ئىئون قاپلاش تېخنىكىسى

ۋاكۇئۇم پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلىنىڭ ئاساسلىق ئالاھىدىلىكى يۇقىرى چۆكمە نىسبىتى. پۈركۈش ئۇسۇلىنىڭ ئاساسلىق ئالاھىدىلىكى كەڭ دائىرىلىك پىلاستىنكا ماتېرىياللىرى ۋە پىلاستىنكا قەۋىتىنىڭ ياخشى بىردەكلىكى، ئەمما چۆكمە نىسبىتى تۆۋەن. ئىئون قاپلاش بۇ ئىككى جەرياننى بىرلەشتۈرگەن ئۇسۇل.

ئىئون قاپلاش پىرىنسىپى ۋە پەردە شەكىللىنىش شەرتلىرى
ئىئون قاپلاشنىڭ ئىشلەش پىرىنسىپى رەسىمدە كۆرسىتىلدى. ۋاكۇئۇم كامېراسى 10-4 Pa دىن تۆۋەن بېسىمغا پومپىلىنىدۇ، ئاندىن 0.1 ~ 1 Pa بېسىمغا ئىنېرت گاز (مەسىلەن، ئارگون) بىلەن تولدۇرۇلىدۇ. ئاساسىي قاتلامغا 5 kV غىچە بولغان مەنپىي توك بېسىمى بېرىلگەندىن كېيىن، ئاساسىي قاتلام بىلەن تىگال ئوتتۇرىسىدا تۆۋەن بېسىملىق گاز پارقىراقلىق چىقىرىش پلازما رايونى قۇرۇلىدۇ. ئىنېرت گاز ئىئونلىرى ئېلېكتر مەيدانى تەرىپىدىن تېزلەشتۈرۈلۈپ، ئاساسىي قاتلامنىڭ يۈزىنى بومباردىمان قىلىدۇ، شۇنىڭ بىلەن ئىشخانا يۈزى تازىلايدۇ. بۇ تازىلاش جەريانى تاماملانغاندىن كېيىن، قاپلاش جەريانى تىگالدا قاپلىنىدىغان ماتېرىيالنى پارغا ئايلاندۇرۇش بىلەن باشلىنىدۇ. پارغا ئايلانغان پار زەررىچىلىرى پلازما رايونىغا كىرىپ، پارچىلىنىپ كەتكەن ئىنېرت مۇسبەت ئىئونلار ۋە ئېلېكترونلار بىلەن سوقۇلىدۇ، بەزى پار زەررىچىلىرى پارچىلىنىپ، ئېلېكتر مەيدانىنىڭ تېزلىنىشى ئاستىدا ئىشخانا ۋە قاپلاش يۈزىنى بومباردىمان قىلىدۇ. ئىئون قاپلاش جەريانىدا، پەقەت چۆكمە قىلىشلا ئەمەس، بەلكى ئاساسىي قاتلامغا مۇسبەت ئىئونلارنىڭ چېچىلىشىمۇ يۈز بېرىدۇ، شۇڭا نېپىز پەردە پەقەت چۆكمە ئۈنۈمى چېچىلىش ئۈنۈمىدىن چوڭ بولغاندا ھاسىل بولىدۇ.

ئاساسىي قەۋەت ھەمىشە يۇقىرى ئېنېرگىيەلىك ئىئونلار بىلەن بومباردىمان قىلىنىدىغان ئىئون قاپلاش جەريانى ناھايىتى پاكىز بولۇپ، پۈركۈش ۋە پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلاش ئۇسۇلىغا سېلىشتۇرغاندا بىر قاتار ئەۋزەللىكلەرگە ئىگە.

