వాక్యూమ్ మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ పూత పరికరాల సాంకేతిక లక్షణాలు

రియాక్టివ్ డిపాజిషన్ పూతలకు వాక్యూమ్ మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ ప్రత్యేకంగా సరిపోతుంది.వాస్తవానికి, ఈ ప్రక్రియ ఏదైనా ఆక్సైడ్, కార్బైడ్ మరియు నైట్రైడ్ పదార్థాల యొక్క సన్నని చలనచిత్రాలను డిపాజిట్ చేయగలదు.అదనంగా, ఆప్టికల్ డిజైన్‌లు, కలర్ ఫిల్మ్‌లు, వేర్-రెసిస్టెంట్ కోటింగ్‌లు, నానో-లామినేట్‌లు, సూపర్‌లాటిస్ కోటింగ్‌లు, ఇన్సులేటింగ్ ఫిల్మ్‌లు మొదలైన మల్టీలేయర్ ఫిల్మ్ స్ట్రక్చర్‌ల నిక్షేపణకు కూడా ఈ ప్రక్రియ ప్రత్యేకంగా అనుకూలంగా ఉంటుంది. 1970లోనే, అధిక నాణ్యత గల ఆప్టికల్ ఫిల్మ్ వివిధ రకాల ఆప్టికల్ ఫిల్మ్ లేయర్ మెటీరియల్స్ కోసం నిక్షేపణ ఉదాహరణలు అభివృద్ధి చేయబడ్డాయి.ఈ పదార్ధాలలో పారదర్శక వాహక పదార్థాలు, సెమీకండక్టర్లు, పాలిమర్‌లు, ఆక్సైడ్‌లు, కార్బైడ్‌లు మరియు నైట్రైడ్‌లు ఉంటాయి, అయితే ఫ్లోరైడ్‌లు బాష్పీభవన పూత వంటి ప్రక్రియలలో ఉపయోగించబడతాయి.

మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ ప్రక్రియ యొక్క ప్రధాన ప్రయోజనం ఏమిటంటే, ఈ పదార్థాల పొరలను డిపాజిట్ చేయడానికి రియాక్టివ్ లేదా నాన్-రియాక్టివ్ పూత ప్రక్రియలను ఉపయోగించడం మరియు పొర కూర్పు, ఫిల్మ్ మందం, ఫిల్మ్ మందం ఏకరూపత మరియు పొర యొక్క యాంత్రిక లక్షణాలను బాగా నియంత్రించడం.ప్రక్రియ క్రింది లక్షణాలను కలిగి ఉంది.

1, పెద్ద నిక్షేపణ రేటు.హై-స్పీడ్ మాగ్నెట్రాన్ ఎలక్ట్రోడ్‌ల ఉపయోగం కారణంగా, పెద్ద అయాన్ ప్రవాహాన్ని పొందవచ్చు, ఈ పూత ప్రక్రియ యొక్క నిక్షేపణ రేటు మరియు స్పుట్టరింగ్ రేటును సమర్థవంతంగా మెరుగుపరుస్తుంది.ఇతర స్పుట్టరింగ్ పూత ప్రక్రియలతో పోలిస్తే, మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ అధిక సామర్థ్యం మరియు అధిక దిగుబడిని కలిగి ఉంటుంది మరియు వివిధ పారిశ్రామిక ఉత్పత్తిలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.

2, అధిక శక్తి సామర్థ్యం.మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ లక్ష్యం సాధారణంగా 200V-1000V పరిధిలో వోల్టేజ్‌ని ఎంచుకుంటుంది, సాధారణంగా 600V, ఎందుకంటే 600V యొక్క వోల్టేజ్ శక్తి సామర్థ్యం యొక్క అత్యధిక ప్రభావ పరిధిలో ఉంటుంది.

3. తక్కువ sputtering శక్తి.మాగ్నెట్రాన్ టార్గెట్ వోల్టేజ్ తక్కువగా వర్తించబడుతుంది మరియు అయస్కాంత క్షేత్రం ప్లాస్మాను కాథోడ్ దగ్గర పరిమితం చేస్తుంది, ఇది అధిక శక్తి చార్జ్ చేయబడిన కణాలను ఉపరితలంపైకి రాకుండా చేస్తుంది.

