Jonu staru izsmidzināšanas pārklājums un jonu staru kodināšana

1. Jonu staru izsmidzināšanas pārklājums

Materiāla virsmu bombardē ar vidējas enerģijas jonu kūli, un jonu enerģija neiekļūst materiāla kristāla režģī, bet gan pārnes enerģiju uz mērķa atomiem, izraisot to atdalīšanos no materiāla virsmas un pēc tam plānas plēves veidošanos, nogulsnējot to uz sagataves. Jonu kūļa radītās izsmidzināšanas dēļ izsmidzināšanas slāņa atomu enerģija ir ļoti augsta, un mērķa materiāls tiek bombardēts ar jonu kūli augstā vakuumā, plēves slāņa tīrība ir augsta un var tikt nogulsnētas augstas kvalitātes plēves, vienlaikus uzlabojot jonu kūļa plēves slāņa stabilitāti, kas var sasniegt plēves slāņa optisko un mehānisko īpašību uzlabošanas mērķi. Jonu kūļa izsmidzināšanas mērķis ir veidot jaunus plānas plēves materiālus.

2. Jonu staru kodināšana

Jonu staru kodināšana ir arī vidējas enerģijas jonu staru bombardēšana materiāla virsmā, lai radītu izsmidzināšanas, kodināšanas efektu uz substrāta, un tā ir pusvadītāju ierīce, optoelektroniskā ierīce un citas grafikas kodola tehnoloģijas ražošanas jomas. Pusvadītāju integrēto shēmu mikroshēmu sagatavošanas tehnoloģija ietver miljonu tranzistoru sagatavošanu uz monokristāla silīcija plāksnes ar diametru Φ12 collas (Φ304,8 mm). Katrs tranzistors ir veidots no vairākiem plānu plēvju slāņiem ar dažādām funkcijām, kas sastāv no aktīvā slāņa, izolācijas slāņa, izolācijas slāņa un vadoša slāņa. Katram funkcionālajam slānim ir savs raksts, tāpēc pēc katra funkcionālās plēves slāņa uzklāšanas nevajadzīgās daļas ir jāizkodina ar jonu staru, atstājot derīgās plēves sastāvdaļas neskartas. Mūsdienās mikroshēmas stieples platums ir sasniedzis 7 mm, un jonu staru kodināšana ir nepieciešama, lai sagatavotu šādu smalku rakstu. Jonu staru kodināšana ir sausās kodināšanas metode ar augstu kodināšanas precizitāti, salīdzinot ar sākotnēji izmantoto mitrās kodināšanas metodi.

Jonu staru kodināšanas tehnoloģija ietver neaktīvu jonu staru kodināšanu un aktīvu jonu staru kodināšanu divu veidu veidā. Pirmā metode ir saistīta ar argona jonu staru kodināšanu, kas pieder pie fizikālās reakcijas; otrā metode ir saistīta ar fluora jonu staru izsmidzināšanu. Fluora jonu stars papildus augstai enerģijai rada tramplīna efektu. Fluora jonu staru var kodināt arī ar SiO2.₂Si₃N4, GaAs, W un citām plānām plēvēm ir ķīmiska reakcija, tā ir gan fizikāla reakcijas process, gan jonu staru kodināšanas tehnoloģijas ķīmiskās reakcijas process, kodināšanas ātrums ir liels. Reakcijas kodināšanas korozīvas gāzes ir CF₄C₂F₆, CCl4 , BCl₃utt., ģenerētie SiF reaģenti₄SiCl₄GCl₃un WF₆ tiek iegūtas kodīgas gāzes. Jonu staru kodināšanas tehnoloģija ir galvenā tehnoloģija augsto tehnoloģiju produktu ražošanā.

– Šo rakstu publicēvakuuma pārklāšanas mašīnu ražotājsGuandunas Dženhua