Allgemeng baséieren CVD-Reaktiounen op héijen Temperaturen, dofir thermesch ugereegt chemesch Dampfdepositioun (TCVD) genannt. Si benotzt normalerweis anorganesch Virleefer a gëtt a waarmwandege a kalwandege Reaktoren duerchgefouert. Zu hire Beheizungsmethoden gehéieren Radiofrequenz (RF) Heizung, Infraroutstrahlungsheizung, Widderstandsheizung, etc.
Chemesch Dampfoflagerung mat waarmer Mauer
Tatsächlech ass en Heisswand-Dampfoflagerungsreaktor en thermostateschen Uewen, deen normalerweis mat resistive Elementer fir intermittéierend Produktioun erhëtzt gëtt. Eng Zeechnung vun enger Heisswand-Dampfoflagerungsproduktiounsanlag fir d'Beschichtung vu Span-Tools gëtt wéi follegt gewisen. Dës Heisswand-Dampfoflagerung kann TiN, TiC, TiCN an aner dënn Schichten beschichten. De Reaktor kann grouss genuch entworf ginn, fir eng grouss Zuel vu Komponenten ze enthalen, an d'Konditioune fir d'Oflagerung kënne ganz präzis kontrolléiert ginn. Bild 1 weist en epitaktischen Schichtvorrichtung fir d'Siliziumdotierung vun der Produktioun vu Hallefleederkomponenten. De Substrat am Uewen gëtt a vertikaler Richtung placéiert, fir d'Kontaminatioun vun der Oflagerungsuewerfläch duerch Partikelen ze reduzéieren an d'Produktiounsbelaaschtung däitlech ze erhéijen. Heisswandreaktoren fir d'Hallefleederproduktioun ginn normalerweis bei niddregem Drock bedriwwen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 08. November 2022