1. Az ionsugaras leválasztási technológiát a membrán és az aljzat közötti erős tapadás jellemzi, így a membránréteg nagyon erős. A kísérletek azt mutatják, hogy az ionsugaras leválasztás a termikus gőzfázisú leválasztáshoz képest többszörösére, sőt akár százszorosára is nagyobb tapadást eredményez, ami főként az ionbombázás felületén lévő tisztítóhatásnak köszönhető, így a membrán alapfelülete gradiens határfelületi szerkezetet, vagy hibrid átmeneti réteget képez, és csökkenti a membránfeszültséget.
2. Az ionsugaras leválasztás javíthatja a film mechanikai tulajdonságait, meghosszabbíthatja a kifáradási élettartamot, és kiválóan alkalmas oxidok, karbidok, köbös BN, TiB2 és gyémántszerű bevonatok előállítására. Például az 1Cr18Ni9Ti hőálló acélban az ionsugaras leválasztási technológiával 200 nm-es Si3N4 filmet növeszteni nemcsak a kifáradási repedések kialakulását gátolhatja az anyag felületén, hanem jelentősen csökkentheti a kifáradási repedések terjedésének sebességét is, meghosszabbítva az élettartamot.
3. Az ionsugaras leválasztás megváltoztathatja a film feszültség jellegét és kristályszerkezetét. Például a Cr film hordozó felületének 11,5 keV Xe+ vagy Ar+ bombázásával történő előállítása során azt tapasztalták, hogy a hordozó hőmérsékletének, a bombázási ionenergiának, az ionoknak és az atomoknak a paraméterek arányának beállításával a feszültség a húzófeszültségtől a nyomófeszültségig terjedhet, és a film kristályszerkezete is megváltozik. Bizonyos ion-atom érkezési arány mellett az ionsugaras leválasztás jobb szelektív orientációval rendelkezik, mint a termikus gőzfázisú leválasztással leválasztott membránréteg.
4. Az ionnyalábos leválasztás növelheti a membrán korrózióállóságát és oxidációs ellenállását. Az ionnyalábos leválasztással előállított filmréteg sűrűsége miatt javul a film alapfelületének szerkezete, vagy amorf állapot alakul ki a részecskék közötti szemcsehatárok eltűnése miatt, ami elősegíti az anyag korrózióállóságának növekedését és ellenáll a magas hőmérsékletű oxidációnak.
5. Az ionnyalábbal segített leválasztás megváltoztathatja a film elektromágneses tulajdonságait és javíthatja az optikai vékonyrétegek teljesítményét.
6. Az ionrásegítéses leválasztás lehetővé teszi az atomleválasztással és ionimplantációval kapcsolatos paraméterek precíz és független beállítását, és lehetővé teszi néhány mikrométer vastagságú, konzisztens összetételű bevonatok egymást követő létrehozását alacsony bombázási energiák mellett, így különböző vékonyrétegek növeszthetők szobahőmérsékleten, elkerülve az anyagokra vagy precíziós alkatrészekre gyakorolt káros hatásokat, amelyeket a magas hőmérsékleten történő kezelés okozhat.
– Ezt a cikket a következő tette közzé:vákuumbevonó gép gyártóGuangdong Zhenhua
Közzététel ideje: 2024. január 24.