१. आयन बीम स्पटरिंग कोटिंग
पदार्थाच्या पृष्ठभागावर मध्यम-ऊर्जेच्या आयन बीमचा भडिमार केला जातो आणि आयनांची ऊर्जा पदार्थाच्या क्रिस्टल जाळीत प्रवेश करत नाही, तर लक्ष्य अणूंमध्ये ऊर्जा हस्तांतरित करते, ज्यामुळे ते पदार्थाच्या पृष्ठभागापासून दूर थुंकतात आणि नंतर वर्कपीसवर जमा करून एक पातळ फिल्म तयार करतात. आयन बीमद्वारे तयार होणाऱ्या थुंकण्यामुळे, थुंकलेल्या फिल्म लेयर अणूंची ऊर्जा खूप जास्त असते आणि लक्ष्य मटेरियलवर उच्च व्हॅक्यूममध्ये आयन बीमचा भडिमार केला जातो, फिल्म लेयरची शुद्धता जास्त असते आणि उच्च दर्जाचे फिल्म जमा केले जाऊ शकतात, तर आयन बीम फिल्म लेयरची स्थिरता सुधारली जाते, ज्यामुळे फिल्म लेयरचे ऑप्टिकल आणि यांत्रिक गुणधर्म सुधारण्याचा उद्देश साध्य होऊ शकतो. आयन बीम स्पटरिंगचा उद्देश नवीन पातळ फिल्म मटेरियल तयार करणे आहे.
२. आयन बीम एचिंग
आयन बीम एचिंग हे देखील मटेरियलच्या पृष्ठभागावर मध्यम-ऊर्जा आयन बीम बॉम्बर्डमेंट आहे ज्यामुळे स्पटरिंग, सब्सट्रेटवर एचिंग इफेक्ट निर्माण होतो, हे एक सेमीकंडक्टर डिव्हाइस, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक डिव्हाइस आणि ग्राफिक्स कोर तंत्रज्ञानाच्या उत्पादनाच्या इतर क्षेत्रांमध्ये होते. सेमीकंडक्टर इंटिग्रेटेड सर्किट्समध्ये चिप्स तयार करण्याच्या तंत्रज्ञानामध्ये Φ12in (Φ304.8 मिमी) व्यासाच्या सिंगल-क्रिस्टल सिलिकॉन वेफरवर लाखो ट्रान्झिस्टर तयार करणे समाविष्ट आहे. प्रत्येक ट्रान्झिस्टर पातळ फिल्म्सच्या अनेक थरांपासून बनवला जातो ज्यामध्ये वेगवेगळ्या फंक्शन्स असतात, ज्यामध्ये एक सक्रिय थर, एक इन्सुलेटिंग थर, एक आयसोलेशन थर आणि एक कंडक्टिव्ह थर असतो. प्रत्येक फंक्शनल लेयरचा स्वतःचा पॅटर्न असतो, म्हणून फंक्शनल फिल्मच्या प्रत्येक थरावर प्लेट केल्यानंतर, निरुपयोगी भागांना आयन बीमने एचिंग करणे आवश्यक आहे, ज्यामुळे उपयुक्त फिल्म घटक अबाधित राहतात. आजकाल, चिपची वायर रुंदी 7 मिमी पर्यंत पोहोचली आहे आणि इतका बारीक पॅटर्न तयार करण्यासाठी आयन बीम एचिंग आवश्यक आहे. सुरुवातीला वापरल्या जाणाऱ्या ओल्या एचिंग पद्धतीच्या तुलनेत आयन बीम एचिंग ही कोरडी एचिंग पद्धत आहे ज्यामध्ये उच्च एचिंग अचूकता असते.
आयन बीम एचिंग तंत्रज्ञान ज्यामध्ये निष्क्रिय आयन बीम एचिंग आणि सक्रिय आयन बीम एचिंग दोन प्रकार आहेत. आर्गॉन आयन बीम एचिंगसह पहिले, भौतिक अभिक्रियेशी संबंधित आहे; नंतरचे फ्लोरिन आयन बीम स्पटरिंगसह, फ्लोरिन आयन बीम उच्च उर्जेव्यतिरिक्त ट्रॅम्पची भूमिका निर्माण करते, फ्लोरिन आयन बीम SiO सह देखील एचिंग केले जाऊ शकते.2、सी3N4、GaA、W आणि इतर पातळ फिल्म्समध्ये रासायनिक अभिक्रिया असते, ती भौतिक अभिक्रिया प्रक्रिया आहे, परंतु आयन बीम एचिंग तंत्रज्ञानाची रासायनिक अभिक्रिया प्रक्रिया देखील आहे, एचिंग दर जलद आहे. प्रतिक्रिया एचिंग संक्षारक वायू CF आहेत.4、सी2F6、सीसीएल४、बीसीएल3, इत्यादी, SiF साठी निर्माण होणारे अभिक्रियाक4、SiCl4、जीसीएल3;,आणि WF6 संक्षारक वायू काढले जातात. आयन बीम एचिंग तंत्रज्ञान हे उच्च-तंत्रज्ञान उत्पादने तयार करण्यासाठी महत्त्वाचे तंत्रज्ञान आहे.
- हा लेख प्रकाशित केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन निर्माताग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट वेळ: ऑक्टोबर-२४-२०२३