Магнетронды шашырату жабынының сипаттамалары
(3) Төмен энергиялы шашыраңқылық. Нысанаға берілетін төмен катодты кернеуге байланысты плазма катодқа жақын кеңістіктегі магнит өрісімен байланысады, осылайша жоғары энергиялы зарядталған бөлшектердің атылатын субстраттың бүйіріне өтуіне кедергі келтіреді. Сондықтан, зарядталған бөлшектермен бомбалаудан туындаған субстратқа, мысалы, жартылай өткізгіш құрылғыларға келтірілген зақым дәрежесі басқа шашыраңқылық әдістеріне қарағанда төмен.
(4) Төмен субстрат температурасы. Магнетронды шашырату жылдамдығы жоғары, себебі катод нысанасының магнит өрісіндегі аймағында, яғни нысана разрядының шағын локализацияланған аймағында электрон концентрациясы жоғары болады, ал аймақтан тыс магниттік әсерде, әсіресе жақын маңдағы субстрат бетінің магнит өрісінен алыс болғанда, электрон концентрациясы дипольді шашыратудан әлдеқайда төмен, тіпті төмен болуы мүмкін (екі жұмыс газының қысымының айырмашылығына байланысты). Сондықтан, магнетронды шашырату жағдайында субстрат бетіне түсетін электрондардың концентрациясы кәдімгі диодты шашыратуға қарағанда әлдеқайда төмен, ал субстратқа түсетін электрондар санының азаюына байланысты субстрат температурасының шамадан тыс жоғарылауына жол берілмейді. Сонымен қатар, магнетронды тозаңдату әдісінде магнетронды тозаңдату құрылғысының анодын катод маңында орналастыруға болады, ал субстрат ұстағышын жерге тұйықталмаған және суспензия потенциалында орналастыруға болады, сондықтан электрондар жерге тұйықталған субстрат ұстағышынан өтіп, анод арқылы ағып кетпеуі мүмкін, осылайша жабынды субстратты бомбалайтын жоғары энергиялы электрондардың санын азайтады, электрондар тудыратын субстрат жылуының артуын азайтады және субстраттың екінші реттік электронды бомбалануын айтарлықтай әлсіретеді, нәтижесінде жылу пайда болады.
(5) Нысананың біркелкі емес оюы. Дәстүрлі магнетронды шашырату нысанасында біркелкі емес магнит өрісін пайдалану плазманың жергілікті конвергенция әсерін тудырады, бұл нысананың жергілікті позициясындағы шашырату ою жылдамдығын жоғарылатады, нәтижесінде нысана айтарлықтай біркелкі емес ою жасайды. Нысананың пайдалану деңгейі әдетте шамамен 30% құрайды. Нысаналы материалдың пайдалану деңгейін жақсарту үшін мақсатты магнит өрісінің пішіні мен таралуын жақсарту сияқты әртүрлі жақсарту шараларын қолдануға болады, осылайша мақсаттағы катодтағы магнит ішкі қозғалысқа түседі және т.б.
Магниттік материалдық нысандарды шашыратудағы қиындықтар. Егер шашырату нысанасы жоғары магниттік өткізгіштігі бар материалдан жасалған болса, магниттік күш сызықтары нысананың ішкі жағынан тікелей өтіп, магниттік қысқа тұйықталу құбылысын тудырады, осылайша магнетрондық разрядты қиындатады. Ғарыштық магнит өрісін жасау үшін адамдар әртүрлі зерттеулер жүргізді, мысалы, нысана материалының ішіндегі магнит өрісін қанықтыру, нысанада көптеген бос орындар қалдыру, магниттік нысана температурасының жоғарылауына ықпал ету немесе нысана материалының магниттік өткізгіштігін төмендету.
– Бұл мақала жарияланғанвакуумдық жабын машинасын өндірушіГуандун Чжэнхуа
Жарияланған уақыты: 01.12.2023