપિત થતા અટકાવે છે.

4, નીચા સબસ્ટ્રેટ તાપમાન.એનોડનો ઉપયોગ ડિસ્ચાર્જ દરમિયાન ઉત્પન્ન થતા ઇલેક્ટ્રોનને દૂર કરવા માટે કરી શકાય છે, તેને પૂર્ણ કરવા માટે સબસ્ટ્રેટ સપોર્ટની જરૂર નથી, જે સબસ્ટ્રેટના ઇલેક્ટ્રોન બોમ્બમાળાને અસરકારક રીતે ઘટાડી શકે છે.આમ સબસ્ટ્રેટનું તાપમાન નીચું છે, જે કેટલાક પ્લાસ્ટિક સબસ્ટ્રેટ માટે ખૂબ જ આદર્શ છે જે ઉચ્ચ તાપમાનના કોટિંગ માટે ખૂબ પ્રતિરોધક નથી.

5, મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગ ટાર્ગેટ સરફેસ એચિંગ એકસમાન નથી.લક્ષ્યના અસમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રને કારણે મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગ ટાર્ગેટ સરફેસ એચિંગ અસમાન થાય છે.લક્ષ્ય એચીંગ રેટનું સ્થાન મોટું છે, જેથી લક્ષ્યનો અસરકારક ઉપયોગ દર ઓછો છે (માત્ર 20-30% ઉપયોગ દર).તેથી, લક્ષ્ય ઉપયોગને સુધારવા માટે, ચુંબકીય ક્ષેત્રના વિતરણને ચોક્કસ માધ્યમો દ્વારા બદલવાની જરૂર છે, અથવા કેથોડમાં ફરતા ચુંબકનો ઉપયોગ પણ લક્ષ્ય ઉપયોગને સુધારી શકે છે.

6, સંયુક્ત લક્ષ્ય.સંયુક્ત લક્ષ્ય કોટિંગ એલોય ફિલ્મ બનાવી શકે છે.હાલમાં, સંયુક્ત મેગ્નેટ્રોન ટાર્ગેટ સ્પુટરિંગ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ Ta-Ti એલોય, (Tb-Dy)-Fe અને Gb-Co એલોય ફિલ્મ પર સફળતાપૂર્વક કોટેડ કરવામાં આવ્યો છે.સંયુક્ત લક્ષ્ય માળખું અનુક્રમે ચાર પ્રકારના હોય છે, રાઉન્ડ ઇનલેઇડ લક્ષ્ય, ચોરસ ઇનલેઇડ લક્ષ્ય, નાના ચોરસ ઇનલેઇડ લક્ષ્ય અને સેક્ટર ઇનલેઇડ લક્ષ્ય છે.સેક્ટર ઇનલેઇડ ટાર્ગેટ સ્ટ્રક્ચરનો ઉપયોગ વધુ સારો છે.

7. એપ્લિકેશન્સની વિશાળ શ્રેણી.મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગ પ્રક્રિયા ઘણા તત્વો જમા કરી શકે છે, સામાન્ય છે: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti , Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO, વગેરે.

ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળી ફિલ્મો મેળવવા માટે મેગ્નેટ્રોન સ્પટરિંગ એ સૌથી વધુ ઉપયોગમાં લેવાતી કોટિંગ પ્રક્રિયાઓમાંની એક છે.નવા કેથોડ સાથે, તે ઉચ્ચ લક્ષ્ય ઉપયોગ અને ઉચ્ચ જમા દર ધરાવે છે.ગુઆંગડોંગ ઝેન્હુઆ ટેકનોલોજી વેક્યૂમ મેગ્નેટ્રોન સ્પુટરિંગ કોટિંગ પ્રક્રિયા હવે મોટા વિસ્તારના સબસ્ટ્રેટના કોટિંગમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.આ પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ માત્ર સિંગલ-લેયર ફિલ્મ ડિપોઝિશન માટે જ થતો નથી, પરંતુ મલ્ટિ-લેયર ફિલ્મ કોટિંગ માટે પણ વપરાય છે, વધુમાં, તેનો ઉપયોગ પેકેજિંગ ફિલ્મ, ઓપ્ટિકલ ફિલ્મ, લેમિનેશન અને અન્ય ફિલ્મ કોટિંગ માટે રોલ ટુ રોલ પ્રક્રિયામાં પણ થાય છે.