1. Ioi-izpien bidezko deposizio teknologiak mintzaren eta substratuaren arteko atxikimendu sendoa du ezaugarri, mintz-geruza oso sendoa baita. Esperimentuek erakusten dute ioi-izpien bidezko deposizioak atxikimendu handiagoa duela lurrun-deposizio termikoaren atxikimendua baino hainbat aldiz edo ehunka aldiz. Arrazoia batez ere gainazalean ioien bonbardaketak garbiketa-efektua eragiten duelako da, mintzaren oinarriaren interfazeak gradiente interfazialaren egitura bat edo trantsizio-geruza hibrido bat eratuz, eta mintzaren tentsioa murrizteaz gain.
2. Ioi-sorta bidezko deposizioak filmaren propietate mekanikoak hobetu ditzake, nekearen bizitza luzatu, eta oso egokia da oxidoak, karburoak, BN kubikoa, TiB2 eta diamante itxurako estaldurak prestatzeko. Adibidez, 1Cr18Ni9Ti altzairu beroarekiko erresistentean, ioi-sorta bidezko deposizio-teknologia erabiliz 200nm-ko Si3N4 filma hazteko, materialaren gainazalean nekearen pitzadurak agertzea eragotzi ez ezik, nekearen pitzaduraren difusio-tasa nabarmen murriztu ere egin dezake, bere bizitza luzatuz.
3. Ioi-sorta bidezko deposizioak filmaren tentsio-izaera alda dezake eta bere egitura kristalinoa aldatzen du. Adibidez, Cr filma substratuaren gainazalaren 11.5keV-ko Xe + edo Ar + bonbardaketarekin prestatzean, ikusi da substratuaren tenperatura, bonbardaketa-ioien energia, ioiak eta atomoak doitzean parametroen erlazioa lortzeko, tentsioa trakzio-tentsiotik konpresio-tentsiora alda daitekeela, eta filmaren egitura kristalinoak ere aldaketak sortuko dituela. Ioi-atomoen irismen-erlazio jakin baten pean, ioi-sorta bidezko deposizioak orientazio selektibo hobea du lurrun-termiko deposizio bidez metatutako mintz-geruzak baino.
4. Ioi-sorta bidezko deposizioak mintzaren korrosioarekiko eta oxidazioarekiko erresistentzia hobetu dezake. Ioi-sorta bidezko deposizioaren dentsitateari esker, filmaren oinarriaren interfazearen egitura hobetzen da edo partikulen arteko ale-mugak desagertzen direnean sortutako egoera amorfoa sortzen da, eta horrek materialaren korrosioarekiko erresistentzia hobetzen du eta tenperatura altuko oxidazioari aurre egiten dio.
5. Ioi-izpien bidezko deposizioak filmaren propietate elektromagnetikoak alda ditzake eta film optiko meheen errendimendua hobetu.
6. Ioi bidezko deposizioak atomo-deposizioari eta ioi-inplantazioari lotutako parametroen doikuntza zehatza eta independentea ahalbidetzen du, eta bonbardaketa-energia baxuetan konposizio koherentea duten mikrometro gutxi batzuetako estaldurak bata bestearen atzetik sortzea ahalbidetzen du, hainbat film mehe giro-tenperaturan haz daitezen, tenperatura altuetan tratatzeak materialetan edo zehaztasun-piezetan eragin ditzakeen ondorio kaltegarriak saihestuz.
–Artikulu hau argitaratu duhutsean estaltzeko makina fabrikatzaileaGuangdong Zhenhua
Argitaratze data: 2024ko urtarrilaren 24a