1. Ionenstrahl-Sputterbeschichtung
Die Materialoberfläche wird mit einem Ionenstrahl mittlerer Energie beschossen. Die Ionen dringen nicht in das Kristallgitter des Materials ein, sondern übertragen die Energie auf die Zielatome. Diese werden von der Materialoberfläche abgesputtert und bilden durch Abscheidung einen dünnen Film auf dem Werkstück. Durch die durch den Ionenstrahl erzeugte Zerstäubung ist die Energie der zerstäubten Filmatome sehr hoch. Das Zielmaterial wird im Hochvakuum mit dem Ionenstrahl beschossen. Die Reinheit der Filmschicht ist hoch, und es können hochwertige Filme abgeschieden werden. Gleichzeitig wird die Stabilität der Ionenstrahlfilmschicht verbessert, wodurch die optischen und mechanischen Eigenschaften der Filmschicht verbessert werden können. Ziel des Ionenstrahlsputterns ist die Herstellung neuer Dünnschichtmaterialien.
2. Ionenstrahlätzen
Beim Ionenstrahlätzen wird die Oberfläche eines Materials mit einem Ionenstrahl mittlerer Energie beschossen, um einen Sputter- und Ätzeffekt auf dem Substrat zu erzeugen. Es handelt sich um ein Halbleiterbauelement, optoelektronische Bauelemente und weitere Bereiche der Grafikkerntechnologie. Die Herstellungstechnologie für Chips in integrierten Halbleiterschaltungen umfasst die Herstellung von Millionen von Transistoren auf einem einkristallinen Siliziumwafer mit einem Durchmesser von 12 Zoll (304,8 mm). Jeder Transistor besteht aus mehreren Schichten dünner Filme mit unterschiedlichen Funktionen, bestehend aus einer aktiven Schicht, einer Isolierschicht, einer Isolationsschicht und einer leitfähigen Schicht. Jede Funktionsschicht hat ihr eigenes Muster. Daher müssen nach dem Aufbringen jeder Schicht die unbrauchbaren Teile mit einem Ionenstrahl weggeätzt werden, wobei die nutzbaren Filmkomponenten erhalten bleiben. Heutzutage beträgt die Drahtbreite von Chips 7 mm, und zur Herstellung eines solch feinen Musters ist Ionenstrahlätzen erforderlich. Ionenstrahlätzen ist ein Trockenätzverfahren mit hoher Ätzgenauigkeit im Vergleich zum ursprünglich verwendeten Nassätzverfahren.
Die Ionenstrahlätztechnologie unterscheidet zwischen inaktivem und aktivem Ionenstrahlätzen. Ersteres ist das Argon-Ionenstrahlätzen, eine physikalische Reaktion; letzteres ist das Fluor-Ionenstrahl-Sputtern. Neben der hohen Energie des Fluor-Ionenstrahls, der als Trampling fungiert, kann der Fluor-Ionenstrahl auch SiO ätzen.2、Si3N4, GaAs, W und andere dünne Schichten reagieren chemisch. Dies ist sowohl ein physikalischer als auch ein chemischer Reaktionsprozess der Ionenstrahlätztechnologie. Die Ätzrate ist hoch. Die korrosiven Gase beim Reaktionsätzen sind CF4,C2F6、CCl4、BCl3usw., die erzeugten Reaktanten für SiF4、SiCl4、GCl3;、und WF6 Dabei werden korrosive Gase abgesaugt. Die Ionenstrahlätztechnologie ist die Schlüsseltechnologie zur Herstellung von Hightech-Produkten.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsanlagenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungszeit: 24. Oktober 2023