Filmleri goýmak üçin wakuum bugarmak usulynyň esasy aýratynlygy ýokary depozit derejesidir.Tüýkürmek usulynyň esasy aýratynlygy, bar bolan film materiallarynyň giňligi we film gatlagynyň gowy birmeňzeşligi, ýöne depozit derejesi pes.Ion örtügi bu iki prosesi birleşdirýän usuldyr.
Ion örtük ýörelgesi we film emele getiriş şertleri
Ion örtüginiň iş prinsipi Suratda görkezilýär.Wakuum kamerasy 10-4 Pa-dan pes basyşa süýşürilýär, soňra bolsa 0,1 ~ 1 Pa basyşda inert gazy (meselem argon) bilen doldurylýar. Substrata 5 kV çenli otrisatel naprýa .eniýe ulanylandan soň, a pes basyşly gaz ýalpyldawuk plazma zonasy substrat bilen iň möhümiň arasynda döredilýär.Inert gaz ionlary elektrik meýdany bilen çaltlaşdyrylýar we substratyň ýüzüni bombalaýar, şeýlelik bilen iş böleginiň üstüni arassalaýar.Bu arassalaýyş prosesi tamamlanandan soň, örtük prosesi haça çüýlenmeli materialyň buglanmagy bilen başlaýar.Buglanan bug bölejikleri plazma zonasyna girýär we bölünen inert polo positiveitel ionlar we elektronlar bilen çaknyşýar we bug bölejikleriniň käbiri bölünip, elektrik meýdanynyň tizlenmegi astynda iş bölegi we örtük üstüni bombalaýar.Ion örtük prosesinde diňe bir çöketlik däl, eýsem substratda polo positiveitel ionlaryň dökülmegi hem bolýar, şonuň üçin inçe film diňe çöketlik effekti tüýkürmek täsirinden has uly bolanda emele gelip biler.
Substratyň elmydama ýokary energiýaly ionlar bilen bombalanýan ion örtük prosesi gaty arassa we tüýkürmek we bugarmak örtügi bilen deňeşdirilende birnäçe artykmaçlygy bar.
(1) Güýçli ýelmeşme, örtük gatlagy aňsat gabygy ýok.
) örtük prosesi tamamlanýança substratyň üstüni arassalamak üçin substrat.
(b) Filmiň interfeýsinde komponentleriň geçiş gatlagyny ýa-da film materialynyň we “pseudo-diffuziýa gatlagy” diýlip atlandyrylýan esasy materialyň garyndysyny emele getirip bilýän örtük, tüýkürmek we çökmek bilelikde ýaşaýar, filmiň ýelmeşiş effektini netijeli gowulaşdyryp biler.
(2) Gowy örtük häsiýetleri.Munuň bir sebäbi, örtük material atomlarynyň ýokary basyşda ionlaşdyrylmagy we substrata ýetmek prosesinde birnäçe gezek gaz molekulalary bilen çaknyşmagy, örtük material ionlarynyň substratyň töweregine ýaýramagydyr.Mundan başga-da, ionlaşdyrylan örtük material atomlary elektrik meýdanynyň täsiri astynda substratyň üstünde goýulýar, şonuň üçin tutuş substrat inçe film bilen goýulýar, ýöne bugarmak örtügi bu täsire ýetip bilmeýär.
(3) Örtügiň ýokary hili, goýlan filmiň polo positiveitel ionlar bilen yzygiderli bombalanmagy netijesinde örtülen gatlagyň dykyzlygyny ýokarlandyrýan kondensatlaryň dökülmegi bilen baglanyşyklydyr.
(4) Örtük materiallarynyň we substratlaryň giň görnüşi metal ýa-da metal däl materiallar bilen örtülip bilner.
.
(6) Depokary depozit derejesi, çalt film emele gelmegi we onlarça nanometrden mikrona çenli filmleriň galyňlygy örtülip bilner.
Ion örtüginiň kemçilikleri: filmiň galyňlygyny takyk dolandyryp bolmaýar;inçe örtük zerur bolanda kemçilikleriň konsentrasiýasy ýokarydyr;örtük wagtynda gazlar ýer ýüzüne girer, bu ýerüsti häsiýetlerini üýtgeder.Käbir ýagdaýlarda boşluklar we ýadrolar (1 nm-den az) hem emele gelýär.
Çökdürme derejesi barada aýdylanda bolsa, ion örtügi bugarmak usuly bilen deňeşdirilýär.Filmiň hili barada aýdylanda bolsa, ion örtügi bilen öndürilen filmler tüýkürmek bilen taýýarlanan filmlere ýakyn ýa-da has gowy.
Iş wagty: Noýabr-08-2022