ගුවැන්ඩොං ෂෙන්හුවා ටෙක්නොලොජි සමාගම, සීමාසහිත වෙත සාදරයෙන් පිළිගනිමු.
තනි_බැනරය

දියමන්ති තුනී පටල තාක්ෂණය - 2 වන පරිච්ඡේදය

ලිපි මූලාශ්‍රය:ෂෙන්හුවා රික්තය
කියවන්න:10
ප්‍රකාශිත:24-06-19

(3) රේඩියෝ සංඛ්‍යාත ප්ලාස්මා CVD (RFCVD)RF, ධාරිත්‍රක සම්බන්ධක ක්‍රමය සහ ප්‍රේරක සම්බන්ධක ක්‍රමය යන ක්‍රම දෙකකින් ප්ලාස්මා ජනනය කිරීමට භාවිතා කළ හැක.RF ප්ලාස්මා CVD 13.56 MHz සංඛ්‍යාතයක් භාවිතා කරයි.RF ප්ලාස්මාවේ වාසිය නම් එය මයික්‍රෝවේව් ප්ලාස්මාවට වඩා බොහෝ විශාල ප්‍රදේශයක් පුරා විසරණය වීමයි.කෙසේ වෙතත්, RF ධාරිත්‍රකව සම්බන්ධ කරන ලද ප්ලාස්මාවේ සීමාව නම්, ප්ලාස්මාවේ සංඛ්‍යාතය ස්ඵටර කිරීම සඳහා ප්‍රශස්ත නොවන බවයි, විශේෂයෙන් ප්ලාස්මාවේ ආගන් අඩංගු නම්.ධාරිත්‍රකව සම්බන්ධ කරන ලද ප්ලාස්මා උසස් තත්ත්වයේ දියමන්ති පටල වගා කිරීම සඳහා සුදුසු නොවේ, මන්ද ප්ලාස්මාවෙන් අයන බෝම්බ හෙලීම දියමන්තියට දැඩි හානියක් සිදු කළ හැකි බැවිනි. මයික්‍රෝවේව් ප්ලාස්මා CVD හා සමාන තැන්පත් කිරීමේ තත්වයන් යටතේ RF ප්‍රේරිත ප්ලාස්මා භාවිතයෙන් බහු ස්ඵටික දියමන්ති පටල වගා කර ඇත.RF-ප්‍රේරිත ප්ලාස්මා-වැඩිදියුණු කළ CVD භාවිතයෙන් සමජාතීය එපිටැක්සියල් දියමන්ති පටල ද ලබාගෙන ඇත.

新大图

(4) DC ප්ලාස්මා CVD

DC ප්ලාස්මා යනු දියමන්ති පටල වර්ධනය සඳහා වායු ප්‍රභවයක් (සාමාන්‍යයෙන් H2 සහ හයිඩ්‍රොකාබන් වායුවේ මිශ්‍රණයක්) සක්‍රිය කිරීමේ තවත් ක්‍රමයකි. DC ප්ලාස්මා සහාය ඇති CVD හට දියමන්ති පටල විශාල ප්‍රදේශ වර්ධනය කිරීමේ හැකියාව ඇති අතර, වර්ධන ප්‍රදේශයේ ප්‍රමාණය ඉලෙක්ට්‍රෝඩවල ප්‍රමාණයෙන් සහ DC බල සැපයුමෙන් පමණක් සීමා වේ. DC ප්ලාස්මා සහාය ඇති CVD හි තවත් වාසියක් වන්නේ DC එන්නතක් සෑදීමයි, සහ මෙම පද්ධතිය මගින් ලබා ගන්නා සාමාන්‍ය දියමන්ති පටල 80 mm/h අනුපාතයකින් තැන්පත් කෙරේ. ඊට අමතරව, විවිධ DC චාප ක්‍රම මගින් දියමන්ති නොවන උපස්ථර මත ඉහළ තැන්පතු අනුපාතවලින් උසස් තත්ත්වයේ දියමන්ති පටල තැන්පත් කළ හැකි බැවින්, ඒවා දියමන්ති පටල තැන්පත් කිරීම සඳහා අලෙවි කළ හැකි ක්‍රමයක් සපයයි.

(5) ඉලෙක්ට්‍රෝන සයික්ලොට්‍රෝන අනුනාද ක්ෂුද්‍ර තරංග ප්ලාස්මා වැඩි දියුණු කළ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් කිරීම (ECR-MPECVD) කලින් විස්තර කළ DC ප්ලාස්මා, RF ප්ලාස්මා සහ මයික්‍රෝවේව් ප්ලාස්මා සියල්ලම H2 හෙවත් හයිඩ්‍රොකාබන පරමාණුක හයිඩ්‍රජන් සහ කාබන්-හයිඩ්‍රජන් පරමාණු කාණ්ඩ බවට විඝටනය කර වියෝජනය කරන අතර එමඟින් දියමන්ති තුනී පටල සෑදීමට දායක වේ. ඉලෙක්ට්‍රෝන සයික්ලොට්‍රෝන අනුනාද ප්ලාස්මාවට ඉහළ ඝනත්ව ප්ලාස්මා (> 1x1011cm-3) නිපදවිය හැකි බැවින්, ECR-MPECVD දියමන්ති පටල වර්ධනය හා තැන්පත් කිරීම සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ. කෙසේ වෙතත්, ECR ක්‍රියාවලියේදී භාවිතා කරන අඩු වායු පීඩනය (10-4- සිට 10-2 Torr) නිසා, දියමන්ති පටල අඩු තැන්පත් වීමේ අනුපාතයක් ඇති බැවින්, මෙම ක්‍රමය දැනට රසායනාගාරයේ දියමන්ති පටල තැන්පත් කිරීම සඳහා පමණක් සුදුසු වේ.

–මෙම ලිපිය රික්ත ආලේපන යන්ත්‍ර නිෂ්පාදක ගුවැන්ඩොං ෂෙන්හුවා විසින් නිකුත් කරන ලදී.


පළ කිරීමේ කාලය: 2024 ජූනි-19