Ion şöhlesiniň dökülýän örtügi we ion şöhlesi

1. Ion şöhle saçýan örtük

Materialyň üstü orta energiýaly ion şöhlesi bilen bombalanýar we ionlaryň energiýasy materialyň kristal panjarasyna girmeýär, ýöne energiýany maksatly atomlara geçirýär, bu bolsa materialyň üstünden süýşmegine sebäp bolýar we soňra iş böleginde ýerleşdirilip inçe film döredýär. Ion şöhlesiniň öndürýän tüýdügi sebäpli, pytraňňy film gatlagy atomlarynyň energiýasy gaty ýokary we maksatly material ýokary wakuumda ion şöhlesi bilen bombalanýar, film gatlagynyň arassalygy ýokary we ýokary hilli filmler goýulyp bilner, şol bir wagtyň özünde film gatlagynyň optiki we mehaniki aýratynlyklaryny gowulaşdyrmak maksadyna ýetip biler. Ion şöhleleriniň dökülmeginiň maksady täze inçe film materiallaryny döretmekdir.

2. Ion şöhlesi

Ion şöhlesiniň dökülmegi, şeýle hem substrata tüýkürmek, täsir etmek üçin materialyň üstündäki orta energiýa ion şöhlelerini bombalamakdyr, ýarymgeçiriji enjam, optoelektron enjamlary we grafiki ýadro tehnologiýasynyň önümçiliginiň beýleki ugurlarydyr. Ondarymgeçirijiniň integral zynjyrlaryndaky çipleri taýýarlamak tehnologiýasy, diametri Φ12in (Φ304.8mm) bolan bir kristal kremniý wafli boýunça millionlarça tranzistorlary taýýarlamagy öz içine alýar. Her bir tranzistor, işjeň gatlakdan, izolýasiýa gatlagyndan, izolýasiýa gatlagyndan we geçiriji gatlakdan ybarat dürli funksiýaly inçe filmleriň köp gatlaklaryndan gurulýar. Her bir işleýän gatlagyň öz nagşy bar, şonuň üçin her bir işleýiş filminiň gatlagy örtülenden soň, peýdaly film böleklerini saklap, peýdasyz bölekleri ion şöhlesi bilen öçürmeli. Häzirki wagtda çipiň siminiň ini 7 mm-e ýetdi we şeýle ajaýyp nagşy taýýarlamak üçin ion şöhleleriniň dökülmegi zerurdyr. Ion şöhlelerini dökmek, başda ulanylýan çygly eriş usuly bilen deňeşdirilende ýokary takyklyk bilen gury eriş usulydyr.

Ion şöhlelerini hereketsiz ion şöhleleri we iki görnüşli işjeň ion şöhleleri bilen örtmek tehnologiýasy. Öňküsi argon ion şöhlesi bilen fiziki reaksiýa degişlidir; ikinjisi, ftor ion şöhlesiniň dökülmegi, ftor ion şöhlesi, tramp roluny öndürmek üçin ýokary energiýadan başga-da, ftor ion şöhlesi SiO bilen hem ýerleşdirilip bilner.₂、 Si₃N4 、 GaAs 、 W we beýleki inçe filmlerde himiki reaksiýa bar, bu hem fiziki reaksiýa, hem-de ion şöhlesini çykarmak tehnologiýasynyň himiki reaksiýa prosesi, çişme tizligi çalt. Poslaýjy gazlar reaksiýa₄、 C.₂F₆、 CCl4 、 BCl₃we ş.m., SiF üçin döredilen reaktiwler₄、 SiCl₄、 GCl₃; 、 We WF₆ poslaýjy gazlardyr. Ion şöhlelerini çykarmak tehnologiýasy ýokary tehnologiýaly önümleri öndürmek üçin esasy tehnologiýa.

IsBu makala çap edildivakuum örtük maşyn öndürijisiGuangdong Zhenhua