Вакуум магнетрон сиптерү, аеруча, реактив каплау каплаулары өчен яраклы. Чынлыкта, бу процесс теләсә нинди оксид, карбид һәм нитрид материалларының юка пленкаларын урнаштыра ала. Моннан тыш, бу процесс шулай ук күп катламлы пленка структураларын, шул исәптән оптик конструкцияләрне, төсле пленкаларны, тузуга чыдам каплауларны, нано-ламинатларны, суперрәшәткәле каплауларны, изоляция пленкаларын һ.б. урнаштыру өчен дә яраклы. 1970 елларда ук төрле оптик пленка катламы материаллары өчен югары сыйфатлы оптик пленка урнаштыру үрнәкләре эшләнгән. Бу материалларга үтә күренмәле үткәргеч материаллар, ярымүткәргечләр, полимерлар, оксидлар, карбидлар һәм нитридлар керә, ә фторидлар парга әйләндерү каплавы кебек процессларда кулланыла.
Магнетрон сиптерү процессының төп өстенлеге - бу материалларның катламнарын урнаштыру өчен реактив яки реактив булмаган каплау процессларын куллану һәм катлам составын, пленка калынлыгын, пленка калынлыгының бердәмлеген һәм катламның механик үзлекләрен яхшы контрольдә тоту. Процесс түбәндәге үзенчәлекләргә ия.
1, Зур утыру тизлеге. Югары тизлекле магнетрон электродлары куллану аркасында зур ион агымы алырга мөмкин, бу каплау процессының утыру тизлеген һәм сиптерү тизлеген нәтиҗәле рәвештә яхшырта. Башка сиптерү каплау процесслары белән чагыштырганда, магнетрон сиптерү югары куәткә һәм югары уңышка ия, һәм төрле сәнәгать җитештерүләрендә киң кулланыла.
2, югары энергия нәтиҗәлелеге. Магнетрон сиптерү максаты гадәттә 200В-1000В диапазонындагы көчәнешне сайлый, гадәттә 600В, чөнки 600В көчәнеш энергия нәтиҗәлелегенең иң югары нәтиҗәле диапазонында гына.
3. Түбән сиптерү энергиясе. Магнетрон максатчан көчәнеше түбән кулланыла, һәм магнит кыры плазманы катод янында чикли, бу югарырак энергияле зарядланган кисәкчәләрнең субстратка очып чыгуына комачаулый.
4, түбән субстрат температурасы. Анод разряд вакытында барлыкка килгән электроннарны читкә юнәлтер өчен кулланылырга мөмкин, субстрат терәге кирәк түгел, бу субстратның электрон бомбага тотуын нәтиҗәле рәвештә киметә ала. Шулай итеп, субстрат температурасы түбән, бу югары температуралы каплауга бик чыдам булмаган кайбер пластик субстратлар өчен бик идеаль.
5, Магнетрон сиптерү максат өслеген эшкәртү тигез түгел. Магнетрон сиптерү максат өслеген эшкәртү тигез булмау максатның магнит кыры тигез булмау сәбәпле килеп чыга. Максатның урнашуы зуррак, шуңа күрә максатның нәтиҗәле куллану дәрәҗәсе түбән (куллану дәрәҗәсе нибары 20-30%). Шуңа күрә, максатны куллануны яхшырту өчен, магнит кыры бүленешен билгеле бер ысуллар белән үзгәртергә кирәк, яисә катодта хәрәкәт итүче магнитлар куллану максатны куллануны яхшырта ала.
6, Композит максат. Композит максат каплаулы эретмә пленкасы ясый ала. Хәзерге вакытта Ta-Ti эретмәсе, (Tb-Dy)-Fe һәм Gb-Co эретмә пленкасы өстендә композит магнетрон максат сиптерү процессы уңышлы кулланылды. Композит максат структурасы дүрт төрле: түгәрәк инкрустацияләнгән максат, квадрат инкрустацияләнгән максат, кечкенә квадрат инкрустацияләнгән максат һәм сектор инкрустацияләнгән максат. Сектор инкрустацияләнгән максат структурасын куллану яхшырак.
7. Киң кулланылыш диапазоны. Магнетрон сиптерү процессы күп элементларны урнаштыра ала, аларның гадәтиләре: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti, Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO һ.б.
Магнетрон сиптерү югары сыйфатлы пленкалар алу өчен иң киң кулланыла торган каплау процессларының берсе. Яңа катод белән ул югары максатчан куллануга һәм югары утыру тизлегенә ия. Гуандун Чжэньхуа технологиясенең вакуум магнетрон сиптерү каплау процессы хәзерге вакытта зур мәйданлы субстратларны каплауда киң кулланыла. Бу процесс бер катламлы пленка утырту өчен генә түгел, ә күп катламлы пленка каплау өчен дә кулланыла, өстәвенә, ул пленканы төргәкләү, оптик пленка, ламинацияләү һәм башка пленка каплау өчен рулоннан рулонга әйләндерү процессында да кулланыла.
Бастырып чыгару вакыты: 2022 елның 7 ноябре