မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ အခန်း ၂

မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ

(၃) စွမ်းအင်နည်းသော စပတ္တာ။ ပစ်မှတ်သို့ အသုံးချသော ကက်သုတ်ဗို့အားနည်းခြင်းကြောင့် ပလာစမာသည် ကက်သုတ်အနီးရှိ သံလိုက်စက်ကွင်းဖြင့် ချည်နှောင်ခံရပြီး လူပစ်ခတ်ခံရသော အောက်ခံ၏ဘေးသို့ မြင့်မားသောစွမ်းအင်ရှိသော အားသွင်းအမှုန်များကို တားဆီးပေးသည်။ ထို့ကြောင့် အားသွင်းအမှုန်များ ဗုံးကြဲခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကဲ့သို့သော အောက်ခံပျက်စီးမှုပမာဏသည် အခြားစပတ္တာနည်းလမ်းများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပျက်စီးမှုပမာဏထက် နည်းပါးသည်။

(၄) အလွှာအပူချိန်နိမ့်ခြင်း။ မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရိုက်ခြင်း စပတာရိုက်နှုန်းမြင့်မားသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဒေသအတွင်းရှိ ကက်သုတ်ပစ်မှတ်၊ ဆိုလိုသည်မှာ၊ ပစ်မှတ်ထုတ်လွှတ်သည့်လမ်းကြောင်းရှိ အီလက်ထရွန်ပါဝင်မှု မြင့်မားသောကြောင့်ဖြစ်ပြီး၊ ဒေသပြင်ပရှိ သံလိုက်အကျိုးသက်ရောက်မှုတွင်၊ အထူးသဖြင့် အနီးအနားရှိ အလွှာမျက်နှာပြင်၏ သံလိုက်စက်ကွင်းမှ ဝေးကွာသောနေရာများတွင် အီလက်ထရွန်ပါဝင်မှု ပျံ့နှံ့မှုကြောင့် နည်းပါးပြီး dipole စပတာရိုက်ခြင်းထက်ပင် နည်းပါးနိုင်သည် (အလုပ်လုပ်သောဓာတ်ငွေ့ဖိအားနှစ်ခုကြား ကြီးမားသောကွာခြားချက်ကြောင့်)။ ထို့ကြောင့် မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရိုက်အခြေအနေများတွင်၊ အလွှာမျက်နှာပြင်ကို ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်သော အီလက်ထရွန်ပါဝင်မှုသည် သာမန် diode စပတာရိုက်ခြင်းထက် များစွာနိမ့်ပြီး အလွှာပေါ်တွင် အီလက်ထရွန်ကျရောက်မှု လျော့နည်းသွားခြင်းကြောင့် အလွှာအပူချိန် အလွန်အကျွံမြင့်တက်ခြင်းကို ရှောင်ရှားနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း နည်းလမ်းတွင်၊ မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း ကိရိယာ၏ အန်နုတ်ကို ကက်သုတ်အနီးတစ်ဝိုက်တွင် တည်ရှိနိုင်ပြီး၊ အလွှာကိုင်ဆောင်သူသည်လည်း မြေမထိဘဲ ဆိုင်းငံ့ထားနိုင်သည့် အလားအလာတွင် ရှိနေနိုင်သောကြောင့် အီလက်ထရွန်များသည် မြေစိုက်အလွှာကိုင်ဆောင်သူမှတစ်ဆင့် ဖြတ်သန်းပြီး အန်နုတ်မှတစ်ဆင့် စီးဆင်းသွားခြင်း မရှိနိုင်ပါ။ ထို့ကြောင့် ပလတ်စတစ်အလွှာကို ပစ်ခတ်သည့် မြင့်မားသောစွမ်းအင် အီလက်ထရွန်များကို လျော့နည်းစေပြီး အီလက်ထရွန်များကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အလွှာအပူတိုးလာမှုကို လျော့နည်းစေပြီး၊ အပူထုတ်လုပ်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့် အလွှာ၏ ဒုတိယအီလက်ထရွန် ပစ်ခတ်မှုကို များစွာလျော့ကျစေသည်။

(၅) ပစ်မှတ်၏ မညီမညာ ထွင်းထုခြင်း။ ရိုးရာ မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရိုက်ပစ်မှတ်တွင် မညီမညာ သံလိုက်စက်ကွင်းကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် ပလာစမာသည် ဒေသတွင်း ပေါင်းစည်းမှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ပစ်မှတ်၏ ဒေသတွင်းအနေအထားတွင် စပတာရိုက် ထွင်းထုမှုနှုန်း မြင့်မားစေပြီး ရလဒ်အနေဖြင့် ပစ်မှတ်သည် သိသာထင်ရှားသော မညီမညာ ထွင်းထုမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေမည်ဖြစ်သည်။ ပစ်မှတ်၏ အသုံးချမှုနှုန်းသည် ယေဘုယျအားဖြင့် ၃၀% ခန့်ရှိသည်။ ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ အသုံးချမှုနှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ပစ်မှတ်သံလိုက်စက်ကွင်း၏ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရန်၊ ပစ်မှတ်ကတ်သုတ်ရှိ သံလိုက်သည် အတွင်းပိုင်းလှုပ်ရှားမှု စသည်တို့ကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

သံလိုက်ပစ္စည်းပစ်မှတ်များကို စပတာလုပ်ရာတွင် အခက်အခဲရှိခြင်း။ စပတာလုပ်သည့်ပစ်မှတ်ကို သံလိုက်စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းမြင့်မားသော ပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားပါက သံလိုက်အားလိုင်းများသည် ပစ်မှတ်၏အတွင်းပိုင်းကို တိုက်ရိုက်ဖြတ်သန်းသွားမည်ဖြစ်ပြီး သံလိုက်ပတ်လမ်းတိုဖြစ်စဉ်တစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာကာ မဂ္ဂနက်ထရွန်ထုတ်လွှတ်မှုကို ခက်ခဲစေသည်။ အာကာသသံလိုက်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးရန်အတွက် လူများသည် လေ့လာမှုအမျိုးမျိုးကို ပြုလုပ်ခဲ့ကြသည်၊ ဥပမာအားဖြင့် ပစ်မှတ်ပစ္စည်းအတွင်းရှိ သံလိုက်စက်ကွင်းကို ပြည့်နှက်စေပြီး သံလိုက်ပစ်မှတ်အပူချိန်တိုးလာမှု ပိုမိုယိုစိမ့်မှုဖြစ်ပေါ်စေရန် သို့မဟုတ် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ သံလိုက်စိမ့်ဝင်နိုင်စွမ်းကို လျှော့ချရန် ပစ်မှတ်တွင် ကွက်လပ်များစွာချန်ထားခဲ့သည်။

- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua