መስፈሳዊအငွေ့ပျံခြင်းအပေါ်ယံလွှာနည်းပညာမိတ်ဆက်ခြင်း

၂။ အငွေ့ပျံခြင်းအပူပေးခြင်း

(1) အပူပေးမှု ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ရေငွေ့ပျံခြင်း
ခုခံအားအပူပေးသည့် အငွေ့ပျံခြင်းသည် အရိုးရှင်းဆုံးနှင့် အသုံးအများဆုံး အပူပေးနည်းလမ်းဖြစ်ပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် 1500 ℃ အောက် အရည်ပျော်မှတ်ရှိသော အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းများအတွက် အသုံးချနိုင်သည်၊ ဝါယာကြိုး သို့မဟုတ် ပြားပုံသဏ္ဍာန်ရှိ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားသော သတ္တုများ (W၊ Mo၊ Ti၊ Ta၊ ဘိုရွန်နိုက်ထရိုက်၊ စသည်) ကို သင့်လျော်သော အငွေ့ပျံရင်းမြစ်ပုံသဏ္ဍာန်အဖြစ် ပြုလုပ်လေ့ရှိပြီး၊ အငွေ့ပျံပစ္စည်းများဖြင့် တင်ဆောင်ကာ လျှပ်စစ်စီးကြောင်း၏ Joule အပူဖြင့် ပြားချပ်ပစ္စည်းကို အရည်ပျော်စေရန်၊ အငွေ့ပျံစေရန် သို့မဟုတ် ပျော့ပျောင်းစေရန် ပြုလုပ်လေ့ရှိသည်၊ အငွေ့ပျံရင်းမြစ်ပုံသဏ္ဍာန်တွင် အဓိကအားဖြင့် multi-strand spiral၊ U-ပုံသဏ္ဍာန်၊ sine wave၊ thin plate၊ boat၊ cone basket စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဤနည်းလမ်းသည် အငွေ့ပျံရင်းမြစ်ပစ္စည်းသည် အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားခြင်း၊ အငွေ့ပြန်မှုနည်းပါးခြင်း၊ ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများတည်ငြိမ်ခြင်း၊ အပူချိန်မြင့်မားသော အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းနှင့် ဓာတုဓာတ်ပြုမှုမရှိခြင်း၊ အပူခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်း၊ ပါဝါသိပ်သည်းဆတွင် အနည်းငယ်ပြောင်းလဲမှုရှိခြင်း စသည်တို့ လိုအပ်ပါသည်။ ၎င်းသည် အငွေ့ပျံရင်းမြစ်မှတစ်ဆင့် မြင့်မားသောလျှပ်စီးကြောင်းကို အသုံးပြု၍ တိုက်ရိုက်အပူပေးခြင်းဖြင့် ဖလင်ပစ္စည်းကို အပူပေးပြီး အငွေ့ပျံစေသည်၊ သို့မဟုတ် ဖလင်ပစ္စည်းကို ဂရပ်ဖိုက်နှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်ရှိသော သတ္တုအောက်ဆိုဒ်အချို့ (A202၊ B0 ကဲ့သို့) နှင့် အခြားပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော crucible ထဲသို့ ထည့်ပြီး သွယ်ဝိုက်အပူပေးခြင်းဖြင့် အငွေ့ပျံစေသည်။
အပူပေးအငွေ့ပျံအလွှာတွင် ကန့်သတ်ချက်များရှိသည်- အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော သတ္တုများတွင် အငွေ့ဖိအားနည်းပါးသောကြောင့် အလွှာပါးပြုလုပ်ရန် ခက်ခဲသည်။ အချို့သောဒြပ်စင်များကို အပူပေးဝါယာကြိုးဖြင့် အလွိုင်းဖွဲ့စည်းရန် လွယ်ကူသည်။ အလွိုင်းဖလင်၏ တစ်ပြေးညီဖွဲ့စည်းမှုကို ရရှိရန် မလွယ်ကူပါ။ အပူပေးအငွေ့ပျံနည်းလမ်း၏ ရိုးရှင်းသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ စျေးနှုန်းချိုသာမှုနှင့် လွယ်ကူစွာလည်ပတ်နိုင်မှုကြောင့် အငွေ့ပျံနည်းလမ်းကို အလွန်အသုံးများသော အသုံးချမှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

