Powłoka napylana wiązką jonów i wytrawiana wiązką jonów

1. Powłoka napylana wiązką jonów

Powierzchnia materiału jest bombardowana wiązką jonów o średniej energii, a energia jonów nie wchodzi do sieci krystalicznej materiału, ale przekazuje energię do atomów docelowych, powodując ich rozpylanie z dala od powierzchni materiału, a następnie tworzenie cienkiej warstwy poprzez osadzanie na obrabianym przedmiocie. Ze względu na rozpylanie wytwarzane przez wiązkę jonów, energia rozpylanych atomów warstwy filmu jest bardzo wysoka, a materiał docelowy jest bombardowany wiązką jonów w wysokiej próżni, czystość warstwy filmu jest wysoka i można osadzać wysokiej jakości filmy, podczas gdy stabilność warstwy filmu wiązki jonów jest poprawiona, co może osiągnąć cel poprawy właściwości optycznych i mechanicznych warstwy filmu. Celem rozpylania wiązką jonów jest tworzenie nowych materiałów cienkowarstwowych.

2. Trawienie wiązką jonów

Trawienie wiązką jonów to również bombardowanie powierzchni materiału wiązką jonów o średniej energii w celu wytworzenia rozpylania, efektu trawienia na podłożu, jest urządzeniem półprzewodnikowym, urządzeniami optoelektronicznymi i innymi obszarami produkcji technologii rdzeni graficznych. Technologia przygotowania chipów w półprzewodnikowych układach scalonych obejmuje przygotowanie milionów tranzystorów na monokrystalicznym waflu krzemowym o średnicy Φ12in (Φ304,8mm). Każdy tranzystor jest zbudowany z wielu warstw cienkich warstw o ​​różnych funkcjach, składających się z warstwy aktywnej, warstwy izolacyjnej, warstwy izolacyjnej i warstwy przewodzącej. Każda warstwa funkcjonalna ma swój własny wzór, więc po nałożeniu każdej warstwy funkcjonalnej warstwy, bezużyteczne części muszą zostać wytrawione wiązką jonów, pozostawiając nienaruszone użyteczne elementy warstwy. Obecnie szerokość drutu chipa osiągnęła 7mm, a trawienie wiązką jonów jest konieczne do przygotowania tak drobnego wzoru. Trawienie wiązką jonów to metoda trawienia na sucho, która charakteryzuje się większą dokładnością w porównaniu do pierwotnie stosowanej metody trawienia na mokro.

Technologia trawienia wiązką jonów z nieaktywnym trawieniem wiązką jonów i aktywnym trawieniem wiązką jonów z dwoma rodzajami. Pierwszy z trawieniem wiązką jonów argonu należy do reakcji fizycznej; drugi z rozpylaniem wiązką jonów fluoru, wiązka jonów fluoru oprócz wysokiej energii do wytwarzania roli tramp, wiązka jonów fluoru może być również trawiona SiO₂,Si₃N4, GaAs, W i inne cienkie warstwy mają reakcję chemiczną, jest to zarówno proces reakcji fizycznej, jak i proces reakcji chemicznej technologii trawienia wiązką jonów, szybkość trawienia jest szybka. Gazy żrące do trawienia reakcji to CF₄,C₂F₆、CCl4、BCl₃itp., wygenerowane reagenty dla SiF₄、SiCl₄、GCl₃; i WF₆ są gazy żrące są ekstrahowane. Technologia trawienia wiązką jonów jest kluczową technologią do produkcji produktów high-tech.

– Artykuł ten został opublikowany przezproducent maszyn do powlekania próżniowegoGuangdong Zhenhua