1. Jonu staru veicinātas uzklāšanas tehnoloģijai raksturīga spēcīga saķere starp membrānu un substrātu, membrānas slānis ir ļoti izturīgs. Eksperimenti liecina, ka: jonu staru veicinātas uzklāšanas adhēzija ir vairākas reizes lielāka nekā termiskās tvaiku uzklāšanas adhēzija, un tas galvenokārt ir saistīts ar jonu bombardēšanas tīrīšanas efektu uz virsmas, kā rezultātā membrānas pamatnes saskarnē veidojas gradienta starpfāžu struktūra jeb hibrīds pārejas slānis, kā arī samazinās membrānas spriegums.
2. Jonu kūļa uzklāšana var uzlabot plēves mehāniskās īpašības, pagarināt noguruma kalpošanas laiku un ir ļoti piemērota oksīdu, karbīdu, kubiskā BN, TiB2 un dimanta līdzīgu pārklājumu ražošanai. Piemēram, 1Cr18Ni9Ti karstumizturīgā tērauda ražošanā, izmantojot jonu kūļa uzklāšanas tehnoloģiju 200 nm Si3N4 plēves audzēšanai, var ne tikai kavēt noguruma plaisu rašanos uz materiāla virsmas, bet arī ievērojami samazināt noguruma plaisu izplatīšanās ātrumu, tādējādi pagarinot tās kalpošanas laiku.
3. Jonu kūļa veicināta uzklāšana var mainīt plēves sprieguma raksturu un tās kristāliskās struktūras izmaiņas. Piemēram, gatavojot Cr plēvi ar 11,5 keV Xe+ vai Ar+ bombardēšanu uz substrāta virsmas, tika konstatēts, ka, pielāgojot substrāta temperatūru, bombardēšanas jonu enerģiju, jonus un atomus, lai sasniegtu parametru attiecību, var panākt sprieguma pāreju no stiepes sprieguma uz spiedes spriegumu, un arī plēves kristāliskā struktūra mainīsies. Noteiktā jonu un atomu ierašanās attiecībā jonu kūļa veicinātai uzklāšanai ir labāka selektīvā orientācija nekā membrānas slānim, kas uzklāts ar termiskās tvaiku uzklāšanas metodi.
4. Jonu kūļa veicināta uzklāšana var uzlabot membrānas korozijas izturību un oksidēšanās izturību. Pateicoties jonu kūļa veicinātas uzklāšanas plēves slāņa blīvumam, uzlabojas plēves pamatnes saskarnes struktūra vai veidojas amorfs stāvoklis, ko izraisa graudu robežu izzušana starp daļiņām, kas veicina materiāla korozijas izturības uzlabošanos un pretestību oksidēšanās procesam augstā temperatūrā.
5. Jonu kūļa veicināta nogulsnēšana var mainīt plēves elektromagnētiskās īpašības un uzlabot optisko plāno plēvju veiktspēju.
6. Jonu asistēta nogulsnēšana ļauj precīzi un neatkarīgi pielāgot ar atomu nogulsnēšanu un jonu implantāciju saistītos parametrus, kā arī ļauj secīgi ģenerēt dažu mikrometru pārklājumus ar vienmērīgu sastāvu pie zemām bombardēšanas enerģijām, lai istabas temperatūrā varētu audzēt dažādas plānas kārtiņas, izvairoties no negatīvās ietekmes uz materiāliem vai precīzām detaļām, ko var radīt to apstrāde paaugstinātā temperatūrā.
– Šo rakstu publicēvakuuma pārklāšanas mašīnu ražotājsGuandunas Dženhua
Publicēšanas laiks: 2024. gada 24. janvāris