1. Teknologi pemendapan dibantu rasuk ion dicirikan oleh lekatan yang kuat antara membran dan substrat, lapisan membran sangat kuat. Eksperimen menunjukkan bahawa: pemendapan bantuan rasuk ion lekatan daripada lekatan pemendapan wap haba meningkat beberapa kali kepada beratus-ratus kali, sebabnya adalah terutamanya disebabkan oleh pengeboman ion pada permukaan kesan pembersihan, supaya antara muka asas membran untuk membentuk struktur antara muka kecerunan, atau lapisan peralihan hibrid, serta untuk mengurangkan tekanan membran.
2. Pemendapan dibantu rasuk ion boleh meningkatkan sifat mekanikal filem, memanjangkan hayat keletihan, sangat sesuai untuk penyediaan oksida, karbida, padu BN, TiB2, dan salutan seperti berlian. Sebagai contoh, dalam keluli tahan haba 1Cr18Ni9Ti pada penggunaan teknologi pemendapan bantuan rasuk ion untuk mengembangkan filem Si3N4 200nm, bukan sahaja boleh menghalang kemunculan retak keletihan pada permukaan bahan, tetapi juga mengurangkan dengan ketara kadar penyebaran retak keletihan, untuk memanjangkan hayatnya mempunyai peranan yang baik.
3. Pemendapan berbantukan rasuk ion boleh mengubah sifat tegasan filem dan perubahan struktur kristalnya. Sebagai contoh, penyediaan filem Cr dengan pengeboman 11.5keV Xe + atau Ar + permukaan substrat, mendapati bahawa pelarasan suhu substrat, tenaga ion pengeboman, ion dan atom untuk mencapai nisbah parameter, boleh membuat tegasan daripada tegasan tegangan kepada tegasan mampatan, struktur kristal filem juga akan menghasilkan perubahan. Di bawah nisbah ketibaan ion-ke-atom tertentu, pemendapan bantuan rasuk ion mempunyai orientasi terpilih yang lebih baik daripada lapisan membran yang dimendapkan oleh pemendapan wap haba.
4. Pemendapan bantuan rasuk ion boleh meningkatkan rintangan kakisan dan rintangan pengoksidaan membran. Oleh kerana ketumpatan pemendapan lapisan filem yang dibantu oleh rasuk ion, penambahbaikan struktur antara muka asas filem atau pembentukan keadaan amorf yang disebabkan oleh kehilangan sempadan bijian antara zarah, yang kondusif untuk meningkatkan rintangan kakisan bahan dan menahan pengoksidaan suhu tinggi.
5. Pemendapan bantuan rasuk ion boleh mengubah sifat elektromagnet filem dan meningkatkan prestasi filem nipis optik.
6. Pemendapan berbantukan ion membolehkan pelarasan tepat dan bebas bagi parameter yang berkaitan dengan pemendapan atom dan implantasi ion, dan membolehkan penjanaan salutan beberapa mikrometer berturut-turut dengan komposisi yang konsisten pada tenaga pengeboman yang rendah, supaya pelbagai filem nipis boleh ditanam pada suhu bilik, mengelakkan kesan buruk pada bahan atau bahagian yang dirawat dengan ketepatan yang mungkin disebabkan oleh peningkatan suhu yang mungkin disebabkan oleh suhu pengeboman yang rendah.
–Artikel ini dikeluarkan olehpengeluar mesin salutan vakumGuangdong Zhenhua
Masa siaran: Jan-24-2024