1. D'Technologie vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung zeechent sech duerch eng staark Adhäsioun tëscht der Membran an dem Substrat, wouduerch d'Membranschicht ganz staark ass. Experimenter weisen datt: d'Adhäsioun vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung ëm e puer Mol bis Honnertmol méi héich ass wéi d'Adhäsioun vun der thermescher Gasoflagerung. De Grond dofir ass haaptsächlech den Reinigungseffekt vum Ionenbombardement op der Uewerfläch, wouduerch d'Grenzfläche vun der Membranbasis eng gradientéiert Grenzflächenstruktur oder eng Hybrid-Iwwergangsschicht bildt, an d'Membranspannung reduzéiert gëtt.
2. Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'mechanesch Eegeschafte vum Film verbesseren an d'Liewensdauer vun der Middegkeet verlängeren, ganz gëeegent fir d'Virbereedung vun Oxiden, Karbiden, kubeschem BN, TiB2 an diamantähnleche Beschichtungen. Zum Beispill, am 1Cr18Ni9Ti hitzebeständege Stol bei der Notzung vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerungstechnologie fir en 200nm Si3N4 Film ze wuessen, kann net nëmmen d'Entstoe vu Middegkeetsrëss op der Uewerfläch vum Material hemmen, mä och d'Diffusiounsquote vun de Middegkeetsrëss däitlech reduzéieren, wat seng Liewensdauer verlängert.
3. Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'Spannungsnatur vum Film änneren an seng kristallin Struktur ännert sech. Zum Beispill huet d'Virbereedung vun engem Cr-Film mat 11,5 keV Xe+ oder Ar+ Bombardement vun der Substratoberfläche festgestallt, datt d'Upassung vun der Substrattemperatur, der Bombardementionenenergie, den Ionen an den Atomer fir d'Verhältnes vun de Parameteren z'erreechen, d'Spannung vun Zuchspannung zu Kompressiounsspannung änneren kann, an d'kristallin Struktur vum Film wäert och Ännerungen produzéieren. Ënner engem bestëmmten Ion-zu-Atom-Arrivée-Verhältnes huet d'Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung eng besser selektiv Orientéierung wéi d'Membranschicht, déi duerch thermesch Gasoflagerung ofgesat gëtt.
4. Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'Korrosiounsbeständegkeet an d'Oxidatiounsbeständegkeet vun der Membran verbesseren. Wéinst der Dicht vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung vun der Filmschicht, verbessert d'Grenzflächestruktur vun der Filmbasis oder d'Bildung vun engem amorphen Zoustand, verursaacht duerch d'Verschwannen vun de Käregrenzen tëscht de Partikelen, wat zu der Verbesserung vun der Korrosiounsbeständegkeet vum Material a Widderstand géint Oxidatioun bei héijen Temperaturen bäidréit.
5. Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'elektromagnetesch Eegeschafte vum Film änneren an d'Leeschtung vun opteschen Dënnschichten verbesseren.
6. Ionenassistéiert Oflagerung erméiglecht eng präzis an onofhängeg Upassung vun de Parameteren am Zesummenhang mat der Atomoflagerung an der Ionenimplantatioun, an erméiglecht d'sukzessiv Generatioun vu Beschichtungen vun e puer Mikrometer mat enger konsequenter Zesummesetzung bei niddregen Bombardementsenergien, sou datt verschidde dënn Schichten bei Raumtemperatur kënne gewuess ginn, wouduerch déi negativ Auswierkungen op Materialien oder Präzisiounsdeeler vermeit ginn, déi duerch d'Behandlung bei erhéichten Temperaturen verursaacht kënne ginn.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 24. Januar 2024