Kisi ta' sputtering b'raġġ ta' joni u inċiżjoni b'raġġ ta' joni

1. Kisi ta' sputtering b'raġġ ta' joni

Il-wiċċ tal-materjal jiġi bbumbardjat b'raġġ ta' joni ta' enerġija medja, u l-enerġija tal-joni ma tidħolx fil-kannizzata tal-kristall tal-materjal, iżda tittrasferixxi l-enerġija lill-atomi fil-mira, u tikkawża li dawn jitferrxu 'l bogħod mill-wiċċ tal-materjal, u mbagħad jiffurmaw film irqiq permezz ta' depożizzjoni fuq il-biċċa tax-xogħol. Minħabba l-isputtering prodott mir-raġġ tal-joni, l-enerġija tal-atomi tas-saff tal-film sputtered hija għolja ħafna, u l-materjal fil-mira jiġi bbumbardjat bir-raġġ tal-joni f'vakwu għoli, il-purità tas-saff tal-film hija għolja, u jistgħu jiġu depożitati films ta' kwalità għolja, filwaqt li l-istabbiltà tas-saff tal-film tar-raġġ tal-joni titjieb, li tista' tikseb l-iskop li ttejjeb il-proprjetajiet ottiċi u mekkaniċi tas-saff tal-film. L-iskop tal-isputtering bir-raġġ tal-joni huwa li jifforma materjali ġodda ta' film irqiq.

2. Inċiżjoni bir-raġġ tal-joni

L-inċiżjoni bir-raġġ tal-joni hija wkoll bumbardament bir-raġġ tal-joni ta' enerġija medja tal-wiċċ tal-materjal biex jipproduċi sputtering, effett ta' inċiżjoni fuq is-sottostrat, huwa apparat semikonduttur, apparati optoelettroniċi u oqsma oħra tal-produzzjoni tat-teknoloġija tal-qalba tal-grafika. It-teknoloġija ta' preparazzjoni għaċ-ċipep f'ċirkwiti integrati semikondutturi tinvolvi l-preparazzjoni ta' miljuni ta' transistors fuq wejfer tas-silikon kristallin wieħed b'dijametru ta' Φ12in (Φ304.8mm). Kull transistor huwa mibni minn saffi multipli ta' films irqaq b'funzjonijiet differenti, li jikkonsistu f'saff attiv, saff iżolanti, saff ta' iżolament, u saff konduttiv. Kull saff funzjonali għandu l-mudell tiegħu stess, għalhekk wara li kull saff ta' film funzjonali jiġi indurat, il-partijiet inutli jeħtieġ li jiġu inċiżi b'raġġ tal-joni, u l-komponenti utli tal-film jitħallew intatti. Illum il-ġurnata, il-wisa' tal-wajer taċ-ċippa laħqet is-7mm, u l-inċiżjoni bir-raġġ tal-joni hija meħtieġa biex tipprepara mudell daqshekk fin. L-inċiżjoni bir-raġġ tal-joni hija metodu ta' inċiżjoni niexfa b'eżattezza għolja ta' inċiżjoni meta mqabbla mal-metodu ta' inċiżjoni mxarrba użat fil-bidu.

It-teknoloġija tal-inċiżjoni bir-raġġ tal-joni għandha żewġ tipi ta' inċiżjoni bir-raġġ tal-joni inattiv u inċiżjoni bir-raġġ tal-joni attiv. L-ewwel waħda tuża inċiżjoni bir-raġġ tal-joni tal-argon, li tappartjeni għar-reazzjoni fiżika; it-tieni waħda tuża sputtering bir-raġġ tal-joni tal-fluworin, li flimkien ma' enerġija għolja tipproduċi raġġ tal-joni tal-fluworin, u jista' wkoll jiġi inċiż bir-raġġ tal-joni tal-fluworin b'SiO2.₂Iva₃N4, GaAs, W u films irqaq oħra għandhom reazzjoni kimika, kemm fil-proċess ta' reazzjoni fiżika kif ukoll fil-proċess ta' reazzjoni kimika bit-teknoloġija tal-inċiżjoni bir-raġġ tal-joni, b'rata ta' inċiżjoni mgħaġġla. Il-gassijiet korrużivi tal-inċiżjoni bir-reazzjoni huma CF₄Ċ₂F₆CCl4 BCl3₃, eċċ., ir-reattanti ġġenerati għal SiF₄SiCl₄、GCl₃; u WF₆ jiġu estratti gassijiet korrużivi. It-teknoloġija tal-inċiżjoni bir-raġġ joniku hija t-teknoloġija ewlenija biex jiġu prodotti prodotti ta' teknoloġija għolja.

–Dan l-artiklu ġie ppubblikat minnmanifattur tal-magna tal-kisi bil-vakwuGuangdong Zhenhua