ۋاكۇئۇم پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلىمىسىنىڭ پىرىنسىپى
1، ۋاكۇئۇم پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلىمىسىنىڭ ئۈسكۈنىلىرى ۋە فىزىكىلىق جەريانى
ۋاكۇئۇم پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلاش ئۈسكۈنىسى ئاساسلىقى ۋاكۇئۇم كامېراسى ۋە چىقىرىۋېتىش سىستېمىسىدىن تەركىب تاپقان. ۋاكۇئۇم كامېراسىنىڭ ئىچىدە پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسى (يەنى پارغا ئايلاندۇرۇش ئىسسىتقۇچ)، ئاساسىي قاتلام ۋە ئاساسىي قاتلام رامكىسى، ئاساسىي قاتلام ئىسسىتقۇچ، چىقىرىش سىستېمىسى قاتارلىقلار بار.
قاپلاش ماتېرىيالى ۋاكۇئۇم كامېراسىنىڭ پارغا ئايلىنىش مەنبەسىگە قويۇلىدۇ، ھەمدە يۇقىرى ۋاكۇئۇم شارائىتىدا، پارغا ئايلىنىش مەنبەسى تەرىپىدىن قىزىتىلىپ پارغا ئايلىنىدۇ. پار مولېكۇلاسىنىڭ ئوتتۇرىچە ئەركىن دائىرىسى ۋاكۇئۇم كامېراسىنىڭ سىزىقلىق چوڭلۇقىدىن چوڭ بولغاندا، پارغا ئايلىنىش مەنبەسىنىڭ يۈزىدىن چىقىپ كەتكەن پەردە پارىنىڭ ئاتوملىرى ۋە مولېكۇلالىرى باشقا مولېكۇلا ياكى ئاتوملارنىڭ سوقۇلۇشى بىلەن ئاز ئۇچرايدۇ ۋە بىۋاسىتە قاپلىنىدىغان ئاساسىي قاتلامنىڭ يۈزىگە يېتىپ بارىدۇ. ئاساسىي قاتلامنىڭ تۆۋەن تېمپېراتۇرىسى سەۋەبىدىن، پەردە پار زەررىچىلىرى ئۇنىڭ ئۈستىدە قويۇقلىشىپ، بىر پارچە پەردە ھاسىل قىلىدۇ.
پارغا ئايلىنىش مولېكۇلاسى ۋە ئاساسىي قەۋەتنىڭ يېپىشىشىنى ياخشىلاش ئۈچۈن، ئاساسىي قەۋەتنى مۇۋاپىق قىزىتىش ياكى ئىئون تازىلاش ئارقىلىق ئاكتىپلاشتۇرغىلى بولىدۇ. ۋاكۇئۇم پارغا ئايلىنىش قاپلىمى ماتېرىيالنىڭ پارغا ئايلىنىشى، توشۇشتىن تارتىپ پىلاستىنكىغا چۆكۈشكىچە تۆۋەندىكى فىزىكىلىق جەريانلاردىن ئۆتىدۇ.
(1) باشقا ئېنېرگىيە شەكىللىرىنى ئىسسىقلىق ئېنېرگىيەسىگە ئايلاندۇرۇشنىڭ ھەر خىل ئۇسۇللىرى ئارقىلىق، پىلاستىنكا ماتېرىيالى مەلۇم مىقداردىكى ئېنېرگىيە (0.1 دىن 0.3 eV غىچە) بىلەن پارغا ئايلىنىش ياكى گاز زەررىچىلىرىگە (ئاتوم، مولېكۇلا ياكى ئاتوم توپلىرى) ئايلىنىش ئۈچۈن قىزىتىلىدۇ.
(2) گاز زەررىچىلىرى پىلاستىنكا يۈزىدىن ئايرىلىپ، بەلگىلىك بىر ھەرىكەت سۈرئىتىدە، ئاساسەن سوقۇلۇشسىز، تۈز سىزىق بويىچە ئاساسىي قاتلام يۈزىگە يەتكۈزۈلىدۇ.