(၂) အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည် အပူပေးခြင်းဖြင့် အငွေ့ပျံခြင်း
အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အငွေ့ပျံခြင်းဆိုသည်မှာ ရေအေးပေးထားသော ကြေးနီ crucible ထဲတွင်ထည့်ခြင်းဖြင့် မြင့်မားသောစွမ်းအင်သိပ်သည်းဆရှိသော အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်ဖြင့် ဗုံးကြဲခြင်းဖြင့် အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းကို အငွေ့ပျံစေသည့် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အငွေ့ပျံရင်းမြစ်တွင် အီလက်ထရွန်ထုတ်လွှတ်မှုရင်းမြစ်၊ အီလက်ထရွန်အရှိန်မြှင့်ပါဝါရင်းမြစ်၊ crucible (များသောအားဖြင့် ကြေးနီ crucible)၊ သံလိုက်စက်ကွင်းကွိုင်နှင့် အအေးပေးရေအစုံ စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ ဤကိရိယာတွင် အပူပေးထားသောပစ္စည်းကို ရေအေးပေးထားသော crucible ထဲတွင်ထည့်ကာ အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်သည် ပစ္စည်း၏ အလွန်သေးငယ်သောအစိတ်အပိုင်းကိုသာ ဗုံးကြဲပြီး ကျန်ရှိနေသောပစ္စည်းအများစုမှာ crucible ၏အအေးပေးအကျိုးသက်ရောက်မှုအောက်တွင် အလွန်နိမ့်သောအပူချိန်တွင် ရှိနေခဲ့ပြီး crucible ၏ ဗုံးကြဲထားသောအပိုင်းအဖြစ် သတ်မှတ်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် အငွေ့ပျံစေရန် အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အပူပေးသည့်နည်းလမ်းသည် အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းနှင့် အငွေ့ပျံရင်းမြစ်ပစ္စည်းအကြား ညစ်ညမ်းမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်သည်။
အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အငွေ့ပျံရင်းမြစ်၏ဖွဲ့စည်းပုံကို အမျိုးအစားသုံးမျိုးခွဲခြားနိုင်သည်- ဖြောင့်စက်သေနတ်များ (Boules သေနတ်များ)၊ ကွင်းစက်သေနတ်များ (လျှပ်စစ်ဖြင့်လမ်းကြောင်းပြောင်းထားသည်) နှင့် e-သေနတ်များ (သံလိုက်ဖြင့်လမ်းကြောင်းပြောင်းထားသည်)။ ခွက်တစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသောခွက်များကို အငွေ့ပျံစက်ရုံတွင် ထားနိုင်ပြီး ၎င်းသည် မတူညီသောဒြပ်စင်များစွာကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း သို့မဟုတ် သီးခြားစီ အငွေ့ပျံစေပြီး စုပုံစေနိုင်သည်။

အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အငွေ့ပျံခြင်းရင်းမြစ်များတွင် အောက်ပါအားသာချက်များရှိသည်။
① အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည် ဗုံးကြဲမှု အငွေ့ပျံရင်းမြစ်၏ မြင့်မားသော ရောင်ခြည်သိပ်သည်းဆသည် ခုခံမှုအပူရင်းမြစ်ထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆကို ရရှိနိုင်ပြီး W၊ Mo၊ Al2O3 စသည်တို့ကဲ့သို့သော အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားသော ပစ္စည်းများကို အငွေ့ပျံစေနိုင်သည်။
② အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းကို ရေအေးပေးထားသော ကြေးနီခွက်ထဲတွင် ထည့်ထားသောကြောင့် အငွေ့ပျံခြင်းရင်းမြစ်ပစ္စည်းနှင့် ၎င်းတို့အကြား ဓာတ်ပြုမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်သည်။
③ အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်သို့ အပူကို တိုက်ရိုက်ထည့်သွင်းနိုင်သောကြောင့် အပူထိရောက်မှု မြင့်မားပြီး အပူစီးကူးမှုနှင့် အပူရောင်ခြည် ဆုံးရှုံးမှုကို နည်းပါးစေသည်။
အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အပူပေးခြင်းဖြင့် အငွေ့ပျံခြင်းနည်းလမ်း၏ အားနည်းချက်မှာ အီလက်ထရွန်သေနတ်မှ မူလအီလက်ထရွန်များနှင့် အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်မှ ဒုတိယအီလက်ထရွန်များသည် အငွေ့ပျံနေသော အက်တမ်များနှင့် ကျန်ရှိနေသော ဓာတ်ငွေ့မော်လီကျူးများကို အိုင်းယွန်းဓာတ်များ ဖြစ်ပေါ်စေပြီး တစ်ခါတစ်ရံတွင် ဖလင်၏ အရည်အသွေးကို ထိခိုက်စေသည်။

(၃) မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း induction အပူပေးစက်ဖြင့် ရေငွေ့ပျံခြင်း
မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း induction အပူပေး အငွေ့ပျံခြင်းဆိုသည်မှာ အပေါ်ယံလွှာပါသော crucible ကို မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း spiral coil ၏အလယ်ဗဟိုတွင်ထားခြင်းဖြင့် အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းသည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းလျှပ်စစ်သံလိုက်စက်ကွင်း၏ induction အောက်တွင် အားကောင်းသော eddy current နှင့် hysteresis effect ကိုထုတ်ပေးပြီး film layer ကို အငွေ့ပျံပြီး အငွေ့ပျံသည်အထိ အပူပေးသည်။ အငွေ့ပျံအရင်းအမြစ်တွင် ရေအေးပေးထားသော မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း coil နှင့် ဂရပ်ဖိုက် သို့မဟုတ် ကြွေထည် (မဂ္ဂနီဆီယမ်အောက်ဆိုဒ်၊ အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ်၊ ဘိုရွန်အောက်ဆိုဒ် စသည်) crucible များ ပါဝင်သည်။ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း power supply သည် Hz တစ်သောင်းမှ ရာပေါင်းများစွာအထိ frequency ကို အသုံးပြုပြီး input power သည် kilowatts များစွာမှ ရာပေါင်းများစွာအထိရှိပြီး membrane ပစ္စည်း၏ volume နည်းလေ induction frequency မြင့်လေဖြစ်သည်။ Induction coil frequency ကို ရေအေးပေးထားသော ကြေးနီပြွန်ဖြင့် ပြုလုပ်လေ့ရှိသည်။
မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း induction အပူပေး အငွေ့ပျံနည်းလမ်း၏ အားနည်းချက်မှာ input power ကို ချိန်ညှိရန် မလွယ်ကူခြင်းဖြစ်ပြီး အောက်ပါအားသာချက်များရှိသည်။
① ရေငွေ့ပျံနှုန်း မြင့်မားခြင်း
② ရေငွေ့ပျံရင်းမြစ်၏ အပူချိန်သည် တသမတ်တည်းရှိပြီး တည်ငြိမ်သောကြောင့် အပေါ်ယံအစက်အပြောက်များ ပက်ဖြန်းခြင်းဖြစ်စဉ်ကို ဖြစ်ပေါ်စေရန် မလွယ်ကူပါ၊ ထို့အပြင် အပ်ချည်ဖလင်ပေါ်တွင် အပေါက်ငယ်များဖြစ်ပေါ်ခြင်းကိုလည်း ရှောင်ရှားနိုင်ပါသည်။
③ ရေငွေ့ထွက်အရင်းအမြစ်ကို တစ်ကြိမ်သာ ထည့်သွင်းပြီး အပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်ရန် အတော်လေးလွယ်ကူပါသည်။