1. Jóngeislaaðstoðuð útfellingartækni einkennist af sterkri viðloðun milli himnunnar og undirlagsins, og himnulagið er mjög sterkt. Tilraunir sýna að: viðloðun jóngeislaaðstoðuð útfellingar eykur viðloðun nokkrum sinnum til hundruðfalt meira en viðloðun varmaútfellingar. Ástæðan er aðallega vegna hreinsunaráhrifa jónaárása á yfirborðið, sem veldur því að grunnviðmót himnunnar myndar hallalaga viðmótsbyggingu eða blönduð umbreytingarlag, sem og dregur úr álagi á himnuna.
2. Jóngeislaaðstoðuð útfelling getur bætt vélræna eiginleika filmunnar, lengt þreytuþol, mjög hentug til framleiðslu á oxíðum, karbíðum, teningslaga BN, TiB2 og demantlíkum húðunum. Til dæmis, í 1Cr18Ni9Ti hitaþolnu stáli, er notkun jóngeislaaðstoðaðrar útfellingartækni til að rækta 200nm Si3N4 filmu ekki aðeins hægt að koma í veg fyrir myndun þreytusprungna á yfirborði efnisins, heldur einnig dregið verulega úr dreifingu þreytusprungna og gegnir góðu hlutverki til að lengja líftíma hennar.
3. Jónageislaútfelling getur breytt spennueiginleikum filmunnar og kristallabyggingu hennar breytist. Til dæmis, við undirbúning Cr-filmu með 11,5 keV Xe+ eða Ar+ sprengjuáhrifum á yfirborð undirlagsins, kom í ljós að með því að aðlaga hitastig undirlagsins, sprengjuorku jóna, jóna og atóma til að ná hlutfalli breytna, getur spennan breyst frá togspennu til þjöppunarspennu, sem einnig veldur breytingum á kristallabyggingu filmunnar. Við ákveðið hlutfall jóna á móti atómum hefur jónageislaútfellingin betri sértæka stefnu en himnulagið sem er lagt með varmagufúpuútfellingu.
4. Útfelling með jóngeisla getur aukið tæringarþol og oxunarþol himnunnar. Vegna þéttleika jóngeislaútfellingar filmulagsins, sem veldur því að kornamörkin milli agnanna hverfa, bætir uppbyggingu filmugrunnsins eða myndar ókristallað ástand, sem stuðlar að aukinni tæringarþol efnisins og þolir oxun við háan hita.
5. Útfelling með jóngeisla getur breytt rafsegulfræðilegum eiginleikum filmunnar og bætt afköst ljósfræðilegra þunnfilma.
6. Jónaaðstoðuð útfelling gerir kleift að stilla breytur sem tengjast atómútfellingu og jónaígræðslu nákvæmlega og gerir kleift að mynda húðun sem er nokkurra míkrómetrar að stærð með samræmdri samsetningu við lága sprengiorku, þannig að hægt sé að rækta ýmsar þunnar filmur við stofuhita og forðast skaðleg áhrif á efni eða nákvæmnishluta sem geta stafað af því að meðhöndla þá við hækkað hitastig.
–Þessi grein er gefin út afframleiðandi tómarúmhúðunarvélaGuangdong Zhenhua
Birtingartími: 24. janúar 2024