(3) ئاساسىي قاتلامنىڭ يۈزىگە يەتكەن گاز زەررىچىلىرى بىرلىشىپ يادرو ھاسىل قىلىدۇ، ئاندىن قاتتىق باسقۇچلۇق پەردىگە ئايلىنىدۇ.
(4) پەردىنى تەشكىل قىلىدىغان ئاتوملارنىڭ قايتا تەشكىللىنىشى ياكى خىمىيىلىك باغلىنىشى.
2، پارغا ئايلاندۇرۇپ قىزىتىش
(1) قارشىلىق كۆرسىتىش ئارقىلىق قىزىتىش پارغا ئايلىنىش
قارشىلىق كۆرسىتىش ئارقىلىق قىزىتىش پارغا ئايلاندۇرۇش ئەڭ ئاددىي ۋە ئەڭ كۆپ ئىشلىتىلىدىغان قىزىتىش ئۇسۇلى بولۇپ، ئادەتتە ئېرىش نۇقتىسى 1500℃ دىن تۆۋەن بولغان قاپلاش ماتېرىياللىرىغا، ئېرىش نۇقتىسى يۇقىرى بولغان مېتاللارغا (W، Mo، Ti، Ta، بور نىترىد قاتارلىقلار) ماس كېلىدۇ. ئادەتتە پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسىنىڭ ماس شەكلىدە ياسىلىدۇ، پارغا ئايلاندۇرۇش ماتېرىياللىرى بىلەن تولدۇرۇلىدۇ، ئېلېكتر ئېقىمىنىڭ جوئۇلې ئىسسىقلىقى ئارقىلىق قاپلاش ماتېرىيالىنى ئېرىتىدۇ، پارغا ئايلاندۇرىدۇ ياكى سۇبلىماتسىيە قىلىدۇ. پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسىنىڭ شەكلى ئاساسلىقى كۆپ تالالىق سىپىرال، U شەكىللىك، سىنۇس دولقۇنى، نېپىز تاختا، كېمە، كونۇس سېۋەت قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، بۇ ئۇسۇل پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسى ماتېرىيالىنىڭ ئېرىش نۇقتىسى يۇقىرى، تويۇنۇش پار بېسىمى تۆۋەن، خىمىيىلىك خۇسۇسىيىتى مۇقىم، يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا قاپلاش ماتېرىيالى بىلەن خىمىيىلىك رېئاكسىيەگە ئۇچرىمايدۇ، ئىسسىقلىققا چىداملىق، قۇۋۋەت زىچلىقىنىڭ كىچىك ئۆزگىرىشى قاتارلىق تەلەپلەرنى قويىدۇ. ئۇ پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسى ئارقىلىق يۇقىرى توكنى قوبۇل قىلىپ، پىلاستىنكا ماتېرىيالىنى بىۋاسىتە قىزىتىدۇ ياكى پىلاستىنكا ماتېرىيالىنى گرافىت ۋە بەزى يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق مېتال ئوكسىدلىرى (مەسىلەن، A202، B0) ۋە باشقا ماتېرىياللاردىن ياسالغان، ۋاسىتىلىك قىزىتىش ئارقىلىق پارغا ئايلاندۇرىدۇ.
قارشىلىق كۆرسىتىش قىزىتىش پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلىمىسىنىڭ چەكلىمىلىرى بار: ئوتقا چىداملىق مېتاللارنىڭ پار بېسىمى تۆۋەن، شۇڭا نېپىز پەردە ياساش تەس؛ بەزى ئېلېمېنتلار قىزىتىش سىمى بىلەن ئاسانلا قېتىشما ھاسىل قىلىدۇ؛ قېتىشما پەردىسىنىڭ بىردەك تەركىبىنى ھاسىل قىلىش ئاسان ئەمەس. قارشىلىق كۆرسىتىش قىزىتىش پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلىنىڭ قۇرۇلمىسى ئاددىي، باھاسى تۆۋەن ۋە ئىشلىتىش ئاسان بولغاچقا، پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلى ناھايىتى كۆپ قوللىنىلىدۇ.
