(3) Радиочастотное плазменное CVD (RFCVD) RF может использоваться для генерации плазмы двумя различными методами: методом емкостной связи и методом индуктивной связи. ВЧ плазменное CVD использует частоту 13,56 МГц. Преимущество ВЧ плазмы заключается в том, что она рассеивается на гораздо большей площади, чем микроволновая плазма. Однако ограничением ВЧ емкостно-связанной плазмы является то, что частота плазмы не является оптимальной для распыления, особенно если плазма содержит аргон. Емкостно-связанная плазма не подходит для выращивания высококачественных алмазных пленок, поскольку ионная бомбардировка из плазмы может привести к серьезному повреждению алмаза. Поликристаллические алмазные пленки были выращены с использованием ВЧ-индуцированной плазмы в условиях осаждения, аналогичных микроволновому плазменному CVD. Однородные эпитаксиальные алмазные пленки также были получены с использованием ВЧ-индуцированного плазменного CVD.
(4) Плазменное химическое осаждение из газовой фазы постоянного тока
Плазма постоянного тока — это еще один метод активации источника газа (обычно смеси H2 и углеводородного газа) для роста алмазной пленки. Метод CVD с использованием плазмы постоянного тока позволяет выращивать большие площади алмазных пленок, а размер области роста ограничен только размером электродов и источником питания постоянного тока. Еще одним преимуществом метода CVD с использованием плазмы постоянного тока является формирование инжекции постоянного тока, и типичные алмазные пленки, полученные с помощью этой системы, осаждаются со скоростью 80 мм/ч. Кроме того, поскольку различные методы дуги постоянного тока позволяют осаждать высококачественные алмазные пленки на неалмазных подложках с высокой скоростью осаждения, они представляют собой востребованный на рынке метод осаждения алмазных пленок.
(5) Электронно-циклотронный резонанс микроволновая плазма, усиленная химическим осаждением из паровой фазы (ECR-MPECVD)Плазма постоянного тока, плазма RF и микроволновая плазма, описанные ранее, диссоциируют и разлагают H2 или углеводороды на атомарный водород и группы атомов углерода-водорода, тем самым способствуя образованию тонких алмазных пленок. Поскольку электронно-циклотронный резонанс плазмы может производить плазму высокой плотности (>1x1011см-3), ECR-MPECVD больше подходит для роста и осаждения алмазных пленок.Однако из-за низкого давления газа (от 10-4 до 10-2 Торр), используемого в процессе ECR, что приводит к низкой скорости осаждения алмазных пленок, этот метод в настоящее время подходит только для осаждения алмазных пленок в лабораторных условиях.
–Эта статья выпущена производителем вакуумного напылительного оборудования Guangdong Zhenhua.
Время публикации: 19 июня 2024 г.