(1) كۈچلۈك يېپىشقاقلىق، قاپلاش قەۋىتى ئاسانلىقچە سويۇلۇپ كەتمەيدۇ.
(a) ئىئون قاپلاش جەريانىدا، پارقىراقلىق چىقىرىش ئارقىلىق ھاسىل بولغان كۆپ مىقداردىكى يۇقىرى ئېنېرگىيەلىك زەررىچىلەر ئاساسىي قاتلام يۈزىدە كاتود پۈركۈش ئۈنۈمىنى ھاسىل قىلىش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ، بۇ ئۈنۈم ئاساسىي قاتلام يۈزىدە سۈمۈرۈلگەن گاز ۋە ماينى پۈركۈپ تازىلاپ، ئاساسىي قاتلام يۈزىنى پاكىزلايدۇ، پۈتكۈل قاپلاش جەريانى تاماملانغۇچە.
(b) قاپلاشنىڭ دەسلەپكى باسقۇچىدا، پۈركۈش ۋە چۆكمە بىرلىكتە مەۋجۇت بولۇپ، بۇ پىلاستىنكا ئاساسىنىڭ چېگرىسىدا تەركىبلەرنىڭ ئۆتكۈنچى قەۋىتىنى ياكى پىلاستىنكا ماتېرىيالى بىلەن ئاساسىي ماتېرىيالنىڭ ئارىلاشمىسىنى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ «يالغان تارقىلىش قەۋىتى» دەپ ئاتىلىدۇ، بۇ پىلاستىنكىنىڭ چاپلىشىش ئىقتىدارىنى ئۈنۈملۈك ياخشىلىيالايدۇ.
(2) ياخشى ئوراش خۇسۇسىيىتى. بۇنىڭ بىر سەۋەبى، قاپلاش ماتېرىيالىنىڭ ئاتوملىرى يۇقىرى بېسىم ئاستىدا ئىئونلىشىدۇ ۋە ئاساسىي قاتلامغا يېتىش جەريانىدا بىر قانچە قېتىم گاز مولېكۇلاسى بىلەن سوقۇلىدۇ، شۇڭا قاپلاش ماتېرىيالىنىڭ ئىئونلىرى ئاساسىي قاتلامنىڭ ئەتراپىغا تارقىلىپ كېتىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، ئىئونلاشقان قاپلاش ماتېرىيالىنىڭ ئاتوملىرى ئېلېكتر مەيدانىنىڭ تەسىرىدە ئاساسىي قاتلامنىڭ يۈزىگە چۆكۈپ قالىدۇ، شۇڭا پۈتۈن ئاساسىي قاتلام نېپىز پەردە بىلەن چۆكۈپ قالىدۇ، ئەمما پارغا ئايلاندۇرۇش قاپلىمىسى بۇ ئۈنۈمگە ئېرىشەلمەيدۇ.
(3) قاپلاشنىڭ يۇقىرى سۈپىتى، قاپلانغان پەردىنىڭ مۇسبەت ئىئونلار بىلەن ئۈزلۈكسىز بومباردىمان قىلىنىشىدىن كېلىپ چىققان قويۇقلۇقنىڭ چېچىلىشىدىن كېلىپ چىقىدۇ، بۇ قاپلاش قەۋىتىنىڭ زىچلىقىنى ياخشىلايدۇ.
(4) مېتال ياكى مېتال ئەمەس ماتېرىياللارغا كەڭ دائىرىلىك قاپلاش ماتېرىياللىرى ۋە ئاساسىي قەۋەتلەرنى قاپلىغىلى بولىدۇ.
(5) خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش (CVD) بىلەن سېلىشتۇرغاندا، ئۇنىڭ ئاساسىي قەۋىتىنىڭ تېمپېراتۇرىسى تۆۋەن، ئادەتتە 500 سېلسىيە گرادۇستىن تۆۋەن، ئەمما ئۇنىڭ يېپىشقاقلىق كۈچى خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش پەردىسى بىلەن تولۇق سېلىشتۇرغىلى بولىدۇ.
(6) يۇقىرى چۆكمە سۈرئىتى، تېز پەردە شەكىللىنىشى ۋە ئون نەچچە نانومېتىردىن مىكرونغىچە بولغان پەردىلەرنىڭ قېلىنلىقىنى قاپلىيالايدۇ.

ئىئون قاپلىمىسىنىڭ كەمچىلىكى تۆۋەندىكىچە: پەردىنىڭ قېلىنلىقىنى ئېنىق كونترول قىلغىلى بولمايدۇ؛ ئىنچىكە قاپلاش تەلەپ قىلىنغاندا نۇقسانلارنىڭ قويۇقلۇقى يۇقىرى بولىدۇ؛ قاپلاش جەريانىدا گازلار يۈزگە كىرىپ، يۈز خۇسۇسىيىتىنى ئۆزگەرتىدۇ. بەزى ئەھۋاللاردا، بوشلۇق ۋە يادرولار (1 نانومېتىردىن كىچىك)مۇ شەكىللىنىدۇ.

چۆكمە سۈرئىتىگە كەلسەك، ئىئون قاپلاش پارغا ئايلاندۇرۇش ئۇسۇلىغا ئوخشايدۇ. پىلاستىنكا سۈپىتىگە كەلسەك، ئىئون قاپلاش ئارقىلىق ھاسىل بولغان پىلاستىنكىلار پۈركۈش ئارقىلىق تەييارلانغان پىلاستىنكىلارغا يېقىن ياكى ئۇنىڭدىن ياخشىراق.