(2) ئېلېكترون نۇرى ئارقىلىق قىزىتىش پارغا ئايلىنىش
ئېلېكترون نۇرى پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلى سۇ بىلەن سوۋۇتۇلغان مىس ئوچاققا قويۇش ئارقىلىق يۇقىرى ئېنېرگىيەلىك زىچلىقتىكى ئېلېكترون نۇرى بىلەن قاپلاش ماتېرىيالىنى پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلى. پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسى ئېلېكترون تارقىتىش مەنبەسى، ئېلېكترون تېزلىنىش قۇۋۋىتى مەنبەسى، ئوچاق (ئادەتتە مىس ئوچاق)، ماگنىت مەيدانى چەمبىرىكى ۋە سوۋۇتۇش سۇ يۈرۈشلۈكى قاتارلىقلاردىن تەركىب تاپىدۇ. بۇ ئۈسكۈنىدە، قىزىتىلغان ماتېرىيال سۇ بىلەن سوۋۇتۇلغان ئوچاققا قويۇلىدۇ، ئېلېكترون نۇرى پەقەت ماتېرىيالنىڭ ئىنتايىن ئاز بىر قىسمىنىلا بومباردىمان قىلىدۇ، قالغان ماتېرىياللارنىڭ كۆپىنچىسى ئوچاقنىڭ سوۋۇتۇش تەسىرى ئاستىدا ئىنتايىن تۆۋەن تېمپېراتۇرىدا قالىدۇ، بۇ ئوچاقنىڭ بومباردىمان قىلىنغان قىسمى دەپ قاراشقا بولىدۇ. شۇڭا، پارغا ئايلاندۇرۇش ئۈچۈن ئېلېكترون نۇرى قىزىتىش ئۇسۇلى قاپلاش ماتېرىيالى بىلەن پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسى ماتېرىيالى ئوتتۇرىسىدىكى بۇلغىنىشنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.
ئېلېكترون نۇرى پارغا ئايلىنىش مەنبەسىنىڭ قۇرۇلمىسى ئۈچ تۈرگە ئايرىلىدۇ: تۈز مىلتىق (Boules مىلتىقلىرى)، ئۈزۈك مىلتىق (ئېلېكترلىق يۆنىلىشتە يۆتكىلىدۇ) ۋە ئېلېكترونلۇق مىلتىق (ماگنىتلىق يۆنىلىشتە يۆتكىلىدۇ). پارغا ئايلىنىش ئۈسكۈنىسىگە بىر ياكى بىردىن ئارتۇق كىرېگ قويغىلى بولىدۇ، بۇلار بىرلا ۋاقىتتا ياكى ئايرىم-ئايرىم ھالدا نۇرغۇن خىل ماددىلارنى پارغا ئايلاندۇرۇپ قويۇپ قويالايدۇ.
ئېلېكترون نۇرى پارغا ئايلىنىش مەنبەلىرىنىڭ تۆۋەندىكى ئەۋزەللىكلىرى بار.
①ئېلېكترون نۇرى بومباردىمان قىلىش پارغا ئايلىنىش مەنبەسىنىڭ يۇقىرى نۇر زىچلىقى قارشىلىق قىزىتىش مەنبەسىگە قارىغاندا خېلىلا يۇقىرى ئېنېرگىيە زىچلىقىغا ئېرىشەلەيدۇ، بۇ مەنبە W، Mo، Al2O3 قاتارلىق يۇقىرى ئېرىش نۇقتىسىلىق ماتېرىياللارنى پارغا ئايلاندۇرالايدۇ.
② قاپلاش ماتېرىيالى سۇ بىلەن سوۋۇتۇلغان مىس ئوچاققا قويۇلىدۇ، بۇ ئوچاقنىڭ پارغا ئايلىنىشى ۋە ئۇلارنىڭ ئارىسىدىكى رېئاكسىيەنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.
