Uiga o le ufiufi o le magnetron sputtering Mataupu 2

Uiga o le ufiufi o le magnetron sputtering

(3) Fa'asu'u malosi maualalo. Ona o le maualalo o le voltage cathode e fa'aoga i le sini, o le plasma e fusifusia e le fanua maneta i le avanoa e lata ane i le cathode, ma taofia ai le tafe atu o vaega eletise e maualuga le malosi i le itu o le substrate na fana e tagata. O le mea lea, o le tulaga o le fa'aleagaina o le substrate e pei o masini semiconductor e mafua mai i le fa'apapāpāina o vaega eletise e maualalo ifo nai lo le mea e mafua mai i isi metotia sputtering.

(4) Vevela maualalo o le substrate. E maualuga le fua faatatau o le sputtering a le Magnetron, aua o le cathode target i totonu o le magnetic field i totonu o le itulagi, o lona uiga, o le target discharge runway i totonu o se vaega laitiiti o le lotoifale o le electron concentration e maualuga, ae i le magnetic effect i fafo atu o le itulagi, aemaise lava mamao ese mai le magnetic field o le substrate surface lata ane, o le electron concentration ona o le dispersion o le elbow e maualalo tele, ma e oo lava i le maualalo ifo nai lo le dipole sputtering (ona o le eseesega i le va o le mamafa o le kesi galue e lua o se faasologa o le tele). O le mea lea, i lalo o tulaga o le magnetron sputtering, o le concentration o electrons o loo osofaia le fogaeleele o le substrate e maualalo tele nai lo le diode sputtering masani, ma o le faateleina tele o le vevela o le substrate e aloese mai ai ona o le faaitiitia o le numera o electrons e aafia i luga o le substrate. E le gata i lea, i le metotia o le magnetron sputtering, e mafai ona tu'u le anode o le masini magnetron sputtering i tafatafa o le cathode, ma e mafai fo'i ona le'i fa'a'ele'eleina le mea e uu ai le substrate ma i le tulaga fa'a'au'au, ina ia le mafai e electrons ona ui atu i le mea e uu ai le substrate ma tafe ese atu i le anode, ma fa'aitiitia ai le malosi o electrons e osooso i le substrate ua ufiufi, ma fa'aitiitia ai le fa'ateleina o le vevela o le substrate e mafua mai i electrons, ma fa'aitiitia ai le osofa'iga lona lua o le electron i le substrate ma mafua ai ona gaosia le vevela.

(5) O le fa'a'ese'esega lē tutusa o le fa'amoemoe. I le fa'aaogaina masani o le magnetron sputtering target, o le fa'aaogaina o se fanua maneta lē tutusa, o lea o le plasma o le a maua ai se aafiaga fa'alotoifale, o le a faia ai le fa'amoemoe i le tulaga fa'alotoifale o le sputtering rate e sili ona lelei, o le i'uga o le a maua ai e le fa'amoemoe se fa'a'ese'esega lē tutusa taua. O le fua fa'atatau o le fa'aaogaina o le fa'amoemoe e masani lava e tusa ma le 30%. Ina ia fa'aleleia atili le fua fa'atatau o le fa'aaogaina o mea fa'amoemoe, e mafai ona e faia ni auala fa'aleleia eseese, e pei o le fa'aleleia atili o le foliga ma le tufatufaina atu o le fanua maneta fa'amoemoe, ina ia mafai ai e le maneta i totonu o le cathode target ona gaoioi i totonu ma isi mea fa'apena.

Faigata ona fa'asalalauina mea fa'amaneta i totonu o le sini. Afai o le sini fa'asalalauina e faia i se mea e maualuga le fa'aogaina o le maneta, o laina malosi fa'amaneta o le a ui sa'o atu i totonu o le sini ma tupu ai se mea e pei o le pu'upu'u o le maneta, ma faigata ai ona fa'asa'olotoina le maneta. Ina ia fa'atupuina le fanua fa'amaneta i le vateatea, ua faia e tagata le tele o su'esu'ega, mo se fa'ata'ita'iga, e fa'atumu ai le fanua fa'amaneta i totonu o le mea o lo'o fa'amoemoeina, ma tu'u ai le tele o avanoa i le sini e fa'alauiloa ai le fa'atupuina o le tele o le sosolo o le vevela o le sini fa'amaneta, pe fa'aitiitia ai le fa'aogaina o le maneta o le mea o lo'o fa'amoemoeina.

–O lenei tusiga ua fa'asalalauina egaosi oloa masini ufiufi vacuumGuangdong Zhenhua