1. Phủ bằng phương pháp phun chùm ion
Bề mặt vật liệu bị bắn phá bằng chùm ion năng lượng trung bình, năng lượng của các ion không đi vào mạng tinh thể của vật liệu mà truyền năng lượng cho các nguyên tử mục tiêu, khiến chúng bắn ra khỏi bề mặt vật liệu, sau đó tạo thành màng mỏng bằng cách lắng đọng trên phôi. Do quá trình bắn phá do chùm ion tạo ra, năng lượng của các nguyên tử lớp màng bị bắn phá rất cao, vật liệu mục tiêu bị bắn phá bằng chùm ion trong điều kiện chân không cao, độ tinh khiết của lớp màng cao, có thể lắng đọng màng chất lượng cao, đồng thời cải thiện độ ổn định của lớp màng chùm ion, có thể đạt được mục đích cải thiện các tính chất quang học và cơ học của lớp màng. Mục đích của quá trình bắn phá chùm ion là tạo thành vật liệu màng mỏng mới.
2. Khắc chùm ion
Khắc chùm ion cũng là một chùm ion năng lượng trung bình bắn phá bề mặt vật liệu để tạo ra hiệu ứng phun, khắc trên chất nền, là một thiết bị bán dẫn, thiết bị quang điện tử và các lĩnh vực khác của sản xuất công nghệ lõi đồ họa. Công nghệ chuẩn bị cho chip trong mạch tích hợp bán dẫn bao gồm việc chuẩn bị hàng triệu bóng bán dẫn trên một tấm wafer silicon đơn tinh thể có đường kính Φ12in (Φ304,8mm). Mỗi bóng bán dẫn được cấu tạo từ nhiều lớp màng mỏng có chức năng khác nhau, bao gồm một lớp hoạt động, một lớp cách điện, một lớp cô lập và một lớp dẫn điện. Mỗi lớp chức năng có hoa văn riêng, vì vậy sau khi mạ mỗi lớp màng chức năng, các bộ phận vô dụng cần được khắc bằng chùm ion, để lại các thành phần màng hữu ích nguyên vẹn. Ngày nay, chiều rộng dây của chip đã đạt tới 7mm và cần phải khắc chùm ion để chuẩn bị một hoa văn tinh xảo như vậy. Khắc chùm ion là phương pháp khắc khô có độ chính xác khắc cao so với phương pháp khắc ướt được sử dụng trước đây.
Công nghệ khắc chùm ion với khắc chùm ion không hoạt động và khắc chùm ion hoạt động có hai loại. Loại trước với khắc chùm ion argon, thuộc về phản ứng vật lý; loại sau với phun chùm ion flo, chùm ion flo ngoài năng lượng cao để tạo ra vai trò tramp, chùm ion flo cũng có thể được khắc bằng SiO2、Si3N4、GaAs、W và các màng mỏng khác có phản ứng hóa học, nó vừa là quá trình phản ứng vật lý, vừa là quá trình phản ứng hóa học của công nghệ khắc chùm ion, tốc độ khắc nhanh. Phản ứng khắc khí ăn mòn là CF4,C2F6、CCl4、BCl3, v.v., các chất phản ứng được tạo ra cho SiF4、SiCl4、GCl3;、và WF6 là khí ăn mòn được chiết xuất. Công nghệ khắc chùm ion là công nghệ then chốt để sản xuất ra các sản phẩm công nghệ cao.
– Bài viết này được phát hành bởinhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng: 24-10-2023