Vakum manyetik püskürtme yöntemi, özellikle reaktif kaplamalar için uygundur. Aslında, bu işlem herhangi bir oksit, karbür ve nitrür malzemenin ince filmlerini kaplayabilir. Ayrıca, optik tasarımlar, renkli filmler, aşınmaya dayanıklı kaplamalar, nano laminatlar, süper kafes kaplamalar, yalıtım filmleri vb. dahil olmak üzere çok katmanlı film yapılarının kaplanması için de özellikle uygundur. 1970'lerden itibaren, çeşitli optik film tabakası malzemeleri için yüksek kaliteli optik film kaplama örnekleri geliştirilmiştir. Bu malzemeler arasında şeffaf iletken malzemeler, yarı iletkenler, polimerler, oksitler, karbürler ve nitrürler bulunurken, florürler buharlaştırmalı kaplama gibi işlemlerde kullanılır.
Manyetik püskürtme işleminin temel avantajı, bu malzemelerin katmanlarını biriktirmek için reaktif veya reaktif olmayan kaplama işlemlerinin kullanılması ve katman bileşiminin, film kalınlığının, film kalınlığı homojenliğinin ve katmanın mekanik özelliklerinin iyi bir şekilde kontrol edilebilmesidir. İşlemin özellikleri aşağıdaki gibidir.
1. Yüksek kaplama hızı. Yüksek hızlı manyetron elektrotların kullanımı sayesinde, büyük bir iyon akışı elde edilebilir ve bu da kaplama işleminin kaplama hızını ve püskürtme hızını etkili bir şekilde artırır. Diğer püskürtme kaplama işlemlerine kıyasla, manyetron püskürtme yüksek kapasiteye ve yüksek verime sahiptir ve çeşitli endüstriyel üretimde yaygın olarak kullanılmaktadır.
2. Yüksek güç verimliliği. Manyetik püskürtme hedefi genellikle 200V-1000V aralığında, genellikle 600V olarak seçilir, çünkü 600V voltaj, güç verimliliğinin en yüksek etkili aralığı içindedir.
3. Düşük püskürtme enerjisi. Magnetron hedef voltajı düşük uygulanır ve manyetik alan plazmayı katot yakınında hapseder; bu da daha yüksek enerjili yüklü parçacıkların alt tabakaya fırlatılmasını önler.
4. Düşük alt tabaka sıcaklığı. Anot, deşarj sırasında oluşan elektronları uzaklaştırmak için kullanılabilir; alt tabaka desteğine gerek yoktur, bu da alt tabakanın elektron bombardımanını etkili bir şekilde azaltabilir. Bu nedenle alt tabaka sıcaklığı düşüktür, bu da yüksek sıcaklık kaplamasına çok dayanıklı olmayan bazı plastik alt tabakalar için çok idealdir.
5. Manyetik püskürtme hedef yüzeyinin aşındırılması düzgün değildir. Manyetik püskürtme hedef yüzeyinin aşındırılmasındaki düzensizlik, hedefin manyetik alanının düzensizliğinden kaynaklanır. Hedef aşındırma oranının daha yüksek olduğu yerlerde, hedefin etkin kullanım oranı düşüktür (sadece %20-30 kullanım oranı). Bu nedenle, hedef kullanımını iyileştirmek için manyetik alan dağılımının belirli yöntemlerle değiştirilmesi veya katotta hareket eden mıknatısların kullanılması da hedef kullanımını iyileştirebilir.
6. Kompozit hedef. Kompozit hedef kaplama alaşım filmi yapılabilir. Şu anda, kompozit manyetron hedef püskürtme işlemi kullanılarak Ta-Ti alaşımı, (Tb-Dy)-Fe ve Gb-Co alaşımı filmlerine başarılı bir şekilde kaplama yapılmıştır. Kompozit hedef yapısı dört çeşittir: yuvarlak gömme hedef, kare gömme hedef, küçük kare gömme hedef ve sektör gömme hedef. Sektör gömme hedef yapısının kullanımı daha iyidir.
7. Geniş uygulama yelpazesi. Manyetik püskürtme işlemi birçok elementi biriktirebilir; yaygın olanları şunlardır: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti, Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO, vb.
Manyetik püskürtme, yüksek kaliteli filmler elde etmek için en yaygın kullanılan kaplama işlemlerinden biridir. Yeni bir katot ile yüksek hedef kullanım oranına ve yüksek biriktirme hızına sahiptir. Guangdong Zhenhua Teknoloji vakum manyetik püskürtme kaplama işlemi, günümüzde geniş alanlı alt tabakaların kaplanmasında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu işlem sadece tek katmanlı film biriktirme için değil, çok katmanlı film kaplama için de kullanılmaktadır; ayrıca ambalaj filmi, optik film, laminasyon ve diğer film kaplamaları için rulo-rulo işleminde de kullanılmaktadır.
Yayın tarihi: 07.11.2022