③ ئىسسىقلىقنى بىۋاسىتە قاپلاش ماتېرىيالىنىڭ يۈزىگە قوشقىلى بولىدۇ، بۇ ئىسسىقلىق ئۈنۈمىنى يۇقىرى، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە ئىسسىقلىق رادىئاتسىيەسىنىڭ يوقىلىشىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
ئېلېكترون نۇرى ئارقىلىق قىزىتىش پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلىنىڭ كەمچىلىكى شۇكى، ئېلېكترون مىلتىقىدىكى دەسلەپكى ئېلېكترونلار ۋە قاپلاش ماتېرىيالىنىڭ يۈزىدىكى ئىككىنچى دەرىجىلىك ئېلېكترونلار پارغا ئايلاندۇرۇلىدىغان ئاتوملار ۋە قالدۇق گاز مولېكۇلالىرىنى ئىئونلاشتۇرىدۇ، بۇ بەزىدە پىلاستىنكىنىڭ سۈپىتىگە تەسىر كۆرسىتىدۇ.
(3) يۇقىرى چاستوتىلىق ئىندۇكسىيەلىك قىزىتىش پارغا ئايلىنىش
يۇقىرى چاستوتىلىق ئىندۇكسىيەلىك قىزىتىش پارغا ئايلاندۇرۇش دېگەنلىك، قاپلاش ماتېرىيالى قاچىلانغان ئوچاقنى يۇقىرى چاستوتىلىق سىپىرال چاقنىڭ مەركىزىگە قويۇشتىن ئىبارەت، شۇڭا قاپلاش ماتېرىيالى يۇقىرى چاستوتىلىق ئېلېكترو ماگنىت مەيدانىنىڭ ئىندۇكسىيەسى ئاستىدا كۈچلۈك قۇيرۇق ئېقىمى ۋە گىستېرېزىس ئۈنۈمىنى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ پىلاستىنكا قەۋىتىنىڭ پارغا ئايلىنىپ پارغا ئايلىنىشىغا سەۋەب بولىدۇ. پارغا ئايلاندۇرۇش مەنبەسى ئادەتتە سۇ بىلەن سوۋۇتۇلغان يۇقىرى چاستوتىلىق چاق ۋە گرافىت ياكى ساپال (ماگنىي ئوكسىد، ئاليۇمىن ئوكسىد، بور ئوكسىد قاتارلىقلار) ئوچاقتىن تەركىب تاپىدۇ. يۇقىرى چاستوتىلىق توك بىلەن تەمىنلەش ئون مىڭدىن بىر قانچە يۈز مىڭ گېرتسقىچە بولغان چاستوتا ئىشلىتىدۇ، كىرگۈزۈش قۇۋۋىتى بىر نەچچە يۈز كىلوۋاتقىچە بولىدۇ، پەردە ماتېرىيالىنىڭ ھەجىمى قانچە كىچىك بولسا، ئىندۇكسىيە چاستوتىسىمۇ شۇنچە يۇقىرى بولىدۇ. ئىندۇكسىيە چاقنىڭ چاستوتىسى ئادەتتە سۇ بىلەن سوۋۇتۇلغان مىس تۇرۇبىدىن ياسىلىدۇ.
يۇقىرى چاستوتىلىق ئىندۇكسىيەلىك قىزىتىش پارغا ئايلىنىش ئۇسۇلىنىڭ كەمچىلىكى شۇكى، كىرگۈزۈش قۇۋۋىتىنى ئىنچىكە تەڭشەش ئاسان ئەمەس، ئۇنىڭ تۆۋەندىكى ئەۋزەللىكلىرى بار.
①يۇقىرى پارغا ئايلىنىش سۈرئىتى
2 پارغا ئايلىنىش مەنبەسىنىڭ تېمپېراتۇرىسى بىردەك ۋە مۇقىم، شۇڭا قاپلاش تامچىلىرىنىڭ چاچراپ كېتىش ھادىسىسىنى پەيدا قىلىش ئاسان ئەمەس، شۇنداقلا چۆكمە پەردىدە تۆشۈك پەيدا بولۇش ھادىسىسىنىڭ ئالدىنى ئالغىلى بولىدۇ.
③ پارغا ئايلىنىش مەنبەسى بىر قېتىم يۈكلىنىدۇ، تېمپېراتۇرىنى كونترول قىلىش نىسبەتەن ئاسان ۋە ئاسان.
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2022-يىلى 10-ئاينىڭ 28-كۈنى
