A vákuumos magnetronos porlasztás különösen alkalmas reaktív leválasztású bevonatokhoz. Valójában ez az eljárás bármilyen oxid, karbid és nitrid anyag vékonyrétegeinek leválasztására alkalmas. Ezenkívül az eljárás különösen alkalmas többrétegű filmszerkezetek, például optikai tervek, színes filmek, kopásálló bevonatok, nano-laminátumok, szuperrácsos bevonatok, szigetelő filmek stb. leválasztására is. Már 1970-ben is fejlesztettek ki kiváló minőségű optikai filmleválasztási példákat különféle optikai filmréteg-anyagokhoz. Ezek az anyagok magukban foglalják az átlátszó vezetőképes anyagokat, félvezetőket, polimereket, oxidokat, karbidok és nitrideket, míg a fluoridokat olyan eljárásokban használják, mint a párologtató bevonatolás.
A magnetronos porlasztási eljárás fő előnye, hogy reaktív vagy nem reaktív bevonási eljárásokat alkalmaz ezen anyagok rétegeinek felvitelére, valamint a rétegösszetétel, a filmvastagság, a filmvastagság egyenletességének és a réteg mechanikai tulajdonságainak megfelelő szabályozására. Az eljárás a következő jellemzőkkel rendelkezik.
1. Nagy lerakódási sebesség. A nagysebességű magnetron elektródák használatának köszönhetően nagy ionáram érhető el, ami hatékonyan javítja a lerakódási sebességet és a porlasztási sebességet ebben a bevonási eljárásban. Más porlasztásos bevonási eljárásokkal összehasonlítva a magnetron porlasztás nagy kapacitással és magas hozammal rendelkezik, és széles körben használják a különféle ipari termelésben.
2. Nagy energiahatékonyság. A magnetron porlasztásos célpontok általában 200V-1000V feszültségtartományon belül választanak, általában 600V-ot, mivel a 600V feszültség éppen a legmagasabb effektív energiahatékonysági tartományon belül van.
3. Alacsony porlasztási energia. A magnetron célfeszültsége alacsony, és a mágneses mező a plazmát a katód közelében tartja, ami megakadályozza, hogy a nagyobb energiájú töltésű részecskék a hordozóra lőjenek.
4. Alacsony szubsztrát hőmérséklet. Az anód a kisülés során keletkező elektronok elvezetésére használható, így nincs szükség szubsztrát alátámasztására, ami hatékonyan csökkenti a szubsztrát elektrontámadását. Így az aljzat hőmérséklete alacsony, ami ideális bizonyos műanyag aljzatok esetében, amelyek nem igazán ellenállóak a magas hőmérsékletű bevonattal szemben.
5, A magnetron porlasztásos célfelület maratása nem egyenletes. A magnetron porlasztásos célfelület maratásának egyenetlenségét a célpont egyenetlen mágneses mezeje okozza. A célpont maratási sebessége nagyobb, így a célpont effektív kihasználtsága alacsony (csak 20-30%-os kihasználtság). Ezért a célpont kihasználtságának javítása érdekében bizonyos eszközökkel meg kell változtatni a mágneses mező eloszlását, vagy a katódban mozgó mágnesek használata is javíthatja a célpont kihasználtságát.
6. Kompozit céltárgy. Lehetővé teszi kompozit céltárgy bevonat ötvözet film előállítását. Jelenleg a kompozit magnetron céltárgy porlasztásos eljárással sikeresen bevontak Ta-Ti ötvözet, (Tb-Dy)-Fe és Gb-Co ötvözet filmeket. A kompozit céltárgyszerkezet négyféle lehet: kerek berakásos céltárgy, négyzet alakú berakásos céltárgy, kis négyzet alakú berakásos céltárgy és szektorális berakásos céltárgy. A szektorális berakásos céltárgyszerkezet használata előnyösebb.
7. Széleskörű alkalmazások. A magnetronos porlasztásos eljárás számos elem leválasztására alkalmas, a leggyakoribbak a következők: Ag, Au, C, Co, Cu, Fe, Ge, Mo, Nb, Ni, Os, Cr, Pd, Pt, Re, Rh, Si, Ta, Ti, Zr, SiO, AlO, GaAs, U, W, SnO stb.
A magnetronos porlasztás az egyik legszélesebb körben alkalmazott bevonási eljárás a kiváló minőségű filmek előállítására. Az új katódnak köszönhetően magas a célpontkihasználtsága és a lerakódási sebessége. A Guangdong Zhenhua Technology vákuumos magnetronos porlasztásos bevonási eljárása ma már széles körben elterjedt nagy felületű hordozók bevonásában. Az eljárást nemcsak egyrétegű filmlerakódáshoz, hanem többrétegű filmbevonatokhoz is használják, továbbá tekercselési eljárásban csomagolófóliákhoz, optikai fóliákhoz, lamináláshoz és egyéb filmbevonatokhoz is használják.
Közzététel ideje: 2022. november 7.