Sputtering ass e Phänomen, bei deem energesch Partikelen (normalerweis positiv Ionen vu Gasen) d'Uewerfläch vun engem Feststoff (hei ënnendrënner als Zilmaterial bezeechent) treffen, wouduerch Atomer (oder Molekülen) op der Uewerfläch vum Zilmaterial erauskommen.
Dëst Phänomen gouf vum Grove am Joer 1842 entdeckt, wéi d'Kathodematerial während engem Experiment fir d'Studie vun der kathodescher Korrosioun op d'Wand vun engem Vakuumröhr migréiert gouf. Dës Sputtermethod bei der Substratoflagerung vun dënne Schichten gouf am Joer 1877 entdeckt, well dës Method fir d'Oflagerung vun dënne Schichten an de fréie Stadien vun der Sputterquote niddreg ass, d'Filmegitus lues ass, an den Apparat ënner héijem Drock muss agesat ginn, fir an d'Affektivgas ze kommen, an eng Rei vu Problemer ze verursaachen. Dofir ass d'Entwécklung ganz lues a bal eliminéiert, an nëmmen a chemesch reaktive Edelmetaller, refraktäre Metaller, Dielektrika a chemesche Verbindungen gouf et nëmme wéineg Uwendungen. Bis an d'1970er Joren, wéinst dem Entstoe vun der Magnetron-Sputtertechnologie, huet sech d'Sputterbeschichtung séier entwéckelt an huet ugefaang, d'Strooss nei opzebauen. Dëst ass well d'Magnetron-Sputtermethod duerch en orthogonalt elektromagnetescht Feld op den Elektronen ageschränkt ka ginn, wat d'Wahrscheinlechkeet vun enger Kollisioun vun Elektronen a Gasmoleküle erhéicht, net nëmmen d'Spannung reduzéiert, déi der Kathod bäigefüügt gëtt, mä och d'Sputterquote vu positiven Ionen op der Zilkatod verbessert, wouduerch d'Wahrscheinlechkeet vum Bombardement vun Elektronen um Substrat reduzéiert gëtt, wouduerch seng Temperatur reduzéiert gëtt, mat "héicher Geschwindegkeet, niddreger Temperatur". Déi zwou Haaptcharakteristike sinn "héich Geschwindegkeet a niddreg Temperatur".
Bis an d'1980er Joren, obwuel et eréischt virun engem Dutzend Joer opgetaucht ass, fält et sech vum Laboratoire wierklech an de Beräich vun der industrialiséierter Masseproduktioun of. Mat der weiderer Entwécklung vun der Wëssenschaft an Technologie, an de leschte Joren am Beräich vun der Sputterbeschichtung an der Aféierung vum Ionenstrahl-verstäerkte Sputteren, der Notzung vun enger breeder Stral vun enger staarker Stroum-Ionenquell a Kombinatioun mat Magnéitfeldmodulatioun, an der Kombinatioun vu konventionellem Dipolsputteren, deen aus engem neie Sputtermodus besteet; an d'Aféierung vun enger mëttlerer Frequenz Wiesselstroumversuergung fir d'Magnetron-Sputterzielquell. Dës mëttlerer Frequenz AC Magnetron-Sputtertechnologie, genannt Twin-Target-Sputteren, eliminéiert net nëmmen den "Verschwannen"-Effekt vun der Anode, mä léist och de "Vergëftungs"-Problem vun der Kathod, wat d'Stabilitéit vum Magnetron-Sputteren däitlech verbessert an eng solid Basis fir déi industrialiséiert Produktioun vu Compound-Dënnschichten ubitt. Dëst huet d'Stabilitéit vum Magnetron-Sputteren däitlech verbessert an eng solid Basis fir déi industrialiséiert Produktioun vu Compound-Dënnschichten ubitt. An de leschte Joren ass d'Sputterbeschichtung eng nei opkomend Filmvirbereedungstechnologie ginn, déi am Beräich vun der Vakuumbeschichtungstechnologie aktiv ass.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 05. Dezember 2023