(3) Radio Frequency Plasma CVD (RFCVD)RF boleh digunakan untuk menjana plasma melalui dua kaedah berbeza, kaedah gandingan kapasitif dan kaedah gandingan induktif. Plasma RF CVD menggunakan frekuensi 13.56 MHz. Kelebihan plasma RF ialah ia meresap ke kawasan yang jauh lebih besar daripada plasma gelombang mikro. Walau bagaimanapun, pengehadan frekuensi plasma RF berpasangan yang optimum adalah tidak optimum. sputtering, terutamanya jika plasma mengandungi argon. Plasma berganding kapasitif tidak sesuai untuk mengembangkan filem berlian berkualiti tinggi kerana pengeboman ion daripada plasma boleh menyebabkan kerosakan teruk pada berlian. Filem berlian polihabluran telah ditanam menggunakan plasma teraruh RF di bawah keadaan pemendapan serupa dengan CVD plasma gelombang mikro. Filem berlian epitaxial homogen juga telah diperoleh menggunakan CVD dipertingkatkan plasma teraruh RF.
(4) DC Plasma CVD
Plasma DC ialah kaedah lain untuk mengaktifkan sumber gas (biasanya campuran H2, dan gas hidrokarbon) untuk pertumbuhan filem berlian. CVD berbantu plasma DC mempunyai keupayaan untuk mengembangkan kawasan besar filem berlian, dan saiz kawasan pertumbuhan hanya dihadkan oleh saiz elektrod dan bekalan kuasa DC. Satu lagi kelebihan CVD bantuan plasma DC adalah pembentukan deposit filem DC0 yang tipikal ini adalah dengan sistem suntikan berlian DC0. mm/j. Di samping itu, oleh kerana pelbagai kaedah arka DC boleh mendepositkan filem berlian berkualiti tinggi pada substrat bukan berlian pada kadar pemendapan yang tinggi, ia menyediakan kaedah yang boleh dipasarkan untuk pemendapan filem berlian.
(5) Plasma gelombang mikro resonans siklotron elektron yang dipertingkatkan pemendapan wap kimia (ECR-MPECVD) Plasma DC, plasma RF, dan plasma gelombang mikro yang diterangkan sebelum ini semuanya mengasingkan dan menguraikan H2, atau hidrokarbon, kepada kumpulan atom hidrogen dan karbon-hidrogen atom, dengan itu menyumbang kepada pembentukan filem nipis berlian. Memandangkan plasma resonans siklotron elektron boleh menghasilkan plasma ketumpatan tinggi (>1x1011cm-3), ECR-MPECVD lebih sesuai untuk pertumbuhan dan pemendapan filem berlian. Walau bagaimanapun, disebabkan oleh tekanan gas yang rendah (10-4- hingga 10-2 Torr) yang digunakan dalam proses ECR, yang menghasilkan kadar pemendapan yang rendah bagi filem berlian yang pada masa ini hanya sesuai untuk kaedah pemendapan dalam makmal berlian.
–Artikel ini dikeluarkan oleh pengeluar mesin salutan vakum Guangdong Zhenhua
Masa siaran: Jun-19-2024