4, తక్కువ ఉపరితల ఉష్ణోగ్రత.ఉత్సర్గ సమయంలో ఉత్పన్నమయ్యే ఎలక్ట్రాన్‌లను దూరంగా మార్గనిర్దేశం చేయడానికి యానోడ్‌ను ఉపయోగించవచ్చు, పూర్తి చేయడానికి సబ్‌స్ట్రేట్ మద్దతు అవసరం లేదు, ఇది సబ్‌స్ట్రేట్ యొక్క ఎలక్ట్రాన్ బాంబు దాడిని సమర్థవంతంగా తగ్గిస్తుంది.అందువల్ల ఉపరితల ఉష్ణోగ్రత తక్కువగా ఉంటుంది, ఇది అధిక ఉష్ణోగ్రత పూతకు చాలా నిరోధకత లేని కొన్ని ప్లాస్టిక్ ఉపరితలాలకు చాలా అనువైనది.

5, మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ టార్గెట్ ఉపరితల ఎచింగ్ ఏకరీతిగా ఉండదు.మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ టార్గెట్ ఉపరితల ఎచింగ్ అసమానంగా లక్ష్యం యొక్క అసమాన అయస్కాంత క్షేత్రం వలన ఏర్పడుతుంది.టార్గెట్ ఎచింగ్ రేటు యొక్క స్థానం పెద్దది, తద్వారా లక్ష్యం యొక్క ప్రభావవంతమైన వినియోగ రేటు తక్కువగా ఉంటుంది (కేవలం 20-30% వినియోగ రేటు).అందువల్ల, లక్ష్య వినియోగాన్ని మెరుగుపరచడానికి, అయస్కాంత క్షేత్ర పంపిణీని నిర్దిష్ట మార్గాల ద్వారా మార్చాలి లేదా కాథోడ్‌లో కదిలే అయస్కాంతాల ఉపయోగం కూడా లక్ష్య వినియోగాన్ని మెరుగుపరుస్తుంది.

6, మిశ్రమ లక్ష్యం.కాంపోజిట్ టార్గెట్ కోటింగ్ అల్లాయ్ ఫిల్మ్‌ను తయారు చేయవచ్చు.ప్రస్తుతం, కాంపోజిట్ మాగ్నెట్రాన్ టార్గెట్ స్పుట్టరింగ్ ప్రక్రియ యొక్క ఉపయోగం Ta-Ti మిశ్రమం, (Tb-Dy)-Fe మరియు Gb-Co అల్లాయ్ ఫిల్మ్‌పై విజయవంతంగా పూత పూయబడింది.మిశ్రమ లక్ష్య నిర్మాణం వరుసగా నాలుగు రకాలుగా ఉంటుంది, అవి గుండ్రని పొదిగిన లక్ష్యం, చతురస్రం పొదిగిన లక్ష్యం, చిన్న చతురస్రం పొదిగిన లక్ష్యం మరియు సెక్టార్ పొదిగిన లక్ష్యం.సెక్టార్ పొదగబడిన లక్ష్య నిర్మాణాన్ని ఉపయోగించడం మంచిది.

7. విస్తృత శ్రేణి అప్లికేషన్లు.మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ ప్రక్రియ అనేక మూలకాలను డిపాజిట్ చేయగలదు, సాధారణమైనవి: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti , Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO, మొదలైనవి.

మాగ్నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ అనేది అధిక నాణ్యత గల చిత్రాలను పొందేందుకు విస్తృతంగా ఉపయోగించే పూత ప్రక్రియలలో ఒకటి.కొత్త కాథోడ్‌తో, ఇది అధిక లక్ష్య వినియోగం మరియు అధిక నిక్షేపణ రేటును కలిగి ఉంది.గ్వాంగ్‌డాంగ్ జెన్‌హువా టెక్నాలజీ వాక్యూమ్ మాగ్‌నెట్రాన్ స్పుట్టరింగ్ కోటింగ్ ప్రక్రియ ఇప్పుడు పెద్ద-ఏరియా సబ్‌స్ట్రేట్‌ల పూతలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.ఈ ప్రక్రియ సింగిల్-లేయర్ ఫిల్మ్ డిపాజిషన్ కోసం మాత్రమే కాకుండా, బహుళ-లేయర్ ఫిల్మ్ కోటింగ్ కోసం కూడా ఉపయోగించబడుతుంది, అదనంగా, ప్యాకేజింగ్ ఫిల్మ్, ఆప్టికల్ ఫిల్మ్, లామినేషన్ మరియు ఇతర ఫిల్మ్ కోటింగ్ కోసం రోల్ టు రోల్ ప్రాసెస్‌లో కూడా ఇది ఉపయోగించబడుతుంది.